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公开(公告)号：CN117747635A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202310094752.8
申请日：2023-02-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置具备第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域及第三半导体区域、第一导电型的第四半导体区域、栅极电极及第二电极。第四半导体区域包含位于第三半导体区域之上的第一部分和在与从第一电极朝向第一半导体区域的第一方向垂直的第二方向上与第一部分并排的第二部分。第一部分的第一导电型的杂质浓度低于第二部分的第一导电型的杂质浓度。栅极电极在第二方向上隔着栅极绝缘层与第二半导体区域相对。第二电极包含在第二方向上与第二半导体区域的一部分及第三半导体区域相接的连接部。第二电极设置在第二半导体区域及第四半导体区域之上。第二电极与第一部分及第二部分相接。
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