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公开(公告)号：CN1331407A
公开(公告)日：2002-01-16
申请号：CN01124832.7
申请日：2001-06-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01D15/12
CPC classification number: G11B5/66 , G11B5/82 , G11B2005/0002 , G11B2005/001 , Y10S428/90 , Y10T428/115 , Y10T428/12465
Abstract: 本发明提供热波动受到抑制的新的磁记录媒体,以及采用该磁记录媒体的磁记录装置。通过以磁性离子交换方式使M2Oy为主成份的膜与记录信号的磁性膜结合,由此,使磁性膜的有效V与Ku增加,抑制热波动。在这里,M表示是从Fe,Co,Ni,碱土类元素,Y,镧系元素和Bi中选择出的至少1种元素,而且从Fe,Co和Ni中选择出的至少1种是作为必须的元素,y为满足2.8
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公开(公告)号：CN1203561C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN01137152.8
申请日：2001-09-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12 , Y10T29/49034 , Y10T428/1107
Abstract: 本发明的目的是改善磁阻元件的耐热性和磁场移位量。本发明提供了磁阻元件，其中固定磁性层是由至少一层非磁性体层和夹持该非磁性体层的磁性体层形成的多层膜，上述磁性体层通过上述非磁性体层相互静磁结合。该元件具有改善的耐热性。本发明还提供了固定磁性层是上述多层膜并进行静磁结合或者反强磁性结合以发生负的磁结合的磁阻元件。该元件降低了磁场移位量。本发明提供了夹持中间层的磁性层的至少一方是包括以(100)(110)或者(111)面作为取向面的氧化物铁氧体，并在该取向面内导入外部磁场的磁组件。该元件显示出高的磁阻变化率。
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公开(公告)号：CN1343016A
公开(公告)日：2002-04-03
申请号：CN01137152.8
申请日：2001-09-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12 , Y10T29/49034 , Y10T428/1107
Abstract: 本发明的目的是改善磁阻元件的耐热性和磁场移位量。本发明提供了磁阻元件,其中固定磁性层是由至少一层非磁性体层和夹持该非磁性体层的磁性体层形成的多层膜,上述磁性体层通过上述非磁性体层相互静磁结合。该元件具有改善的耐热性。本发明还提供了固定磁性层是上述多层膜并进行静磁结合或者反强磁性结合以发生负的磁结合的磁阻元件。该元件降低了磁场移位量。本发明提供了夹持中间层的磁性层的至少一方是包括以(100)(110)或者(111)面作为取向面的氧化物铁氧体,并在该取向面内导入外部磁场的磁组件。该元件显示出高的磁阻变化率。
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公开(公告)号：CN1230744A
公开(公告)日：1999-10-06
申请号：CN99100206.7
申请日：1999-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B5/3948 , G11B5/3954 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/32 , H01F10/3218 , H01F10/3268 , H01F10/3295 , H01F41/302 , H01L43/10 , Y10S428/90 , Y10T428/1107 , Y10T428/1121
Abstract: 本发明涉及一种交换耦联薄膜,其包括铁磁层和锁定层,所述锁定层与铁磁层相接触以锁定铁磁层的磁化方向,该锁定层包括(AB)2Ox层,其中O代表氧原子;2.8
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公开(公告)号：CN1217529A
公开(公告)日：1999-05-26
申请号：CN98122500.4
申请日：1998-11-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3919 , G11B5/3925 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3218 , H01F10/3263 , H01F10/3268 , H01L43/10
Abstract: 本发明的交换耦合膜包括一衬基和一多层膜。此多层膜包括:一铁磁性层和一邻接此铁磁性层设置的用于抑制此铁磁性层的磁旋的磁旋抑制层;此磁旋抑制层包括一Fe－M－O层(其中M’=Al,Ti,Co,Mn,Cr,Ni或V)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1270323C
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN02812134.1
申请日：2002-06-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/224 , B82Y10/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/5607 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种磁性存储器，该存储器包含按照2个存储器层夹持隧道层的方式沿层厚方向积层的2个以上的存储器层与2个以上的隧道层，所述2个以上的存储器层串联电连接，第一层组的磁化反转所产生的阻抗变化与第二层组的磁化反转所产生的阻抗变化互不相同，其中第一层组是由从所述2个以上的存储器层选择的至少1个构成。
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公开(公告)号：CN1529910A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN02812134.1
申请日：2002-06-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105
CPC classification number: H01L27/224 , B82Y10/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/5607 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种磁性存储器，该存储器包含沿层厚方向积层的2个以上的存储器层与2个以上的隧道层，所述2个以上的存储器层串联电连接，第一层组的磁化反转所产生的阻抗变化与第二层组的磁化反转所产生的阻抗变化互不相同，其中第一层组是由从所述2个以上的存储器层选择的至少1个构成。
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公开(公告)号：CN1488175A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN02803898.3
申请日：2002-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L43/08 , H01L27/105 , G01R33/09 , G11B5/39 , H01F10/193
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01F10/32 , H01F10/3213 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01L27/222 , H01L29/66984
Abstract: 本发明提供由电压驱动的自旋开关，该自旋开关包含：强磁性体、与其磁耦合的磁性半导体、与磁性半导体磁耦合的反强磁性体、和经绝缘体与磁性半导体连接的电极，通过电极电压的变化，磁性半导体在强磁性和顺磁性之间可逆地变化，在使磁性半导体向强磁性变化时，强磁性体通过与所述磁性半导体磁耦合而在规定方向被磁化。
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公开(公告)号：CN1142541C
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN97126174.1
申请日：1997-11-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3133 , G11B5/3903 , G11B5/3951 , G11B2005/3996 , H01F10/324 , H01F10/3268 , H01L43/08
Abstract: 本发明的磁致电阻器件包括：至少两个其间夹有非磁性层而堆叠的磁性层；和形成传导电子的金属反射层，与磁性层的最外两层中至少之一接触。金属反射层与最外磁性层的一个表面接触，该表面与最外磁性层的与非磁性层接触的另一表面相反。在保持电子的自旋方向时金属反射层易于反射传导电子。
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公开(公告)号：CN1126127C
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN95106521.1
申请日：1995-05-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03F7/02 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3925 , G11B2005/3996 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/5607 , G11C2211/5616 , H01F10/3281 , H01L27/222 , H01L43/10
Abstract: 本发明的磁阻效应器件包括：基片；以及在基片上形成的多层结构。多层结构包括硬磁膜，软磁膜，以及用来把硬磁膜和软磁膜隔开的非磁金属膜，硬磁膜的磁化曲线具有好的矩形特性，硬磁膜的易磁化轴的方向基本上和要被检测的磁场的方向一致。
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