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公开(公告)号：CN101997034B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201010263767.5
申请日：2010-08-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L29/0634 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0873 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/7843
Abstract: 本发明的一形态的电力半导体元件，在第一导电型的第一半导体层上，通过在沿着其表面的第一方向上周期性地重复而配置着第一导电型的第二半导体层及第二导电型的第三半导体层。在第一半导体层上形成着与其电气连接的第一主电极。第二导电型的第四半导体层以与第三半导体层连接的方式设置着。在所述第四半导体层表面，选择性地设置着第一导电型的第五半导体层。在第四半导体层及第五半导体层的表面，设置着与其电气连接的第二主电极。在第四半导体层、所述第五半导体层及所述第二半导体层的表面隔着栅极绝缘膜设置着控制电极。在第二半导体层中，形成着填埋沟槽而设置的第一绝缘膜。
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公开(公告)号：CN101794816B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201010004023.1
申请日：2010-01-14
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L29/0634 , H01L29/1095 , H01L29/66712 , H01L29/7397
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，具备：第一导电型的半导体衬底；形成在半导体衬底上的第一导电型的第一半导体区；以及在第一半导体区内，相对于半导体衬底在衬底面方向上分别离开地形成的第二导电型的第二半导体区。关于第二半导体区的活性化的杂质浓度的相对于半导体衬底在衬底面方向上的积分值即电荷量、与关于第一半导体区的活性化的杂质浓度的相对于半导体衬底在衬底面方向上的积分值即电荷量之差，总是为正数，且从第二半导体区的两端的接合面中的半导体衬底侧的第一接合面的深度朝向第二半导体区的两端的接合面中的与第一接合面相反一侧的第二接合面的深度增加。
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公开(公告)号：CN102403315A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110066839.1
申请日：2011-03-18
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/04
CPC classification number: H01L29/7839 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/0878 , H01L29/402 , H01L29/407 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7806 , H01L29/7811 , H01L29/7813
Abstract: 本发明提供一种降低场效应型晶体管部的通态电阻并且抑制了肖特基势垒二极管部的漏泄电流的半导体装置。具备：第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层，设置在第一半导体层的上方；第一导电型的第三半导体层，设置在第二半导体层的上方；填充电极，隔着第一绝缘膜设置在第一沟槽内；控制电极，在第一沟槽内隔着第二绝缘膜设置在填充电极的上方；第二导电型的第四半导体层，连接于第二沟槽的下端，选择性地设置在第一半导体层内；第一主电极，与第一半导体层电连接；以及第二主电极，设置在第二沟槽内，与第二半导体层、第三半导体层、第四半导体层连接。填充电极与第二主电极或控制电极电连接，在第二沟槽的侧壁形成有由第二主电极和第一半导体层构成的肖特基结。
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公开(公告)号：CN102339861A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110113071.9
申请日：2011-03-18
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0865 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/42372 , H01L29/66734
Abstract: 本发明的实施方式的半导体装置具备：第一导电型的第一半导体层；第一导电型的第二半导体层和第二导电型的第三半导体层，在大致平行于上述第一半导体层主面的方向上交替地设置在上述第一半导体层之上；第二导电型的第四半导体层，设置在上述第二半导体层和上述第三半导体层之上；第一导电型的第五半导体层，选择性地设置在上述第四半导体层的表面上；控制电极，隔着绝缘膜设置在从上述第五半导体层表面贯通上述第四半导体层地与上述第二半导体层相连的槽内；第一主电极，与上述第一半导体层连接；第二主电极，与上述第四半导体层和上述第五半导体层连接；和第一导电型的第六半导体层，设置在上述第四半导体层与第二半导体层之间。上述第六半导体层的杂质浓度高于上述第二半导体层的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN102194858A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110050910.7
申请日：2011-03-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本实施方式的半导体装置包括：第一导电型的第一半导体区域；第一导电型的第二半导体区域，形成在所述第一半导体区域的一主面上；第一主电极，形成在所述第一半导体区域的成为所述一主面相反侧的另一主面侧；第二导电型的第三半导体区域，选择性地形成在所述第二半导体区域的成为所述第一半导体区域相反侧的主面；第二主电极，以与所述第三半导体区域接合的方式形成；及第二导电型的多个埋入半导体区域，设置在所述第二半导体区域中成为在所述第一主电极与所述第二主电极之间形成着主电流路径的元件区域的外侧的终端区域。所述埋入半导体区域从所述元件区域越向外侧而离所述第二半导体区域的形成着所述第三半导体区域的主面越远。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101866921A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200911000119.4
