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公开(公告)号：CN109509987B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201811607172.X
申请日：2018-12-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种新型二/三维结合的双极化超宽带吸波结构。该结构由第一吸波面、第二吸波面以及金属反射板构成。其中第一吸波面上加载了三维传输线结构。两个二维吸波面和三维传输线结构的这种组合巧妙构造了首尾相接的多谐振，从而实现了宽带双极化吸波(7.15个倍频程)。本发明提出的吸波结构具有厚度薄，重量轻，成本低，易于设计和加工的优点。
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公开(公告)号：CN109904609B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910027331.7
申请日：2019-01-11
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及宽带圆极化滤波天线。传统的圆极化滤波微带天线一般将圆极化特性和滤波特性分开在两个结构上实现——在辐射贴片上实现圆极化特性，在馈电结构上实现滤波特性，此类天线增加了天线结构的复杂性。本发明利用在辐射贴片上直接开槽的方式，成功在辐射贴片上同时实现了圆极化特性和滤波特性，大大降低了结构复杂度。此外本发明在下层辐射贴片上加载寄生贴片的双层结构不仅展宽了S参数，还使得圆极化带宽得到了进一步扩展，使得该天线满足了5G通信的频带要求。
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公开(公告)号：CN111817010A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010488314.6
申请日：2020-06-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明涉及反射带可开关型三维宽带吸收式频率选择结构。以往的频率选择结构基本都为无源结构，功能单一，很难对不同环境做出不同的反应。并且少数报道的加载了电调控元件的反射型频率选择结构往往工作频带较窄，工作场合受限。本发明采用双谐振器结合的方式，并通过二极管控制其中一个谐振器的工作状态实现该频率选择结构的反射带的开启与关闭，从而实现工作模式的改变，这大大提升了该频率选择结构的灵活性，拓展了其应用前景。
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公开(公告)号：CN111682308A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010474214.8
申请日：2020-05-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01Q1/38 , H01Q1/50 , H01Q5/307 , H01Q5/50 , H01Q13/10 , H01Q15/24 , H01P3/18 , H01P3/12 , H01P1/207
Abstract: 本发明涉及具有滤波功能的单层双圆极化背腔行波天线。大多数背腔滤波天线为多腔结构，虽然能实现较好的滤波特性，但是其高剖面、大尺寸、高成本等缺点限制这类滤波天线的应用。本发明在单层单个基片集成波导腔体中进行了天线和滤波器的一体化设计，同时实现了带通滤波器和圆极化辐射器的功能。此外，分别对该滤波天线的不同端口进行馈电，另一个端口接负载可分别实现左旋圆极化和右旋圆极化辐射。该滤波天线具有较好的滤波特性、较宽的带宽、较高的增益，且结构简单易于加工制作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109672012B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201811319750.X
申请日：2018-11-07
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了应用在毫米波频段的宽带RWG与SIW的差分过渡结构。传统的矩形波导与毫米波差分电路的过渡结构整个尺寸大，损耗高。本发明包括依次叠置的第一金属层、第一介质基板、第二金属层、第二介质基板和第三金属层。所述第一金属层的中部开设有第一工字形槽。第二金属层的中部开设有第二工字形槽。第一介质基板上开设第一SIW矩形谐振腔。第二介质基板上开设第二SIW矩形谐振腔和两个SIW差分传输线结构。两个SIW差分传输线结构分别设置在第二SIW矩形谐振腔的两侧。本发明具有较宽的工作带宽，较低的损耗，较好的相位、幅度的一致性，且集成度高、加工的精度要求较低。
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公开(公告)号：CN110749856A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910851814.9
申请日：2019-09-10
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于零化去噪技术的互质阵欠定测向方法，具体包括以下步骤：互质阵布阵并接收阵列数据；数据预处理；构造均匀虚拟阵列数据向量及模型噪声协方差矩阵；迭代求解零化系数；方程求根并测向。该方法相比现有技术的优势在于：首先，在欠定求解过程中引入了对阵列噪声方差的估计，且用零化去噪的技术实现了对互质阵虚拟阵列中的孔洞进行了插值，充分利用了所有的阵元信息以及阵列自由度；其次，本发明对由有限快拍数引起的模型噪声进行了建模，可提高测向精度；最后，本发明提出的方法属于无网格算法，不存在网格效应，也无需进行空域网格扫描。
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公开(公告)号：CN109672012A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811319750.X
申请日：2018-11-07
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了应用在毫米波频段的宽带RWG与SIW的差分过渡结构。传统的矩形波导与毫米波差分电路的过渡结构整个尺寸大，损耗高。本发明包括依次叠置的第一金属层、第一介质基板、第二金属层、第二介质基板和第三金属层。所述第一金属层的中部开设有第一工字形槽。第二金属层的中部开设有第二工字形槽。第一介质基板上开设第一SIW矩形谐振腔。第二介质基板上开设第二SIW矩形谐振腔和两个SIW差分传输线结构。两个SIW差分传输线结构分别设置在第二SIW矩形谐振腔的两侧。本发明具有较宽的工作带宽，较低的损耗，较好的相位、幅度的一致性，且集成度高、加工的精度要求较低。
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公开(公告)号：CN108365306A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810048246.4
申请日：2018-01-18
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及新型双极化低通带吸型频率选择结构。传统的吸波性频率选择结构都采用带通型频率选择结构，此类结构通带带宽有限，并且很难覆盖低频。本发明采用单环反射平面，结合单环电路模拟吸收器，搭建出双极化低通带吸型频率选择结构，能够实现低频通带内低插入损耗，并在临近高频处产生一个较宽的吸波带。
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公开(公告)号：CN119674554A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411771547.1
申请日：2024-12-04
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于磁性材料的低通高吸型能量选择表面，包括多个周期性分布的单元，每个单元从上到下包括紧贴的磁性材料层和能选层；其中，所述能选层包括介质基板，以及在介质基板上设有的第一至第七金属结构和第一至第八二极管。本发明通过多个二极管形成完整回路，通过磁性材料与能选层间的阻抗匹配，在低功率电磁波入射时，实现了低插入损耗的低频通带，并在高频处实现了超宽的吸收带；在高功率电磁波入射时，在工作频段内实现了具有较高的屏蔽效能，并在带外实现了超宽的吸收带。本发明整体设计结构简单，原理清晰，便于加工，成本低廉，应用前景十分广泛。
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