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公开(公告)号：CN100458923C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200610094256.9
申请日：2006-06-28
CPC classification number: G11B5/7315
Abstract: 一种用于磁记录介质的基底(11)，包括与记录磁道相应的圆周形凸起和与记录磁道之间的沟槽相应的圆周形凹陷，其中所述基底(11)满足以下条件中的至少一项：(a)所述凹陷表面的表面能小于所述凸起表面的表面能；(b)利用可热分解或可热变形的物质改性所述凹陷的表面；(c)所述凹陷表面的表面粗糙度小于所述凸起表面的表面粗糙度；(d)结晶取向在所述凹陷表面上比在所述凸起表面上更加受干扰；(e)利用引起与磁性材料反应或扩散到所述磁性材料中的物质来改性所述凹陷的表面；以及(f)利用可溶于溶剂中的物质或利用可变形物质改性所述凹陷的表面。
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公开(公告)号：CN100446090C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200610094230.4
申请日：2006-06-27
IPC: G11B5/84 , H01L21/3065
CPC classification number: C23F4/00 , B82Y10/00 , G11B5/012 , G11B5/743 , G11B5/82 , G11B5/855 , H01J2237/30466 , H01J2237/3174
Abstract: 一种用于制造磁记录介质的方法，该方法包括：在基底(15，35，51，61)上的记录磁道部分以及伺服部分上形成具有铁磁性材料(54，64)的凸起和凹陷的图形；在该铁磁性材料(54，64)上形成平化膜(56，66)，该平化膜的顶表面高于铁磁性材料(54，64)的凸起的顶表面；以及在该平化膜(56，66)上进行离子束蚀刻直到铁磁性材料(54，64)的凸起的顶表面，并且通过离子计数器(13，33)基于入射颗粒的总数的变化来确定平化蚀刻的终点，该离子计数器被安装成根据平化膜(56，66)的材料相对于基底(15，35，51，61)的垂直方向成角度θ。
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公开(公告)号：CN100412953C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200610094232.3
申请日：2006-06-27
Abstract: 一种磁记录装置，包括：磁记录介质(11)，所述磁记录介质包括基底(21)，所述基底具有与伺服区域和数据区域对应的凸起和凹陷，还包括沉积在基底上的磁性层(23)；以及，读/写磁头，其包括一对磁屏蔽罩(31)和巨磁阻元件(33)，其中介质(11)上的磁道间距在50nm至300nm之间，磁记录介质(11)的线速度为11m/s，以及当将磁屏蔽罩(31)至介质(11)的凸起上的磁性层(23)间的距离定义为“m”，而将介质(11)伺服区域的凸起和凹陷上的磁性层(23)间的距离定义为“d”时，则满足下列条件即d/m在0.2至3之间。
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公开(公告)号：CN1892833A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610094230.4
申请日：2006-06-27
IPC: G11B5/84 , H01L21/3065
CPC classification number: C23F4/00 , B82Y10/00 , G11B5/012 , G11B5/743 , G11B5/82 , G11B5/855 , H01J2237/30466 , H01J2237/3174
Abstract: 一种用于制造磁记录介质的方法，该方法包括：在基底(15，35，51，61)上的记录磁道部分以及伺服部分上形成具有铁磁性材料(54，64)的凸起和凹陷的图形；在该铁磁性材料(54，64)上形成平化膜(56，66)，该平化膜的顶表面高于铁磁性材料(54，64)的凸起的顶表面；以及在该平化膜(56，66)上进行离子束蚀刻直到铁磁性材料(54，64)的凸起的顶表面，并且通过离子计数器(13，33)基于入射颗粒的总数的变化来确定平化蚀刻的终点，该离子计数器被安装成根据平化膜(56，66)的材料相对于基底(15，35，51，61)的垂直方向成角度θ。
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公开(公告)号：CN1892827A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610094256.9
申请日：2006-06-28
CPC classification number: G11B5/7315
