公开(公告)号：CN1957113A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200580016841.0

申请日：2005-05-16

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 关和光 ,  吉江崇 ,  吴宗昭

IPC: C25D7/00 ,  H01L23/50

CPC classification number: C25D5/10 ,  C25D5/16 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 在半导体封装的外部镀敷结构中，采用Pd或Pd合金膜作为材料代替作为焊接金属的常规焊料镀敷。提供了高度可靠的半导体元件外部镀敷结构，而不引起例如由须等导致的端子之间的短路的问题。在该外部镀敷结构中，在使用铜或铜合金材料的所述半导体元件的所述外部连接端子(10，12)的表面上，使用Pd或Pd合金(26)，代替作为焊接金属的常规焊料镀敷。在形成具有小于等于0.3μm厚度的镀敷膜的情况下，在所述材料与所述镀敷的Pd或Pd合金层之间进行镀敷，而在它们之间不具有基层或中间金属层。在所述镀敷膜上，根据情况，进一步形成具有小于等于0.1μm厚度的Au或Au合金镀敷(28)。

公开(公告)号：CN1774803A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200580000327.8

申请日：2005-04-19

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 关和光 ,  吉江崇 ,  门崎幸一

IPC: H01L23/50

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种用于半导体器件的Pd－PPF结构的引线框架，包括内引线和外引线，其中构成所述引线框架的衬底的整个表面或至少所述外引线具有复合镀层，所述复合镀层包括由在构成所述引线框架的所述衬底的所述整个表面上或在至少所述外引线上沉积的基于Ni的镀层构成的下层，在所述下层的上表面上沉积的厚度为0.005至0.01μm的Pd或Pd合金镀层，以及在所述Pd或Pd合金镀层的上表面上沉积的厚度为0.02至0.1μm的Au镀层。当通过利用无铅的基于Sn－Zn焊料或任何其它无铅焊料在封装衬底上安装半导体器件时，改善了所述引线框架与所述无铅的基于Sn－Zn的焊料或任何其它无铅焊料之间的润湿性，从而改善了所述半导体器件的封装特性。

公开(公告)号：CN1190840C

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN00800926.0

申请日：2000-03-24

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 关和光 ,  吉江崇 ,  佐藤晴信

IPC: H01L23/50

Abstract: 一种在树脂密封式半导体装置中使用的由铜或铜合金构成的半导体装置用引线框架，具备：由铜或铜合金构成的引线框架本体；在该引线框架本体上边形成，用由锌或铜-锌合金构成的下层和由厚度0.02～0.4微米的铜构成的上层构成的2层的基底电镀皮膜；和在由该基底电镀皮膜的该铜构成的上层的至少内部引线的金属丝键合部分上边形成的贵金属电镀皮膜。该引线框架与密封树脂之间的贴紧性优良，也没有贵金属电镀液(特别是银电镀液)的污染、贵金属电镀皮膜的外观也好、耐蚀性和耐湿性都优良、外装镀锡皮膜的外观和贴紧性也好。