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公开(公告)号：CN114561580A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210203082.4
申请日：2022-03-03
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C22C28/00 , C22C1/04 , C22C1/02 , C22F1/16 , B22F9/04 , B22F3/14 , B22F1/052 , H01F1/01 , H01F41/02
Abstract: 本发明公开了一种RE4TCd磁制冷材料，所述RE为稀土元素Dy、Ho、Tm中的一种或两种之间的混合，T为过渡金属元素Ni、Cu中的一种或两种之间的混合。本发明还公开了一种RE4TCd磁制冷材料的制备方法，包括将稀土金属与过渡金属混合熔化成RE4T合金锭，RE4T合金锭破碎与Cd粉混合，在密封模具中高压低温下烧结，再经热处理得到RE4TCd材料。本发明所述的一种RE4TCd磁制冷材料及其制备方法制备的RE4TCd磁制冷材料，在0～5的磁场变化下，磁熵变值为16.4～25.8J/kg K，具有较大的磁熵变，拓宽低温磁制冷材料的应用。
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公开(公告)号：CN118222944A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410333552.8
申请日：2024-03-22
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种氢液化用钆基非晶磁制冷材料及其制备方法和应用，属于磁制冷材料技术领域。钆基非晶磁制冷材料化学通式为GdaCobCc，a、b、c分别表示Gd、Co、C的原子含量，27≤a≤40，22≤b≤40，30≤c≤45，a+b+c＝100。钆基非晶磁制冷材料的制备方法如下：配料，稀土稍过量；在高纯氩气气氛保护下熔炼3‑5次，以保证成分均匀性；表面清理干净后，破碎成小块合金铸锭；采用感应熔炼甩带装置，将铸锭在氩气气氛下重熔，保温后甩带，得到GdaCobCc条带非晶磁制冷材料。制备的钆基非晶磁制冷材料，磁转变温度为25K～65K；在0～5T的磁场变化下，等温磁熵变最大值为10.1J/kgK～13.3J/kgK；在0～7T的磁场变化下，等温磁熵变最大值为13.6J/kgK～17.3J/kgK；具有较高的磁熵变，满足氢气液化需要。
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公开(公告)号：CN115497701A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211325249.0
申请日：2022-10-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种无稀土宽温区跨室温磁制冷材料，化学通式为MnaAlbCocFedCreZf；其中Z为Cu、Ti、Zr、Ag、Nb、Zn中的一种或多种，a、b、c、d、e、f表示原子摩尔含量，a+b+c+d+e+f＝100，且16≤a≤24，16≤b≤24，10≤c≤30，15≤d≤28，18≤e≤30，0≤f≤8。本发明还公开了一种无稀土宽温区跨室温磁制冷材料的制备方法，制备的磁制冷材料在240K‑360K温度范围内具有可逆大磁热效应。本发明采用上述无稀土宽温区跨室温磁制冷材料及其制备方法，能够解决现有的磁制冷材料成本高、制冷温区窄和可逆性差的问题。
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公开(公告)号：CN115497701B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202211325249.0
申请日：2022-10-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种无稀土宽温区跨室温磁制冷材料，化学通式为MnaAlbCocFedCreZf；其中Z为Cu、Ti、Zr、Ag、Nb、Zn中的一种或多种，a、b、c、d、e、f表示原子摩尔含量，a+b+c+d+e+f＝100，且16≤a≤24，16≤b≤24，10≤c≤30，15≤d≤28，18≤e≤30，0≤f≤8。本发明还公开了一种无稀土宽温区跨室温磁制冷材料的制备方法，制备的磁制冷材料在240K‑360K温度范围内具有可逆大磁热效应。本发明采用上述无稀土宽温区跨室温磁制冷材料及其制备方法，能够解决现有的磁制冷材料成本高、制冷温区窄和可逆性差的问题。
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公开(公告)号：CN116751040A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310724873.6
申请日：2023-06-19
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/16 , C04B35/622 , C04B35/624 , H01F1/01 , H01F41/02
Abstract: 一种用于低温磁制冷硅酸钆材料及其制备方法，该材料的化学通式为Gd10‑x+2y(Si1‑yAly)6O27‑1.5x，其中1/3
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公开(公告)号：CN115125428B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202210947040.1
申请日：2022-08-09
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种宽温区跨室温磁斯格明子材料，化学通式为CoaZnbMncXd，其中X为Fe、Ni、Cu、Al、Zr、Cr、Ti中的一种或多种；其中a、b、c、d表示原子摩尔百分比含量，a+b+c+d＝100，且25≤a≤45，25≤b≤45，10≤c≤30，0≤d≤10。本发明还公开了一种宽温区跨室温磁斯格明子材料的制备方法以及在磁存储器、逻辑运算中的应用。本发明采用上述宽温区跨室温磁斯格明子材料及其制备方法，能够解决现有的磁斯格明子材料在室温稳定性差的问题。
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公开(公告)号：CN115020053A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210619526.2
申请日：2022-06-02
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于稀土磁性功能材料技术领域，本发明提供的应用于磁制冷的R2TiNiO6稀土氧化物，其中R为Gd，Tb和Dy中的一种或两种，所述R2TiNiO6氧化物为单斜型晶体结构，属于P21c空间群；所述R2TiNiO6氧化物在0T～5T的磁场变化下，等温磁熵变最大值为11.8J/kgK～32.5J/kgK，在0T～7T的磁场变化下，等温磁熵变最大值为15.9J/kgK～43.8J/kgK。本发明具有原材料成本低廉、制备方法简单、以及良好的磁、热可逆性质。该方法工艺简单、适用于工业化。
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公开(公告)号：CN114974772A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210786146.8
申请日：2022-07-04
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有单斜结构的稀土磁性材料，所述稀土磁性材料的化学式为RESr2TaO6，RE为Gd，Dy，Ho，Er中的一种或两种。RESr2TaO6具有单斜晶系，属于P21/c空间群。本发明还公开了一种具有单斜结构的稀土磁性材料的制备方法。采用上述方法制备的稀土磁性材料在0～2T的磁场变化下，等温磁熵变为1.8‑19.2J/kg K；在0～5T的磁场变化下，等温磁熵变为5.1‑27.2J/kg K；在0～7T的磁场变化下，等温磁熵变为6.9‑29.7J/kg K。上述具有单斜结构的稀土磁性材料应用在磁制冷中。本发明采用上述具有单斜结构的稀土磁性材料及其制备方法，能够解决现有的磁制冷材料制备困难的问题。
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公开(公告)号：CN114566341A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210204602.3
申请日：2022-03-03
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于液氮至液氢温区的磁制冷材料，其组成式为(DyxHoyEr1‑x‑y)(CoαNi2‑α)，0≤x≤0.85、0≤y≤0.85、0.7≤α≤1.3，具有Laves相立方型结构，属于Fd‑3m空间群。本发明还公开了一种应用于液氮至液氢温区的磁制冷材料的制备方法。采用本发明所述的应用于液氮至液氢温区的磁制冷材料的制备方法制备的磁制冷材料，具有磁热性能大、制冷温区宽的特点；并且居里温度在10‑80K之间变化，覆盖了氢气至氦气的液化区间，形成一系列中温区磁熵变较大且平缓变化的新型磁制冷材料。
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