Abstract: 一种用于磁记录介质的基底(11)，包括与记录磁道相应的圆周形凸起和与记录磁道之间的沟槽相应的圆周形凹陷，其中所述基底(11)满足以下条件中的至少一项：(a)所述凹陷表面的表面能小于所述凸起表面的表面能；(b)利用可热分解或可热变形的物质改性所述凹陷的表面；(c)所述凹陷表面的表面粗糙度小于所述凸起表面的表面粗糙度；(d)结晶取向在所述凹陷表面上比在所述凸起表面上更加受干扰；(e)利用引起与磁性材料反应或扩散到所述磁性材料中的物质来改性所述凹陷的表面；以及(f)利用可溶于溶剂中的物质或利用可变形物质改性所述凹陷的表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100446089C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200610107756.1
申请日：2006-07-25
Abstract: 一种用于具有离散磁道的磁记录介质的被构图基底(11)，包括其上加工的凸起(11a)和凹陷(11b)图形，以及在每一个凹陷(11b)处形成的纹理结构。
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公开(公告)号：CN100433135C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200610094224.9
申请日：2006-06-27
CPC classification number: G11B5/7315
Abstract: 一种磁记录介质包括：具有记录磁道(11)和隔离记录磁道(11)的隔离区域(12)的基底(1)，有凸起和凹陷图形形成于其上的隔离区域(12)，以及沉积在基底(1)上的记录薄膜(2，3)，其中，记录磁道(11)顶部和隔离区域(12)底部间的高度差大于等于2nm且小于等于7nm，记录磁道(11)顶部和隔离区域(12)底部间的高度差大于等于10nm。
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公开(公告)号：CN100412697C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200610094258.8
申请日：2006-06-28
IPC: G03F7/20 , G11B5/84 , H01L21/3065 , C23F1/00
CPC classification number: G03F7/0002 , B08B7/0092 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G11B5/8404 , G11B5/855
Abstract: 根据一个实施例，一种制造用于离散磁道记录介质的基底的方法，该方法包括以下步骤：在基底(11，31，41，51)上形成压印抗蚀剂层(12，32，42，52)；在所述压印抗蚀剂层(12，32，42，52)上压印具有与记录磁道区和伺服区对应的凸起和凹陷的图形的压模(13，15)，以将所述凸起和凹陷的图形转移到所述压印抗蚀剂层(12，32，42，52)；从所述压印抗蚀剂层(12，32，42，52)除去所述压模(13，53)；以及在压力设定为2至5atm的处理室中扩散液化的CO2，在压力设定为0.01至1atm的处理室中扩散液化的H2O，或在设定为任意压力的处理室中扩散选自液化CF4、CHF3、SF6和C2F6的反应气体，以将所述液化气体喷射到所述基底(11，31，41，51)的表面上。
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公开(公告)号：CN1905015A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610107756.1
申请日：2006-07-25
Abstract: 一种用于具有离散磁道的磁记录介质的被构图基底(11)，包括其上加工的凸起(11a)和凹陷(11b)图形，以及在每一个凹陷(11b)处形成的纹理结构。
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公开(公告)号：CN1892834A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610094258.8
申请日：2006-06-28
IPC: G11B5/84 , H01L21/3065 , C23F1/00
CPC classification number: G03F7/0002 , B08B7/0092 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G11B5/8404 , G11B5/855
Abstract: 根据一个实施例，一种制造用于离散磁道记录介质的基底的方法，该方法包括以下步骤：在基底(11，31，41，51)上形成压印抗蚀剂层(12，32，42，52)；在所述压印抗蚀剂层(12，32，42，52)上压印具有与记录磁道区和伺服区对应的凸起和凹陷的图形的压模(13，15)，以将所述凸起和凹陷的图形转移到所述压印抗蚀剂层(12，32，42，52)；从所述压印抗蚀剂层(12，32，42，52)除去所述压模(13，53)；以及在压力设定为2至5atm的处理室中扩散液化的CO2，在压力设定为0.01至1atm的处理室中扩散液化的H2O，或在设定为任意压力的处理室中扩散选自液化CF4、CHF3、SF6和C2F6的反应气体，以将所述液化气体喷射到所述基底(11，31，41，51)的表面上。
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