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公开(公告)号：CN114203815B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202110176290.5
申请日：2021-02-07
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式提供能够减少导通电阻的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域、绝缘部、导电部、栅极电极、以及第二电极。绝缘部在与从第一电极朝向第一半导体区域的第一方向垂直的第二方向上与第一半导体区域的一部分、第二半导体区域以及第三半导体区域并排。绝缘部包含沿第一方向交替地设置的多个第一绝缘部分以及多个第二绝缘部分。各个第一绝缘部分的第二方向上的外径比各个第二绝缘部分的第二方向上的外径长。导电部设于绝缘部中，在第二方向上与第一半导体区域并排。栅极电极设于绝缘部中，在第二方向上与第二半导体区域并排。
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公开(公告)号：CN116646396A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202210768821.4
申请日：2022-06-30
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 根据一实施方式，半导体装置具备第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域、导电体、栅极电极和第二电极。第一半导体区域设于第一电极之上。第二半导体区域设于第一半导体区域之上。第三半导体区域设于第二半导体区域的一部分之上。导电体经由绝缘部设于第一半导体区域中。导电体的下表面包含第一面和第二面，第一面平行于与从第一电极朝向第一半导体区域的第一方向正交的第二方向，第二面与第一面相连，且相对于第一方向以及第二方向倾斜。栅极电极设于绝缘部中，且在第二方向上隔着栅极绝缘层与第二半导体区域相对。第二电极设于第二半导体区域以及第三半导体区域之上。
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公开(公告)号：CN115020493A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202110922399.9
申请日：2021-08-12
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 实施方式涉及半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备半导体部、第一～第三电极以及控制电极。所述第一电极设于所述半导体部的背面上，所述第二电极设于所述半导体部的表面侧。所述第三电极以及所述控制电极设于所述半导体部的沟槽的内部。所述控制电极包含第一控制部和第二控制部。所述半导体装置还具备第一～第三绝缘膜。所述第一绝缘膜设于所述控制电极与所述半导体部之间。所述第二绝缘膜覆盖所述第一控制部及所述第二控制部，所述第三绝缘膜设于所述第二电极与所述第二绝缘膜之间。所述第三绝缘膜包含在所述第一控制部与所述第二控制部之间延伸的部分，所述第三电极位于所述第一电极与所述第三绝缘膜的所述延伸的部分之间。
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公开(公告)号：CN114203815A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202110176290.5
申请日：2021-02-07
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 实施方式提供能够减少导通电阻的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域、绝缘部、导电部、栅极电极、以及第二电极。绝缘部在与从第一电极朝向第一半导体区域的第一方向垂直的第二方向上与第一半导体区域的一部分、第二半导体区域以及第三半导体区域并排。绝缘部包含沿第一方向交替地设置的多个第一绝缘部分以及多个第二绝缘部分。各个第一绝缘部分的第二方向上的外径比各个第二绝缘部分的第二方向上的外径长。导电部设于绝缘部中，在第二方向上与第一半导体区域并排。栅极电极设于绝缘部中，在第二方向上与第二半导体区域并排。
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