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公开(公告)号：CN101828277B
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN200880112223.X
申请日：2008-10-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件及使用它的半导体发光装置。n侧电极呈沿基板的角部或边缘具有比例一定不变的长度的形状，使从n侧电极流向基板的电流分散，来回避n侧电极附近发热。在这种半导体发光器件中，因为存在n侧电极而使发光面积减小。因此，优选设定n侧电极长度为基板全周长度的20％以上且50％以下的值。这么一来，就在导电性基板的一个面上形成有发光层并且在与形成有发光层的一侧相同的一侧形成有n型电极和p型电极的半导体发光装置中，能够回避当供给大功率时在n侧电极附近发热，能够回避发光效率下降。
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公开(公告)号：CN101855735A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200880115867.4
申请日：2008-11-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/60 , H01L24/97 , H01L33/54 , H01L2224/04042 , H01L2224/05111 , H01L2224/05155 , H01L2224/05169 , H01L2224/05573 , H01L2224/0558 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05666 , H01L2224/13 , H01L2224/14 , H01L2224/16225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/12035 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 来自半导体发光元件的光朝着各个方向行进。为此，无法有效地利用朝照明方向以外的方向行进的光。虽然提出了将半导体发光元件的侧面加工成倾斜面并在该侧面上形成反射层的解决方法，但由于是利用蚀刻等方法来形成倾斜面，因而存在加工费时、难于控制倾斜面的问题。为了解决该问题，本发明公开了一种半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法。在次载具上设置半导体发光元件，用密封材密封后，进行在相邻的半导体发光元件之间形成槽的加工。通过向已形成的槽中填充反射材，研磨出光面并进行切割，便能够获得在侧面形成了反射层的半导体发光装置。
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公开(公告)号：CN101821867A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200880111467.6
申请日：2008-09-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 龟井英德
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/16 , H01L33/0095 , H01L33/20 , H01L2224/04042 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/0558 , H01L2224/05618 , H01L2224/05623 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05657 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/05673 , H01L2224/13 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/013
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件及使用它的半导体发光装置以及该半导体发光装置的制造方法。在将化合物半导体层(3)层叠在单晶基板上，再将单晶基板切割成呈长方形的一个个芯片而形成的半导体发光器件(1)中，已切割的单晶基板即个别芯片状基板(2)的长边侧面(21)和(23)形成为与解理面成规定的角度，使得长边侧面(21)和(23)为与单晶基板的结晶结构的解理面不同的面。因此，能够在不增加制造工序的状态下提供能够谋求提高取光效率的半导体发光器件及使用该半导体发光器件的半导体发光装置。
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公开(公告)号：CN1934720A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200580008768.2
申请日：2005-03-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/02 , A61K38/24 , C07K14/59 , F21K9/00 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , A61K2300/00 , H01L2924/00014
Abstract: 在由III－V族氮化物半导体构成的基板(10)的主面上形成有包含发光层(14)的多个半导体层。在发光层(14)和基板(10)之间形成有含有铟的第一n型半导体层(12)，从而可以实现能够缓和基板表面的损坏的影响，且特性一致的半导体发光元件。
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公开(公告)号：CN101473457B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200780022648.7
申请日：2007-06-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/025 , H01L33/0062 , H01L33/12 , H01L33/382
Abstract: 半导体发光元件，实现不降低生产效率，抑制了因缺陷集中区域的半导体发光元件的电特性的恶化。该半导体发光元件，包括具有比其它区域结晶缺陷密度高的缺陷集中区域(11a)的基板(11)。在基板(11)上，形成了半导体层(12)。缺陷集中区域(11a)上，形成了第一电极(13)。半导体层(12)上，形成了第二电极(14)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101432898B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200780015141.9
申请日：2007-04-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 提供能够不增加制造工序，提高取光率的半导体发光元件及晶片。在单结晶基板上叠层化合物半导体层(3)，通过分割单结晶基板单片化形成的半导体发光元件(1)，分割的单结晶基板的单片基板(2)的侧面(21～24)，使其与单结晶基板中的结晶构造的解理面为不同的面，使做为单片基板(2)的基准的侧面(21)，相对于(1-100)面成为15°角。
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公开(公告)号：CN101828277A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200880112223.X
申请日：2008-10-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件及使用它的半导体发光装置。n侧电极呈沿基板的角部或边缘具有比例一定不变的长度的形状，使从n侧电极流向基板的电流分散，来回避n侧电极附近发热。在这种半导体发光器件中，因为存在n侧电极而使发光面积减小。因此，优选设定n侧电极长度为基板全周长度的20％以上且50％以下的值。这么一来，就在导电性基板的一个面上形成有发光层并且在与形成有发光层的一侧相同的一侧形成有n型电极和p型电极的半导体发光装置中，能够回避当供给大功率时在n侧电极附近发热，能够回避发光效率下降。
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公开(公告)号：CN101473457A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200780022648.7
申请日：2007-06-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/025 , H01L33/0062 , H01L33/12 , H01L33/382
Abstract: 半导体发光元件，实现不降低生产效率，抑制了因缺陷集中区域的半导体发光元件的电特性的恶化。该半导体发光元件，包括具有比其它区域结晶缺陷密度高的缺陷集中区域(11a)的基板(11)。在基板(11)上，形成了半导体层(12)。缺陷集中区域(11a)上，形成了第一电极(13)。半导体层(12)上，形成了第二电极(14)。
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公开(公告)号：CN101432898A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780015141.9
申请日：2007-04-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 提供能够不增加制造工序，提高取光率的半导体发光元件及晶片。在单结晶基板上叠层化合物半导体层(3)，通过分割单结晶基板单片化形成的半导体发光元件(1)，分割的单结晶基板的单片基板(2)的侧面(21～24)，使其与单结晶基板中的结晶构造的解理面为不同的面，使做为单片基板(2)的基准的侧面(21)，相对于(1－100)面成为15°角。
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公开(公告)号：CN101335322A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810146096.7
申请日：2002-09-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种荧光体层、半导体发光装置及其制造方法，所述荧光体层，包括荧光体粒子、超微粒子和透光性树脂，其中：所述荧光体粒子被分散在所述荧光体层中，所述超微粒子的一次粒子的平均直径在3nm以上且50nm以下的范围内。据此，使组合了发光元件与所述荧光体层而得到的半导体发光装置的颜色不均匀较少。
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