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公开(公告)号：CN106024782A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610119874.8
申请日：2016-03-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供半导体装置、逆变电路、驱动装置、车辆以及升降机。实施方式的半导体装置具备多个电路单元，该电路单元具有：基板；基板的第1侧的第1电极；在基板的第1侧与第1电极并列的第2电极；基板的第2侧的第3电极；以及第1开关元件和第2开关元件，在第1电极以及第2电极与第3电极之间的基板上并列，串联地电连接在第1电极与第2电极之间，在第1开关元件和第2开关元件之间电连接有第3电极，在邻接的两个电路单元中，一方的第1侧与另一方的第1侧邻接，一方的第2侧与另一方的第2侧邻接。
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公开(公告)号：CN116169173A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211074679.X
申请日：2022-09-01
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供一种浪涌电流耐量提高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备晶体管区域和二极管区域。晶体管区域包含具有与第一面相接的第一部分的n型的第一碳化硅区域、p型的第二碳化硅区域、n型的第三碳化硅区域、与第一部分、第二碳化硅区域以及第三碳化硅区域相接的第一电极、与第二面相接的第二电极以及栅极电极。二极管区域包含：具有与第一面相接的第二部分的n型的第一碳化硅区域；p型的第四碳化硅区域；与第二部分以及第四碳化硅区域相接的第一电极；以及第二电极。第四碳化硅区域的每单位面积的占有面积大于第二碳化硅区域的每单位面积的占有面积。另外，第一二极管区域设置在第一晶体管区域与第二晶体管区域之间。
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公开(公告)号：CN106024782B
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201610119874.8
申请日：2016-03-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供半导体装置、逆变电路、驱动装置、车辆以及升降机。实施方式的半导体装置具备多个电路单元，该电路单元具有：基板；基板的第1侧的第1电极；在基板的第1侧与第1电极并列的第2电极；基板的第2侧的第3电极；以及第1开关元件和第2开关元件，在第1电极以及第2电极与第3电极之间的基板上并列，串联地电连接在第1电极与第2电极之间，在第1开关元件和第2开关元件之间电连接有第3电极，在邻接的两个电路单元中，一方的第1侧与另一方的第1侧邻接，一方的第2侧与另一方的第2侧邻接。
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公开(公告)号：CN113394289B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202010951166.7
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供能够减小特性变动的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1元件区域。第1元件区域包括第1～第3半导体区域、第1、第2导电层。第1半导体区域为第1导电型。第2导电层在第1半导体区域与第3部分区域肖特基接触。第2半导体区域为第2导电型。第3半导体区域为第1导电型。第3半导体区域的至少一部分在第2方向上位于第1部分区域与第1半导体部分之间。第3半导体区域中的第1导电型的杂质的浓度高于第1部分区域中的第1导电型的杂质的浓度。
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公开(公告)号：CN106449756A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610645271.1
申请日：2016-08-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/16
Abstract: 提供栅极绝缘膜的耐压高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备SiC基板、设置在SiC基板上且在表面侧具有沟槽的SiC层、设置在SiC层内的第1导电型的第1SiC区域、设置在第1SiC区域与SiC基板之间的第2导电型的第2SiC区域、设置在第2SiC区域与SiC基板之间的第1导电型的第3SiC区域、设置在沟槽的侧面上以及底面上的栅极绝缘膜、以及设置在栅极绝缘膜上的栅极电极，第2SiC区域和第3SiC区域之间的边界位于沟槽的侧面的侧方，边界具有第一区域，该第一区域距SiC层表面的距离随着远离沟槽而变大，距沟槽的侧面的距离为0μm以上且0.3μm以下。
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