公开(公告)号：CN105887043A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610285862.2

申请日：2016-04-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 赵士超 ,  金圣忠 ,  张琪 ,  吕燕飞

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  C23C16/448 ,  C23C16/56

CPC classification number: C23C16/30 ,  C23C16/01 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56

Abstract: 本发明公开了一种碳氧化硅薄膜的制备方法。通常方法制备的碳氧化硅呈颗粒状。本发明制备的碳氧化硅生长在金属基底表面，碳氧化硅与基底之间可以分离，分离后碳氧化硅薄膜可以转移至其它基底表面，该方法将增加碳氧化硅薄膜的应用范围。该方法制备的碳氧化硅薄膜具有机械强度好、柔韧性好、连续透明和可转移性等优点。

公开(公告)号：CN105483646B

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201610038774.2

申请日：2016-01-20

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 赵士超 ,  张琪 ,  李玉伟 ,  吕燕飞 ,  金圣忠 ,  王昕

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明公开了一种紫外吸收薄膜材料的制备方法。近紫外光吸收屏蔽薄膜常见的有氧化锌薄膜，氧化锌薄膜化学性质不够稳定比如遇到弱酸即溶解。六方氮化硼化学稳定性好，薄膜柔韧性好，光学禁带宽度6.1eV，能够吸收屏蔽202nm附近的紫外光，可以用作紫外吸收屏蔽材料。但是六方氮化硼紫外吸收范围窄，通过氧掺杂后可以调节六方氮化硼的禁带宽度，增加六方氮化硼对紫外光的吸收范围。本专利通过化学气相沉积法在生长六方氮化硼的同时进行氧掺杂，获得氧掺杂六方氮化硼薄膜，这种方法制备的六方氮化硼薄膜对紫外光吸收的波长范围扩大到190nm～380nm，适合用作近紫外光的吸收材料。