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公开(公告)号：CN117043123A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280016624.5
申请日：2022-03-28
IPC: C04B35/587
Abstract: 实施方式的氮化硅烧结体的特征在于，其具备氮化硅结晶粒子及晶界相，在上述氮化硅烧结体的任意的截面中对20μm×20μm的区域进行拉曼光谱分析的情况下，在400cm‑1以上且1200cm‑1以下的范围内检测到7个以上的峰，上述7个以上的峰的最强峰不在515cm‑1以上且525cm‑1以下的范围内。此外，上述7个以上的峰中的至少3个优选在530cm‑1以上且830cm‑1以下的范围内。上述7个以上的峰中的至少1个优选在440cm‑1以上且460cm‑1以下的范围内。
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公开(公告)号：CN110520398B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201880025596.7
申请日：2018-04-17
IPC: H01L21/08 , C04B35/587 , H01L23/373 , H05K1/03
Abstract: 本发明的烧结体具备包含氮化硅的晶粒和晶界相。在一边对烧结体施加交流电压一边使交流电压的频率从50Hz到1MHz连续地变化而测定烧结体的介质损耗时，800kHz～1MHz的频带下的上述介质损耗的平均值εA和100Hz～200Hz的频带下的上述介质损耗的平均值εB满足式：|εA‑εB|≤0.1。
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公开(公告)号：CN112997017A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201980073611.X
申请日：2019-11-19
IPC: F16C33/24 , F16C33/32 , H02K5/173 , C04B35/593
Abstract: 本发明提供一种滑动构件，其特征在于，其是具备具有氮化硅晶粒及晶界相的氮化硅烧结体的滑动构件，在氮化硅烧结体的任意的截面或表面的观察区域50μm×50μm中，可见到全部轮廓的任意的50个氮化硅晶粒中的在内部具有位错缺陷部的氮化硅晶粒的数目的比例为0％～10％。更优选上述比例为0％～3％。
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公开(公告)号：CN107207366B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201680005834.9
申请日：2016-01-19
Inventor： 青木克之
Abstract: 一种氮化硅烧结体，其特征在于，其是热导率为50W/m·K以上、3点弯曲强度为600MPa以上的高热导性氮化硅烧结体，其中，在对氮化硅烧结体的任意的截面进行XRD分析时，在将于衍射角29.3±0.2°、29.7±0.2°、27.0±0.2°、36.1±0.2°下检测到的最强峰值强度设为I29.3°、I29.7°、I27.0°、I36.1°时，峰值比(I29.3°)/(I27.0°+I36.1°)满足0.01～0.08，并且，峰值比(I29.7°)/(I27.0°+I36.1°)满足0.02～0.16。根据上述构成，能够提供热导率高达50W/m·K以上、绝缘性及强度优异的氮化硅烧结体。
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公开(公告)号：CN105683129B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201480058070.0
申请日：2014-10-21
IPC: C04B35/584 , H01L23/15 , H05K1/03
CPC classification number: C01B21/068 , B32B18/00 , C01P2006/32 , C04B35/584 , C04B35/587 , C04B35/593 , C04B35/6263 , C04B35/6264 , C04B35/63 , C04B35/632 , C04B35/6342 , C04B35/63424 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/383 , C04B2235/3873 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/661 , C04B2235/723 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/85 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/368 , H01L23/15 , H01L23/3731 , H01L23/3735 , H01L23/49838 , H01L23/49877 , H01L23/49894 , H01L2924/0002 , H05K1/0201 , H05K1/0306 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供氮化硅基板，具备氮化硅晶粒和晶界相且导热率为50W/m·k以上，其特征在于，氮化硅基板的剖面组织中，厚度方向的晶界相的合计长度T2相对氮化硅基板的厚度T1的比(T2/T1)为0.01～0.30，从绝缘强度的相对平均值的偏差为15％以下，所述绝缘强度的平均值是使电极与基板的表背面接触而用四端法测量时的绝缘强度的平均值。另外，绝缘强度的平均值优选为15kv/mm以上。根据上述构成能够得到绝缘强度的偏差小的氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107207366A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680005834.9
申请日：2016-01-19
Inventor： 青木克之
Abstract: 一种氮化硅烧结体，其特征在于，其是热导率为50W/m·K以上、3点弯曲强度为600MPa以上的高热导性氮化硅烧结体，其中，在对氮化硅烧结体的任意的截面进行XRD分析时，在将于衍射角29.3±0.2°、29.7±0.2°、27.0±0.2°、36.1±0.2°下检测到的最强峰值强度设为I29.3°、I29.7°、I27.0°、I36.1°时，峰值比(I29.3°)/(I27.0°+I36.1°)满足0.01～0.08，并且，峰值比(I29.7°)/(I27.0°+I36.1°)满足0.02～0.16。根据上述构成，能够提供热导率高达50W/m·K以上、绝缘性及强度优异的氮化硅烧结体。
