公开(公告)号：CN116169173A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202211074679.X

申请日：2022-09-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大桥辉之 ,  河野洋志 ,  朝羽俊介 ,  尾形昂洋

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 提供一种浪涌电流耐量提高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备晶体管区域和二极管区域。晶体管区域包含具有与第一面相接的第一部分的n型的第一碳化硅区域、p型的第二碳化硅区域、n型的第三碳化硅区域、与第一部分、第二碳化硅区域以及第三碳化硅区域相接的第一电极、与第二面相接的第二电极以及栅极电极。二极管区域包含：具有与第一面相接的第二部分的n型的第一碳化硅区域；p型的第四碳化硅区域；与第二部分以及第四碳化硅区域相接的第一电极；以及第二电极。第四碳化硅区域的每单位面积的占有面积大于第二碳化硅区域的每单位面积的占有面积。另外，第一二极管区域设置在第一晶体管区域与第二晶体管区域之间。

公开(公告)号：CN115911085A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202210015164.6

申请日：2022-01-07

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 河野洋志 ,  大桥辉之 ,  尾形昂洋

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/07

Abstract: 一种半导体装置，具备：第一电极；第二电极；栅极电极，沿第一方向延伸；以及碳化硅层，具有第一面和第二面，包括：第一导电型的第一碳化硅区，具有第一区、与栅极电极相向的第二区以及与第一电极相接的第三区；第二区与第三区之间的第二导电型的第二碳化硅区；第二导电型的第三碳化硅区，在与第二碳化硅区之间夹着第二区；第二导电型的第四碳化硅区，在与第二碳化硅区之间夹着第三区；第一导电型的第五碳化硅区；第二导电型的第六碳化硅区，设置于第一区与第二碳化硅区之间；以及第二导电型的第七碳化硅区，在第一区与第二碳化硅区之间，在第一方向上与第六碳化硅区分开地设置。

公开(公告)号：CN115911027A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202210015210.2

申请日：2022-01-07

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 尾形昂洋 ,  大桥辉之 ,  河野洋志

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/07

Abstract: 一种半导体装置，具备晶体管、包括第一二极管的元件区、包围元件区且包括第二二极管的末端区、以及设置于元件区与末端区之间的中间区，元件区包括第一电极、第二电极、栅极电极、碳化硅层以及栅极绝缘层，末端区包括与第一电极电连接的第一布线层、第二电极以及碳化硅层，中间区包括栅极电极焊盘、将第一电极与第一布线层的一部分电连接的第一连接层、将第一电极与第一布线层的另一部分电连接的第二连接层、与栅极电极焊盘及栅极电极电连接的第二布线层、以及碳化硅层。

公开(公告)号：CN115842035A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202210019635.0

申请日：2022-01-10

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 尾形昂洋 ,  大桥辉之 ,  河野洋志

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/07

Abstract: 实施方式的半导体装置具备：元件区域，包含晶体管、第一二极管以及第一接触部；终端区域，包围元件区域且包含第二接触部；以及中间区域，设置于元件区域与终端区域之间，不包含晶体管、第一二极管、第一接触部以及第二接触部，元件区域包含第一电极、第二电极、栅极电极、碳化硅层以及栅极绝缘层，终端区域包含与第一电极电连接的第一布线层、第二电极以及碳化硅层，中间区域包含碳化硅层，从元件区域朝向终端区域的方向的中间区域的宽度为碳化硅层的厚度的2倍以上。