公开(公告)号：CN101432898B

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200780015141.9

申请日：2007-04-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 龟井英德 ,  品川修一

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/02

Abstract: 提供能够不增加制造工序，提高取光率的半导体发光元件及晶片。在单结晶基板上叠层化合物半导体层(3)，通过分割单结晶基板单片化形成的半导体发光元件(1)，分割的单结晶基板的单片基板(2)的侧面(21～24)，使其与单结晶基板中的结晶构造的解理面为不同的面，使做为单片基板(2)的基准的侧面(21)，相对于(1-100)面成为15°角。

公开(公告)号：CN101432898A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780015141.9

申请日：2007-04-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 龟井英德 ,  品川修一

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/02

Abstract: 提供能够不增加制造工序，提高取光率的半导体发光元件及晶片。在单结晶基板上叠层化合物半导体层(3)，通过分割单结晶基板单片化形成的半导体发光元件(1)，分割的单结晶基板的单片基板(2)的侧面(21～24)，使其与单结晶基板中的结晶构造的解理面为不同的面，使做为单片基板(2)的基准的侧面(21)，相对于(1－100)面成为15°角。