公开(公告)号：CN108735811A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810177242.6

申请日：2018-03-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 清水达雄 ,  斋藤尚史 ,  大野浩志 ,  米原健矢

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/2258 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/778 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置、电源电路以及计算机。提供阈值电压的变动得到抑制的可靠性高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：氮化物半导体层、栅电极、位于氮化物半导体层上的第1电极、位于氮化物半导体层上且在与第1电极之间有栅电极的第2电极以及位于氮化物半导体层与栅电极之间且具有包含Al和B中的至少任一个元素、Ga及Si的第1氧化物区域的栅极绝缘层，在将第1氧化物区域的氮化物半导体层侧的端部设为第1端部、第1氧化物区域的栅电极侧的端部设为第2端部、第1端部与第2端部间的距离设为d1、从第1端部向第2端部的方向分开d1/10的位置设为第1位置时，第1位置中的镓的原子浓度是至少任一个元素的原子浓度的80％以上120％以下。

公开(公告)号：CN108321198A

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201710766840.2

申请日：2017-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 清水达雄 ,  斋藤尚史 ,  大野浩志

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/408 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明涉及半导体装置、电源电路、计算机和半导体装置的制造方法，提供能够抑制电流崩塌的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第一氮化物半导体层，包含Ga；第二氮化物半导体层，设置于第一氮化物半导体层上，带隙比第一氮化物半导体层大，包含Ga；第一电极及第二电极，设置于第一氮化物半导体层上且与第一氮化物半导体层电连接；栅电极，设置于第一电极与第二电极之间；导电层，设置于第二氮化物半导体层上，与第二电极之间的第一距离小于第二电极与栅电极之间的第二距离，与第一电极或者栅电极电连接；第一氧化铝层，设置于栅电极与第二电极之间，设置于第二氮化物半导体层与导电层之间；氧化硅层；以及第二氧化铝层。

公开(公告)号：CN104064598A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201310737010.9

申请日：2013-12-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藏口雅彦 ,  吉冈启 ,  汤元美树 ,  斋藤尚史 ,  大麻浩平 ,  杉山亨

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L23/291 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 实施方式的半导体装置，具备：氮化物半导体层；在氮化物半导体层上形成的栅电极；在氮化物半导体层上形成的源电极；在氮化物半导体层上相对于栅电极而与源电极相反的一侧形成的漏电极；在漏电极与栅电极之间的氮化物半导体层上形成的第一氮化硅膜；以及形成在氮化物半导体层与栅电极之间、硅对氮的原子比低于上述第一氮化硅膜的第二氮化硅膜。