-
-
公开(公告)号：CN111051933A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880053482.3
申请日：2018-08-07
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: G02B5/20 , C30B7/00 , F21S2/00 , F21S41/20 , F21S41/37 , F21V7/30 , F21V9/20 , H01L33/50 , H01S5/022 , F21Y115/10 , F21Y115/20 , F21Y115/30
Abstract: 本申请的波长转换构件具备：基板；荧光体层，其具有包含氧化锌的基体和埋入基体中的荧光体粒子，且通过基板来支撑；电介体层，其配置于基板与荧光体层之间；和保护层，其配置于荧光体层与电介体层之间，等电点为7以上。基板的主表面例如包含第1区域和第2区域。荧光体层例如将第1区域及第2区域中的仅第1区域覆盖。
-
公开(公告)号：CN106374027B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201610346548.0
申请日：2016-05-24
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明提供一种可以抑制波长转换部件内的光的波导、具有高亮度、高发光效率的光源装置。光源装置含有：半导体发光元件、和将来自上述半导体发光元件的出射光的一部分进行波长转换的波长转换部件。上述波长转换部件含有：基板、配置于上述基板上的荧光体层、和配置于上述基板上、并且配置于上述荧光体层的周围的光反射层。上述荧光体层含有：荧光体粒子、和包埋上述荧光体粒子的第一基质材料。上述光反射层含有：无机化合物粒子、和包埋上述无机化合物粒子的第二基质材料。上述无机化合物粒子的折射率比上述第一基质材料的折射率高，上述第一基质材料的折射率比上述荧光体粒子的折射率高，上述荧光体粒子的折射率比上述第二基质材料的折射率高。
-
公开(公告)号：CN110352368A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201880015139.X
申请日：2018-02-09
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明的波长转换构件(10)具备：第一基体(22)；埋入第一基体(22)的荧光体粒子(23)；和选自埋入第一基体(22)的第一填料粒子(24)及分别覆盖荧光体粒子(23)的表面的表面覆盖层(25)中的至少一者。在第一基体(22)的折射率为n1、荧光体粒子(23)的折射率为n2、第一填料粒子(24)的折射率为n3、表面覆盖层(25)的折射率为n4时，波长转换构件(10)满足选自|n3-n1|＞|n1-n2|及|n4-n1|＞|n1-n2|中的至少1个关系。
-
公开(公告)号：CN105423238A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510510691.4
申请日：2015-08-19
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
CPC classification number: G03B21/204 , G02B27/141 , G03B21/2066 , H01L2933/0041 , H01S5/0092 , C23C8/00 , C23C28/32 , C23C28/345 , G03B21/206
Abstract: 本发明提供波长变换部件、发光装置、投影机、以及波长变换部件的制造方法。所述波长变换部件，具备：基板；分色镜层，被设置在基板上，且使来自上方的光的至少一部分反射；SiO2层，被设置在分色镜层上；ZnO层，被设置在SiO2层上；以及被设置在ZnO层上的含有多个荧光体的荧光体层，在荧光体层中，在多个荧光体之间设置ZnO。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115769313A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202180044028.3
申请日：2021-06-08
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01B1/06 , C01G9/00 , H01M10/0562 , C01F17/36
Abstract: 本公开的固体电解质材料由Li、M1、M2以及X形成，其中，M1为选自Ca、Mg以及Zn中的至少2个，M2为选自Y、Gd以及Sm中的至少1个，X为选自F、Cl、Br以及I中的至少1个。
-
公开(公告)号：CN111051933B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201880053482.3
申请日：2018-08-07
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: G02B5/20 , C30B7/00 , F21K9/64 , F21S41/20 , F21S41/37 , F21V7/30 , F21V9/20 , H01L33/50 , H01S5/022 , F21Y115/10 , F21Y115/20 , F21Y115/30
Abstract: 本申请的波长转换构件具备：基板；荧光体层，其具有包含氧化锌的基体和埋入基体中的荧光体粒子，且通过基板来支撑；电介体层，其配置于基板与荧光体层之间；和保护层，其配置于荧光体层与电介体层之间，等电点为7以上。基板的主表面例如包含第1区域和第2区域。荧光体层例如将第1区域及第2区域中的仅第1区域覆盖。
-
公开(公告)号：CN106369371A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610341275.0
申请日：2016-05-23
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: F21K9/64 , F21K9/90 , H01L33/50 , C09K11/02 , F21Y115/10 , F21Y115/30
Abstract: 本发明要解决的问题是提高来自光源装置的出射光的能量密度。本发明的波长转换部件具备多个荧光体粒子和基质，所述基质位于所述多个荧光体粒子之间，由氧化锌的多个晶体构成，且在上述多个晶体中的至少1个晶体的内部具有多个细孔。光源装置为包含例如半导体发光元件和将来自所述半导体发光元件的出射光进行波长转换的本公开的波长转换部件的光源装置，且所述半导体发光元件的发光峰值波长为420nm以上且470nm以下。
-
公开(公告)号：CN104603530B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201480002277.6
申请日：2014-06-04
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: F21V9/16 , C09K11/00 , C09K11/08 , F21S8/10 , H01L33/50 , H01L33/64 , H01S5/022 , F21W101/10 , F21Y115/10
CPC classification number: F21V9/00 , F21K9/61 , F21K9/64 , F21S41/14 , F21S41/16 , F21S45/47 , F21V9/30 , F21V29/70 , F21V29/89 , F21Y2101/00 , F21Y2115/30 , H01L33/50 , H01L33/507 , H01L33/644 , H01S5/005
Abstract: 波长变换构件(10A)具备：热传导单元(17)，其具有凹部；导光路(18)，其贯通热传导单元(17)，具有设置于凹部侧的光的出射口以及设置于与凹部相反的一侧的光的入射口；和波长变换单元(14)，其至少一部分埋入凹部，与热传导单元(17)相接而设置，将通过导光路(18)而入射的第1光变换为不同波长的第2光。波长变换单元(14)的与热传导单元(17)相接的部分的面积大于导光路(18)的出射口面积。导光路(18)由填充于贯通热传导单元(17)的开口部的、热传导率比空气大的透明材料构成。
-
公开(公告)号：CN103534824B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201380001356.0
申请日：2013-05-15
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
CPC classification number: F21K9/56 , C09K11/08 , F21K9/64 , G03B21/14 , G03B21/204 , G03B33/06 , G03B33/12 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/16195 , H01L2924/3025 , H01S5/005 , H01S5/02296 , H05B33/10 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种波长变换元件，具有多个荧光体粒子和含有由位于所述多个荧光体粒子之间的氧化锌构成的基体的荧光体层，氧化锌是c轴取向的柱状结晶或单晶。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
27
records
(took 0.024 seconds)
