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公开(公告)号：CN1348221A
公开(公告)日：2002-05-08
申请号：CN01136117.4
申请日：2001-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/222 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G11B5/3909 , G11B5/3932 , G11B2005/3996 , G11C11/16 , H01L27/22
Abstract: 一种磁阻元件,包括一垂直电流型磁阻元件;用于使一电流流入该垂直电流型磁阻元件的第一导体;和用于使该电流流出该垂直电流型磁阻元件的第二导体,其中该第一导体根据该电流生成第一磁场,该第二导体根据该电流生成第二磁场,该第一导体和第二导体被定位以使第一磁场和第二磁场起到施加在该垂直电流型磁阻元件上的一偏磁场的作用。
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公开(公告)号：CN102792478A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180011721.7
申请日：2011-08-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L43/10 , G01R33/09 , G11B5/39 , H01F10/16 , H01F10/30 , H01F10/32 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/098 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01F41/302 , H01L43/10
Abstract: 本发明的磁性隧道结元件包括第一强磁性体层、第二强磁性体层、以及在第一强磁性体层与第二强磁性体层之间形成的绝缘体层。绝缘体层由添加有氟的MgO构成。绝缘体层的氟的添加量为0.00487atm%以上0.15080atm%以下。该元件具有MgO绝缘体层，并且与现有的具有MgO绝缘体层的元件相比表现出高的磁阻变化特性。优选氟的添加量为0.00487atm%以上0.05256atm%以下。
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公开(公告)号：CN1270323C
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN02812134.1
申请日：2002-06-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/224 , B82Y10/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/5607 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种磁性存储器，该存储器包含按照2个存储器层夹持隧道层的方式沿层厚方向积层的2个以上的存储器层与2个以上的隧道层，所述2个以上的存储器层串联电连接，第一层组的磁化反转所产生的阻抗变化与第二层组的磁化反转所产生的阻抗变化互不相同，其中第一层组是由从所述2个以上的存储器层选择的至少1个构成。
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公开(公告)号：CN1732573A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200380107768.9
申请日：2003-12-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/82 , G01R33/06 , H01L43/08 , H01L27/105
Abstract: 本发明提供一种具有与现有技术完全不同的构成、可提高用于使磁性体的磁化状态发生变化的能量转换效率的磁性开关元件及使用该元件的磁性存储器。所述磁性开关元件包括：磁性层、与所述磁性层磁耦合的转换层、具有选自金属及半导体的至少一种的载流子供给体，所述转换层与所述载流子供给体是以在所述转换层与所述载流子供给体之间能够施加电压的状态进行配置，所述转换层是通过施加所述电压而产生非强磁性－强磁性转换的层，由于所述转换层的所述转换，所述磁性层的磁化状态发生变化。
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公开(公告)号：CN1229880C
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN01137079.3
申请日：2001-08-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F10/3268 , H01F10/3272 , H01F41/302 , H01L27/228 , H01L43/12 , Y10T428/1107 , Y10T428/1121 , Y10T428/1129 , Y10T428/1143 , Y10T428/1193
Abstract: 本发明提供包括中间层和夹持该中间层的一对磁性层，磁性层中的自由磁性层或者固定磁性层是至少由1层非磁性体层，夹持上述非磁性体层的磁性体层构成的多层膜，而且作为垂直于膜面流过的电流通过的上述中间层的面积所规定的元件面积是1000μm2以下的磁阻元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1529910A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN02812134.1
申请日：2002-06-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105
CPC classification number: H01L27/224 , B82Y10/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/5607 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种磁性存储器，该存储器包含沿层厚方向积层的2个以上的存储器层与2个以上的隧道层，所述2个以上的存储器层串联电连接，第一层组的磁化反转所产生的阻抗变化与第二层组的磁化反转所产生的阻抗变化互不相同，其中第一层组是由从所述2个以上的存储器层选择的至少1个构成。
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公开(公告)号：CN1488175A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN02803898.3
申请日：2002-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L43/08 , H01L27/105 , G01R33/09 , G11B5/39 , H01F10/193
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01F10/32 , H01F10/3213 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01L27/222 , H01L29/66984
Abstract: 本发明提供由电压驱动的自旋开关，该自旋开关包含：强磁性体、与其磁耦合的磁性半导体、与磁性半导体磁耦合的反强磁性体、和经绝缘体与磁性半导体连接的电极，通过电极电压的变化，磁性半导体在强磁性和顺磁性之间可逆地变化，在使磁性半导体向强磁性变化时，强磁性体通过与所述磁性半导体磁耦合而在规定方向被磁化。
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公开(公告)号：CN1483222A
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN01821397.9
申请日：2001-12-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C11/14 , G11C11/15
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了一种磁阻存储元件，它包括磁阻元件和用于对上述磁阻元件施加磁场的配线；上述配线含有在同一方向上延伸的两根以上的导线。根据本发明，通过使用多配线的导线，将磁场施加在一个元件上，可以实现高速响应和抑制磁性交调失真现象。
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公开(公告)号：CN1367544A
公开(公告)日：2002-09-04
申请号：CN02105298.0
申请日：2002-01-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L43/12 , H01L43/10 , Y10T29/49034 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044
Abstract: 本发明提供磁阻效应元件,该元件含有中间层和夹持上述中间层的一对磁性层,上述中间层含有从2～17族中选出的至少3种元素,上述元素含有从F、O、N、C和B中选出的至少1种元素。根据本发明,可提供具有高磁阻变化率和低电阻的磁阻效应元件。本发明还提供磁阻效应元件的制造方法,该方法包括使前体成膜的工序、和在含有从氧原子、氮原子和碳原子中选出的至少一种反应种子的反应气氛中,使上述前体和上述反应种子进行反应从而形成上述中间层的至少一部分的工序。
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公开(公告)号：CN1337749A
公开(公告)日：2002-02-27
申请号：CN01122062.7
申请日：2001-05-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/222 , B82Y10/00 , H01L43/10 , Y10S428/90 , Y10T428/1107
Abstract: 本发明的元件含有具有以式L2(A1－zRz)2An－1MnO3n+3+x表示的组成,结晶构造内具有(L—O)2层的层状钙钛矿型氧化物、和夹持着层状钙钛矿型氧化物并与该氧化物连接形成的一对强磁性体,通过上述(L—O)2层施加偏磁,实现了磁阻隧道效应。其中A表示从Ca、Sr和Ba中选出的至少1种碱土类元素、L表示从Bi、Tl和Pb中选出的至少1种元素、M表示从Ti、V、Cu、Ru、Ni、Mn、Co、Fe和Cr中选出的至少1种元素、R表示稀土类元素,n为1,2或3,X,Z分别为－1≤x≤1,0≤z≤1中的值。
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