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公开(公告)号：CN116632063A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202210781346.4
申请日：2022-07-04
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 根据一实施方式半导体装置具备：第一电极；第一导电型的第一半导体区域；第二导电型的第二半导体区域；第一导电型的第三半导体区域；第一导电部；第一栅极电极；第二导电部；第二栅极电极；第一连接部；以及第二电极。第一导电部隔着第一绝缘部设于第一半导体区域之中。第一栅极电极在与第一方向垂直的第二方向上与第二半导体区域面对，第一方向是从第一电极朝向第一半导体区域的方向。第二导电部隔着第二绝缘部设于第一半导体区域之中。第二栅极电极在第二方向上与第二半导体区域面对。第一连接部设于比第二半导体区域以及第三半导体区域靠上方的位置，与第一栅极电极以及第二栅极电极相接。第二电极设于第二半导体区域以及第三半导体区域之上。
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公开(公告)号：CN115775833A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202111611750.9
申请日：2021-12-27
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/40 , H01L29/417
Abstract: 实施方式提供能够调整源极电阻的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第一电极；第二电极；半导体部件，设置于所述第一电极与所述第二电极之间；第三电极；多个第四电极；以及第五电极。所述第三电极设置于所述半导体部件内，在与从所述第一电极朝向所述第二电极的第一方向正交的第二方向上延伸。所述第四电极与所述第二电极连接，沿着所述第二方向被设置有多个。所述第五电极设置于所述半导体部件内的所述第一电极与所述多个第四电极之间，沿所述第二方向延伸，与所述多个第四电极连接，与所述第一电极分离。
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公开(公告)号：CN115050832A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202110811138.X
申请日：2021-07-19
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 实施方式主要涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具有第一电极、第二电极、第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域、导电部、第一绝缘部、栅极电极、第二绝缘部以及第三绝缘部。第一半导体区域设置于第一电极与第二电极之间。第二半导体区域设置于第一半导体区域与第二电极之间。第三半导体区域设置于第二半导体区域与第二电极之间。导电部具有第一导电部和设置于第二电极侧且具有比第一导电部小的杂质浓度的第二导电部。第一绝缘部设置于第一导电部与第一半导体区域之间。栅极电极设置于第二半导体区域与第二导电部之间。第二绝缘部设置于第二导电部与栅极电极之间。第三绝缘部设置于第二半导体区域与栅极电极之间。
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公开(公告)号：CN109524466B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201810160548.0
申请日：2018-02-27
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式的半导体装置具备漏极层、漂移层、基底区域、源极区域、沟槽、基底接触件区域、栅极区域及场板电极。漏极层在第1方向及第2方向上扩展。漂移层形成于上述漏极层的表面。基底区域形成于上述漂移层的表面。源极区域形成于上述基底区域的表面。沟槽形成为阵列状，从上述源极区域的表面贯通上述基底区域并到达上述漂移层。基底接触件区域沿着上述第2方向而形成，与上述沟槽不邻接地从上述源极区域的表面连接到上述基底区域。栅极区域在上述沟槽的内壁隔着绝缘膜而形成。场板电极在上述栅极区域的内侧隔着绝缘膜而形成，并形成为比上述栅极区域长。
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公开(公告)号：CN111697074A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910728972.5
申请日：2019-08-08
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置具有第一电极、第一导电形的第一半导体区域、第二导电形的多个第二半导体区域、第一导电形的多个第三半导体区域、第一导电部、栅极电极、第二绝缘部和第二电极。第一导电部隔着第一绝缘部而设置在第一半导体区域中。栅极电极具有第一电极部分及第二电极部分。第二绝缘部在第一方向上设置在第一电极部分和第二电极部分之间。第二绝缘部包含第一绝缘部分和第二绝缘部分。第一绝缘部分越向第二方向则第一方向上的长度越短。第二绝缘部分位于第一绝缘部分之上，包含朝向第二方向而第一方向上的长度变长或一定的部分。第一绝缘部分的第二方向上的长度与第二绝缘部分的第二方向上的长度相比更长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119698028A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202311717300.7
