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公开(公告)号：CN106661743B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201580043891.1
申请日：2015-03-04
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 根据实施方式，电解装置的电极单元(12)具备：第1电极(20)，其具有第1表面(21a)、位于该第1表面的相反侧的第2表面(21b)、和分别在第1表面及第2表面开口的多个贯通孔(13)；第2电极(22)，其与第1电极的第1表面相对地设置；和多孔质膜(24)，其形成于第1电极的第1表面上，覆盖第1表面及贯通孔，并含有无机氧化物。
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公开(公告)号：CN107208286B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201580074003.2
申请日：2015-09-15
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供高效率且长寿命的多孔质隔膜、其制造方法、电极单元及次氯酸水制造装置。实施方式的电极单元具有阳电极、阴电极、和形成于阳电极的阴电极侧且含有在pH为2到6的区域中Zeta电位为正的无机氧化物的多孔质隔膜。
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公开(公告)号：CN107001078A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201680002274.1
申请日：2016-02-17
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 根据实施方式，电解装置具备具有设置有阳极(18)的阳极室和设置有与阳极相对的阴极(20)的阴极室的电解槽。阳极(18)具有担载有催化剂的第1表面(18a)。阳极(18)具有在施加电压时产生的电流密度的分布，第1表面(18a)中的催化剂的催化剂量具有与电流密度的分布相应的分布。
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公开(公告)号：CN106574381A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580043822.0
申请日：2015-09-07
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 实施方式的电极单元具有第1电极、与第1电极相对设置的第2电极、和配置于第1电极上的第2电极侧的多孔质隔膜。第1电极具有在第1表面开口的多个第1凹部、和在位于第1表面的背面侧的第2表面开口且开口面积宽于第1凹部的多个第2凹部，而且该第1电极具有将第1凹部和第2凹部连通的多个贯通孔。贯通孔具有弯曲部和直线部，弯曲部的曲率半径r为0.005mm～0.5mm，开口面积为0.05mm2～2mm2。
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公开(公告)号：CN105612273A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201580001705.8
申请日：2015-09-04
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C25B1/46 , C02F1/461 , C02F1/4618 , C02F2001/46185 , C02F2201/46115 , C25B9/08 , C25B9/10 , C25B11/035 , C25B13/02 , C25B13/04
Abstract: 根据实施方式，本发明的电解装置(10)具备：由多孔质膜(24)构成的隔膜(24a)，该多孔质膜(24)具有每1cm2的透水量在20KPa的差压下为0.0024～0.6mL/分钟的透水性；第一电极(20)，该第一电极(20)以与隔膜相对置的方式设置；以及第二电极(22)，该第二电极(22)隔着隔膜与第一电极相对置，其中，施加在多孔质膜的两侧的水压差在±20kPa以内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1913037A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610109186.X
申请日：2006-08-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C16/3418 , G11C13/0033 , G11C13/0069 , G11C16/30 , G11C16/3431
Abstract: 根据本发明的一个方面的一种数据记录装置，包括：存储芯片中的存储单元阵列；执行存储单元阵列的数据更新的更新电路；在短于数据保持时间的时间间隔，执行更新并管理数据保持时间的更新控制电路；以及在数据记录装置从外部装置中被移除的状态下，向更新电路和更新控制电路供给电源电势的内部电源。
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公开(公告)号：CN1892827A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610094256.9
申请日：2006-06-28
CPC classification number: G11B5/7315
Abstract: 一种用于磁记录介质的基底(11)，包括与记录磁道相应的圆周形凸起和与记录磁道之间的沟槽相应的圆周形凹陷，其中所述基底(11)满足以下条件中的至少一项：(a)所述凹陷表面的表面能小于所述凸起表面的表面能；(b)利用可热分解或可热变形的物质改性所述凹陷的表面；(c)所述凹陷表面的表面粗糙度小于所述凸起表面的表面粗糙度；(d)结晶取向在所述凹陷表面上比在所述凸起表面上更加受干扰；(e)利用引起与磁性材料反应或扩散到所述磁性材料中的物质来改性所述凹陷的表面；以及(f)利用可溶于溶剂中的物质或利用可变形物质改性所述凹陷的表面。
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公开(公告)号：CN1365448A
公开(公告)日：2002-08-21
申请号：CN01800711.2
申请日：2001-03-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01T1/20
CPC classification number: G01T1/243 , G01T1/2018 , H01L27/14663
Abstract: 公开了一种平板X射线检测器,包含将射入的X射线变换为电荷的X射线电荷变换薄膜(109)、与X射线电荷变换薄膜(109)相邻的并为每一像素设置的像素电极(504)、与像素电极(504)相连的开关部件(401)、与开关部件(401)相连的信号线以及给开关部件(401)提供驱动信号的扫描线,其中X射线电荷变换薄膜(109)包含磷光体粒子(110)、光敏材料(111)和载流子传输材料(112)。
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公开(公告)号：CN115315318B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202180016238.1
申请日：2021-03-04
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
Abstract: 提供能够形成均匀的涂敷膜的涂敷装置及涂敷方法。根据实施方式，涂敷装置包含：能够与被涂敷构件相向的涂敷杆；以及能够朝向所述涂敷杆供给液体的多个喷嘴。所述多个喷嘴的数量为3个以上。所述涂敷杆的表面的至少一部分的算术平均粗糙度Ra为0.5μm以上且10μm以下。
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公开(公告)号：CN118829489A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202280092645.5
申请日：2022-11-14
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
Abstract: 本发明提供一种涂敷装置、弯月面头以及涂敷方法。根据实施方式，提供能够得到大面积且均匀的涂敷膜的涂敷装置、弯月面头以及涂敷方法。实施方式的涂敷装置通过弯月面法形成涂膜，具备输送基材的部件、涂敷棒、向涂敷棒的表面供给涂敷液的狭缝式模头、以及向狭缝式模头供给涂敷液的部件，各部件配置成，使得从狭缝式模头供给的涂敷液经由涂敷棒的表面供给到涂敷棒与基材之间而形成弯月面。
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