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公开(公告)号:CN100458923C
公开(公告)日:2009-02-04
申请号:CN200610094256.9
申请日:2006-06-28
CPC classification number: G11B5/7315
Abstract: 一种用于磁记录介质的基底(11),包括与记录磁道相应的圆周形凸起和与记录磁道之间的沟槽相应的圆周形凹陷,其中所述基底(11)满足以下条件中的至少一项:(a)所述凹陷表面的表面能小于所述凸起表面的表面能;(b)利用可热分解或可热变形的物质改性所述凹陷的表面;(c)所述凹陷表面的表面粗糙度小于所述凸起表面的表面粗糙度;(d)结晶取向在所述凹陷表面上比在所述凸起表面上更加受干扰;(e)利用引起与磁性材料反应或扩散到所述磁性材料中的物质来改性所述凹陷的表面;以及(f)利用可溶于溶剂中的物质或利用可变形物质改性所述凹陷的表面。
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公开(公告)号:CN1892827A
公开(公告)日:2007-01-10
申请号:CN200610094256.9
申请日:2006-06-28
CPC classification number: G11B5/7315
Abstract: 一种用于磁记录介质的基底(11),包括与记录磁道相应的圆周形凸起和与记录磁道之间的沟槽相应的圆周形凹陷,其中所述基底(11)满足以下条件中的至少一项:(a)所述凹陷表面的表面能小于所述凸起表面的表面能;(b)利用可热分解或可热变形的物质改性所述凹陷的表面;(c)所述凹陷表面的表面粗糙度小于所述凸起表面的表面粗糙度;(d)结晶取向在所述凹陷表面上比在所述凸起表面上更加受干扰;(e)利用引起与磁性材料反应或扩散到所述磁性材料中的物质来改性所述凹陷的表面;以及(f)利用可溶于溶剂中的物质或利用可变形物质改性所述凹陷的表面。
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公开(公告)号:CN101126901A
公开(公告)日:2008-02-20
申请号:CN200710128050.8
申请日:2007-06-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/3086 , B82Y10/00 , Y10S438/942
Abstract: 提供一种图案形成方法,其中包括下列步骤:将包括嵌段共聚物、硅化合物、以及用于溶解上述组分的溶剂的组合物涂布到对象上,以便在该对象上形成一层该组合物;使该层组合物进行嵌段共聚物的自组织,以使相分离成其中定位有通过热处理或/和氧等离子体处理而具有较高抗刻蚀性能的硅化合物的第一相和包含通过热处理或/和氧等离子体处理而具有较低的抗刻蚀性能的聚合物相的第二相,从而形成具有精细图案的图案层;以及用这样形成的图案层作为掩模刻蚀该对象。
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公开(公告)号:CN101399050A
公开(公告)日:2009-04-01
申请号:CN200810215456.4
申请日:2008-08-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/82 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G11B5/855
Abstract: 本发明提供一种图案形成方法,其包括在基材(11)上形成至少包含PS和PEO的二嵌段共聚物组合物的层(12),使所述层经受相分离以获得相分离的层(13),由此形成由PS构成并且具有沿第一方向延展的圆柱体或层状构型的易蚀刻区域(14),在所述相分离的层上形成压印抗蚀剂层(16),对所述压印抗蚀剂层进行压印,以在所述压印抗蚀剂层上形成沿与所述第一方向交叉的第二方向延展的由凸起(19)和凹陷(18)构成的不规则图案,从所述压印抗蚀剂层选择性地除去所述凹陷,由此仅剩下所述凸起,并且同时选择性地从所述相分离的层除去PS以获得包含PEO的耐蚀刻的图案,以及不仅使用所述凸起而且使用所述耐蚀刻的图案作为掩模来蚀刻所述基材。
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公开(公告)号:CN101399050B
公开(公告)日:2011-04-06
申请号:CN200810215456.4
申请日:2008-08-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/82 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G11B5/855
Abstract: 本发明提供一种图案形成方法,其包括在基材(11)上形成至少包含PS和PEO的二嵌段共聚物组合物的层(12),使所述层经受相分离以获得相分离的层(13),由此形成由PS构成并且具有沿第一方向延展的圆柱体或层状构型的易蚀刻区域(14),在所述相分离的层上形成压印抗蚀剂层(16),对所述压印抗蚀剂层进行压印,以在所述压印抗蚀剂层上形成沿与所述第一方向交叉的第二方向延展的由凸起(19)和凹陷(18)构成的不规则图案,从所述压印抗蚀剂层选择性地除去所述凹陷,由此仅剩下所述凸起,并且同时选择性地从所述相分离的层除去PS以获得包含PEO的耐蚀刻的图案,以及不仅使用所述凸起而且使用所述耐蚀刻的图案作为掩模来蚀刻所述基材。
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