申请日：2023-12-14
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式涉及半导体装置。半导体装置具备第一～第四电极、第一～第四半导体区域和第一、第二绝缘部。第三电极包含沿第二方向延伸且在第三方向上与第二半导体区域并列的第一电极区域、沿第三方向延伸且在第二方向上与第二半导体区域并列的第二电极区域和将第一电极区域与第二电极区域连接的第三电极区域。第一绝缘部包括包含第一、第二绝缘部分的第一绝缘区域、包含第三、第四绝缘部分的第二绝缘区域和包含第五、第六绝缘部分的第三绝缘区域。第六绝缘部分在第一方向上设于第一半导体区域与第三电极区域之间。第四电极在第二、第三方向上与第一半导体区域及第三电极并列。第四半导体区域设于第六绝缘部分之下。
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公开(公告)号：CN119545872A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411735025.6
申请日：2020-08-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：半导体部、设置于半导体部的背面上的第一电极、设置于半导体部的表面上的第二电极、以及控制电极，在半导体部与第二电极之间配置于设置于半导体部的沟槽的内部，通过第一绝缘膜与半导体部电绝缘，通过第二绝缘膜与第二电极电绝缘。控制电极包括设置于从第一绝缘膜以及第二绝缘膜分离的位置的第三绝缘膜。半导体部包括第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二半导体层、以及第一导电型的第三半导体层。第一层在第一电极与第二电极之间延伸。第二层设置于第一层与第二电极之间。第三层选择性地设置于第二层与第二电极之间。
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公开(公告)号：CN117747658A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211662621.7
申请日：2022-12-23
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 一种半导体装置，具备：第1电极；第1导电形的第1半导体区域，设置在第1电极的上方，与第1电极电连接；第2导电形的第2半导体区域，设置在第1半导体区域上；第1导电形的第3半导体区域，设置在第2半导体区域上；第2电极，隔着第1绝缘膜设置在第1半导体区域中；第3电极，在第2方向上，隔着第1半导体区域的一部分、第2及第3半导体区域以及第2绝缘膜与第1绝缘膜对置；第4电极，在第2方向上具有与第2半导体区域的一部分以及第3半导体区域相邻的部分，与第2电极、第2及第3半导体区域电连接；以及第5电极，设置在第1绝缘膜中，底部位于比部分的底部靠第1电极侧的位置，顶部位于第1绝缘膜的上表面，与第4电极电连接。
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公开(公告)号：CN117747635A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202310094752.8
申请日：2023-02-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置具备第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域及第三半导体区域、第一导电型的第四半导体区域、栅极电极及第二电极。第四半导体区域包含位于第三半导体区域之上的第一部分和在与从第一电极朝向第一半导体区域的第一方向垂直的第二方向上与第一部分并排的第二部分。第一部分的第一导电型的杂质浓度低于第二部分的第一导电型的杂质浓度。栅极电极在第二方向上隔着栅极绝缘层与第二半导体区域相对。第二电极包含在第二方向上与第二半导体区域的一部分及第三半导体区域相接的连接部。第二电极设置在第二半导体区域及第四半导体区域之上。第二电极与第一部分及第二部分相接。
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公开(公告)号：CN116646396A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202210768821.4
申请日：2022-06-30
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 根据一实施方式，半导体装置具备第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域、导电体、栅极电极和第二电极。第一半导体区域设于第一电极之上。第二半导体区域设于第一半导体区域之上。第三半导体区域设于第二半导体区域的一部分之上。导电体经由绝缘部设于第一半导体区域中。导电体的下表面包含第一面和第二面，第一面平行于与从第一电极朝向第一半导体区域的第一方向正交的第二方向，第二面与第一面相连，且相对于第一方向以及第二方向倾斜。栅极电极设于绝缘部中，且在第二方向上隔着栅极绝缘层与第二半导体区域相对。第二电极设于第二半导体区域以及第三半导体区域之上。
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