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公开(公告)号：CN105683129A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201480058070.0
申请日：2014-10-21
IPC: C04B35/584 , H01L23/15 , H05K1/03
CPC classification number: C01B21/068 , B32B18/00 , C01P2006/32 , C04B35/584 , C04B35/587 , C04B35/593 , C04B35/6263 , C04B35/6264 , C04B35/63 , C04B35/632 , C04B35/6342 , C04B35/63424 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/383 , C04B2235/3873 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/661 , C04B2235/723 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/85 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/368 , H01L23/15 , H01L23/3731 , H01L23/3735 , H01L23/49838 , H01L23/49877 , H01L23/49894 , H01L2924/0002 , H05K1/0201 , H05K1/0306 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供氮化硅基板，具备氮化硅晶粒和晶界相且导热率为50W/m·k以上，其特征在于，氮化硅基板的剖面组织中，厚度方向的晶界相的合计长度T2相对氮化硅基板的厚度T1的比(T2/T1)为0.01～0.30，从绝缘强度的相对平均值的偏差为15％以下，所述绝缘强度的平均值是使电极与基板的表背面接触而用四端法测量时的绝缘强度的平均值。另外，绝缘强度的平均值优选为15kv/mm以上。根据上述构成能够得到绝缘强度的偏差小的氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板。
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公开(公告)号：CN104768900A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201380057709.9
申请日：2013-12-06
IPC: C04B35/599 , F16C33/32
CPC classification number: F16C33/32 , C04B35/597 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3826 , C04B2235/3839 , C04B2235/3847 , C04B2235/3865 , C04B2235/3878 , C04B2235/3895 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , F16C2240/54
Abstract: 本发明提供一种氮化硅烧结体，其特征在于：在对氮化硅烧结体进行XRD分析时，当将在对应于六方晶系α-SiAlON结晶的29.6±0.3°和31.0±0.3°处检测出的最强峰值强度设定为I29.6°、I31.0°、另一方面将在对应于β-Si3N4结晶的33.6±0.3°、36.1±0.3°处检测出的最强峰值强度设定为I33.6°、I36.1°时，各最强峰值强度满足下述关系式：(I29.6°+I31.0°)/(I33.6°+I36.1°)＝0.10～0.30(1)在所述氮化硅烧结体的任意断面中，每单位面积100μm×100μm的晶界相的面积比为25～40％，可加工系数为0.100～0.120。根据本发明，可以提供适合于滑动特性长期稳定的滑动构件的氮化硅烧结体以及使用该氮化硅烧结体的滑动构件。
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公开(公告)号：CN104768899A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201380056980.0
申请日：2013-10-21
IPC: C04B35/584 , F16C33/32
CPC classification number: C04B35/587 , C04B35/593 , C04B35/5935 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3826 , C04B2235/3839 , C04B2235/3865 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/767 , C04B2235/78 , C04B2235/786 , C04B2235/788 , C04B2235/85 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , F16C33/145 , F16C33/32 , F16C33/62 , F16C2206/60
Abstract: 本发明提供一种氮化硅烧结体，其特征在于，包含氮化硅晶粒和晶界相，在拍摄该氮化硅烧结体的任意截面时，每100μm×100μm单位面积晶界相的面积比为15～35％。另外，所述每100μm×100μm单位面积的晶界相的面积比优选为15～25％。另外，氮化硅烧结体适于耐磨件。根据上述构成，可以提供加工性良好、滑动特性优良的氮化硅烧结体及使用其的耐磨件。
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公开(公告)号：CN119403773A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202380047999.2
申请日：2023-08-23
IPC: C04B35/587 , C04B35/581 , H01L23/13 , H01L23/15 , H05K1/03
Abstract: 实施方式的陶瓷基板的特征在于，以200V/s的升压速度在正面与背面之间施加50Hz或60Hz的交流电压，测定检测出电弧放电时的电弧放电电压A(kV)，在按照IEC672‑2测定了所述正面与所述背面之间的绝缘击穿电压B(kV)的情况下，电弧放电电压A相对于绝缘击穿电压B之比A/B为0.3以上。关于所述陶瓷基板，优选的是，在任意的剖面中，存在面积1μm2的第一空隙的数量在30以上且500以下的范围内且面积1μm2以上的第二空隙的数量在0以上且30以下的范围内的90μm×120μm的区域。
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