申请日：2009-11-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0634 , H01L29/0638 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/41741 , H01L29/7395 , H01L29/7811 , Y10S257/901
Abstract: 在元件部和终端部具有超结结构的纵型的功率半导体装置中，在超结结构的外周部表面上形成n型杂质层。由此，能够降低超结结构区的外周部表面的电场。因此，能够提供高耐压且高可靠性的纵型功率半导体装置。
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公开(公告)号：CN102339861B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201110113071.9
申请日：2011-03-18
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0865 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/42372 , H01L29/66734
Abstract: 本发明的实施方式的半导体装置具备：第一导电型的第一半导体层；第一导电型的第二半导体层和第二导电型的第三半导体层，在大致平行于上述第一半导体层主面的方向上交替地设置在上述第一半导体层之上；第二导电型的第四半导体层，设置在上述第二半导体层和上述第三半导体层之上；第一导电型的第五半导体层，选择性地设置在上述第四半导体层的表面上；控制电极，隔着绝缘膜设置在从上述第五半导体层表面贯通上述第四半导体层地与上述第二半导体层相连的槽内；第一主电极，与上述第一半导体层连接；第二主电极，与上述第四半导体层和上述第五半导体层连接；和第一导电型的第六半导体层，设置在上述第四半导体层与第二半导体层之间。上述第六半导体层的杂质浓度高于上述第二半导体层的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN102194858B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201110050910.7
申请日：2011-03-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本实施方式的半导体装置包括：第一导电型的第一半导体区域；第一导电型的第二半导体区域，形成在所述第一半导体区域的一主面上；第一主电极，形成在所述第一半导体区域的成为所述一主面相反侧的另一主面侧；第二导电型的第三半导体区域，选择性地形成在所述第二半导体区域的成为所述第一半导体区域相反侧的主面；第二主电极，以与所述第三半导体区域接合的方式形成；及第二导电型的多个埋入半导体区域，设置在所述第二半导体区域中成为在所述第一主电极与所述第二主电极之间形成着主电流路径的元件区域的外侧的终端区域。所述埋入半导体区域从所述元件区域越向外侧而离所述第二半导体区域的形成着所述第三半导体区域的主面越远。
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公开(公告)号：CN102623499A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210017576.X
申请日：2012-01-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L29/0619 , H01L29/0634 , H01L29/0865 , H01L29/0878 , H01L29/0882 , H01L29/1095 , H01L29/42356 , H01L29/42368 , H01L29/42372 , H01L29/4238 , H01L29/7395
Abstract: 实施方式的半导体元件具备：第1导电型的第1半导体层、第1导电型的第2半导体层、第2导电型的第3半导体层、第1导电型的第4半导体层、第1控制电极、引出电极、第2控制电极、第3控制电极。上述第1控制电极与上述第2半导体层、上述第3半导体层以及上述第4半导体层隔着第1绝缘膜对置。上述引出电极与上述第1控制电极电连接，设置在上述第2半导体层之上。上述第2控制电极以及上述第3控制电极与上述引出电极电连接，在上述引出电极下隔着第2绝缘膜与上述第2半导体层对置。在上述引出电极下的上述第2半导体层的表面没有设置上述第3半导体层。上述第2控制电极的电阻比上述第3控制电极的电阻高。
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公开(公告)号：CN102412273A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110066867.3
申请日：2011-03-18
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/423 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/84 , H01L29/0619 , H01L29/402 , H01L29/42372 , H01L29/66712 , H01L2224/40245 , H01L2224/40479 , H01L2224/40499 , H01L2224/4103 , H01L2224/84203 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2224/37099
Abstract: 本发明提供半导体装置，具有：第一主电极，与第一导电型的第一半导体区域及在上述第一半导体区域的表面选择性地设置的第二导电型的第二半导体区域电连接；控制电极，与上述第一半导体区域之间隔着第一绝缘膜地设置；以及引出电极，与上述控制电极电连接。还具有：第二绝缘膜，设在上述第一主电极及上述引出电极的上方；以及多个接触电极，设置在形成于上述第二绝缘膜的多个第一接触孔的内部，与上述引出电极电连接。通过上述第二绝缘膜与上述第一主电极电绝缘的控制端子，覆盖上述引出电极、以及上述第一主电极中的设置在上述第一半导体区域上方、上述第二半导体区域上方、上述控制电极上方的部分，与上述多个接触电极电连接。
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