公开(公告)号：CN114787969A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202080084865.4

申请日：2020-12-15

Applicant: 株式会社V技术 ,  国立大学法人九州大学

Inventor： 后藤顺 ,  斋藤香织 ,  池上浩

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的多晶膜具备多个晶粒沿着膜面方向以相互邻接的方式均匀地配置且在划分相互邻接的一对所述晶粒彼此的晶界面中的所述膜面方向上的两端部配置有非晶体生长区域的结构。根据本发明，能够实现具有表面平坦性并具备均匀且稳定的电特性及高的机械特性的多晶硅薄膜、铝薄膜、铜薄膜等多晶膜、多晶膜的形成方法、用于多晶膜的制造的激光晶化装置、以及具备多晶膜的具有良好的电特性及高耐压特性的半导体装置。

公开(公告)号：CN111052311A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880058153.8

申请日：2018-08-24

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸 ,  畑中诚 ,  泷本政美 ,  斋藤香织

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20

Abstract: 算出与进行退火的处理区域接近的未被照射激光的非处理区域的层叠结构的各构成膜的膜厚计算值，通过处理区域的第二分光谱测量值与根据膜厚计算值而计算的第二分光谱计算值的拟合，算出处理区域的结晶化水平，调整对于下次进行激光退火处理的TFT基板照射的激光的激光能量。