发光元件及其制造方法
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101051663A

    公开(公告)日:2007-10-10

    申请号:CN200710008395.X

    申请日:2002-12-27

    CPC classification number: H01L33/22 H01L21/0271

    Abstract: 本发明在发光元件等的表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构,由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状,由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的,凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此,可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。这种发光元件表面是通过以下方式形成的:采用一种树脂组合物在发光元件表面上形成薄膜,该树脂组合物含有嵌段共聚物或者接枝共聚物并且通过自组织形成微相分离结构,然后将在表面上形成的该薄膜的微相分离结构中的至少一个相选择性地除去,采用该剩余相作为腐蚀掩模对该发光元件的表面进行腐蚀。

    半导体发光器件
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1917242A

    公开(公告)日:2007-02-21

    申请号:CN200610115582.3

    申请日:2006-08-15

    CPC classification number: H01L33/20 H01L33/387

    Abstract: 本发明的LED芯片包括:圆柱形GaP基片,其中在其外壁表面中形成了锥形部分,该锥形部分的外形在朝着上底面一侧变窄;上表面电极,置于GaP基片的上底面;发光层,置于GaP基片的下底面;以及下表面电极,置于相对于发光层而言与GaP基片相对置的一表面,该下表面电极排列在与上表面电极相对的区域以外的环形区域中。

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