公开(公告)号：CN111247625A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201780096121.2

申请日：2017-12-21

Applicant: 极光先进雷射株式会社 ,  国立大学法人九州大学

Inventor： 若林理 ,  池上浩 ,  老泉博昭

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/268

Abstract: 一种激光掺杂和后退火用的激光照射系统，其具有：A.激光装置，其产生紫外线区域的脉冲激光；B.载台，其使在半导体基板上形成至少包含作为掺杂剂的杂质元素的杂质源膜而构成的被照射物在至少1个扫描方向上移动；以及C.光学系统，其包含均束器，该均束器将脉冲激光的射束形状整形为矩形，生成沿扫描方向的第1射束宽度不同且与扫描方向垂直的第2射束宽度相同的激光掺杂用射束和后退火用射束。

公开(公告)号：CN114787969A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202080084865.4

申请日：2020-12-15

Applicant: 株式会社V技术 ,  国立大学法人九州大学

Inventor： 后藤顺 ,  斋藤香织 ,  池上浩

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的多晶膜具备多个晶粒沿着膜面方向以相互邻接的方式均匀地配置且在划分相互邻接的一对所述晶粒彼此的晶界面中的所述膜面方向上的两端部配置有非晶体生长区域的结构。根据本发明，能够实现具有表面平坦性并具备均匀且稳定的电特性及高的机械特性的多晶硅薄膜、铝薄膜、铜薄膜等多晶膜、多晶膜的形成方法、用于多晶膜的制造的激光晶化装置、以及具备多晶膜的具有良好的电特性及高耐压特性的半导体装置。

公开(公告)号：CN112513345A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201880096204.6

申请日：2018-08-01

Applicant: 国立大学法人九州大学 ,  国立大学法人九州工业大学 ,  OSG株式会社

Inventor： 池上浩 ,  吉武刚 ,  片宗优贵 ,  村泽功基

IPC: C30B29/04 ,  B23K26/352 ,  C30B33/00

Abstract: 检测产生烧蚀的阈值能量密度Es，以基于该阈值能量密度Es设定的平滑化照射能量密度Ef进行平滑化处理，因此，即使产生烧蚀的阈值能量密度Es由于多晶金刚石膜的晶体尺寸、品位、掺杂元素等而不同，也能够始终以可产生烧蚀的平滑化照射能量密度Ef适当地进行平滑化处理。另外，平滑化照射能量密度Ef设定为阈值能量密度Es的1倍～15倍的范围内这一较低值，因此，抑制激光向多晶金刚石膜的内部的透射，优先抛光除去凹凸表面的凸部，能够以自凹凸表面至凹陷部的底部的抛光量及改性层厚度的合计尺寸为2.0μm以下这一较少的量，并且表面粗糙度Ra为0.2μm以下的方式进行平滑化处理。

公开(公告)号：CN105914140B

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201610105791.3

申请日：2016-02-25

Applicant: 国立大学法人九州大学 ,  富士电机株式会社

Inventor： 池田晃裕 ,  池上浩 ,  浅野种正 ,  井口研一 ,  中泽治雄 ,  吉川功

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种杂质导入方法，其以超过热力学平衡浓度的高浓度向杂质元素的扩散系数极小的固体材料导入杂质元素。杂质导入方法包括：以考虑到光脉冲的每1次的照射时间(τ)和光脉冲的能量密度F而确定的膜厚(tf)，在由固体材料构成的对象物(半导体基板)的表面上堆积含有杂质元素的杂质源膜的步骤(S1～S4)；和以照射时间(τ)和能量密度(F)向杂质源膜照射光脉冲，以超过热力学平衡浓度的浓度向对象物导入杂质元素的步骤(S5)。

公开(公告)号：CN105914140A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610105791.3

申请日：2016-02-25

Applicant: 国立大学法人九州大学 ,  富士电机株式会社

Inventor： 池田晃裕 ,  池上浩 ,  浅野种正 ,  井口研一 ,  中泽治雄 ,  吉川功

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/0455 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/0495 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/268 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/167 ,  H01L29/34 ,  H01L29/401 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/872 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明提供一种杂质导入方法，其以超过热力学平衡浓度的高浓度向杂质元素的扩散系数极小的固体材料导入杂质元素。杂质导入方法包括：以考虑到光脉冲的每1次的照射时间(τ)和光脉冲的能量密度F而确定的膜厚(tf)，在由固体材料构成的对象物(半导体基板)的表面上堆积含有杂质元素的杂质源膜的步骤(S1～S4)；和以照射时间(τ)和能量密度(F)向杂质源膜照射光脉冲，以超过热力学平衡浓度的浓度向对象物导入杂质元素的步骤(S5)。