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公开(公告)号：CN105897179A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610305277.4
申请日：2016-05-10
Applicant: 杭州电子科技大学
CPC classification number: H03F1/0288 , H03F3/21
Abstract: 本发明公开了一种紧凑型宽带Doherty功率放大器及其实现方法，该功率放大器包括威尔金森功分器、载波放大电路和峰值放大电路；其中，输入信号经威尔金森功分器输出端分别连接载波放大电路和峰值放大电路的输入端；所述载波放大电路由载波输入匹配电路、载波放大器、载波输出匹配电路、70.7Ω四分之一波长阻抗变换器依次串接组成；所述峰值放大电路由50Ω相位补偿线、峰值输入匹配电路、峰值放大器、峰值输出匹配电路和100Ω补偿线串接组成；70.7Ω四分之一波长阻抗变换器和100Ω补偿线并接作为输出端。本发明通过减少四分之一波长阻抗变换线的阻抗变换比，极大地增大了功率放大器的带宽，同时也减小了功率放大器整体尺寸。
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公开(公告)号：CN104733522A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510160791.9
申请日：2015-04-07
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT压力传感器工艺实现方法，采用MOCVD或MBE方法在蓝宝石衬底上外延生长出单晶h-BN移除层；然后在h-BN移除层上外延常规的AlGaN/GaN HEMT结构层；在帽层上形成AlGaN/GaN HEMT的栅极、源极和漏极；把AlGaN/GaN HEMT器件的正面朝下粘贴在陶瓷载体上；施以外力克服h-BN的范德瓦耳斯力将蓝宝石衬底剥离掉；把AlGaN/GaN HEMT器件的反面朝下粘贴在开有孔洞的金属铜衬底上。本发明通过h-BN移除层可以转移器件的衬底，避免腐蚀工艺，使得器件可以生长在除外延材料质量硬度高的蓝宝石衬底上。
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公开(公告)号：CN114309633B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202111545492.9
申请日：2021-12-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种亲油金纳米棒制备方法，包括以下步骤：(1)通过种子法制备金纳米棒分散液；(2)清洗；(3)包覆二氧化硅层；(4)表面修饰；(5)清洗分散本发明。工艺步骤简单，可操作性强，适用范围广，包覆着不同孔隙率二氧化硅的金纳米棒都可进行表面修饰，制得的亲油金纳米棒材料能在保留了金纳米棒本身物理性质的同时，还能够均匀分散在油性溶剂中，拓宽了金纳米棒的应用范围。
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公开(公告)号：CN119171077A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411235008.6
申请日：2024-09-04
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种高增益超宽带无人机天线，包括介质基板，以及印制于介质基板正面的第一辐射体、第二辐射体；所述第一辐射体、第二辐射体间存在馈电缝隙。本发明通过第一辐射体实现了两次精确的阻抗匹配，实现了更高的阻抗带宽，提高了天线的适应性和灵活性。另外，第一辐射体的第一辐射贴片采用三叉戟状设计，为天线提供了独特的辐射模式和性能，有助于提高天线的增益和方向性。通过第一辐射体和第二辐射体的特定布局，实现了工作频带内的电流均匀分布，赋予天线全向辐射特性，这种全向性对于无人机在各种方向上的通信至关重要。
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公开(公告)号：CN119171076A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411201773.6
申请日：2024-08-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种高增益定向宽带天线，包括金属接地板、辐射层、馈电贴片、空气介质层；辐射层包括非对称结构的第一辐射金属贴片、第二辐射金属贴片；馈电贴片位于第一辐射金属贴片、第二辐射金属贴片间位置。本发明通过采用两个非对称的第一辐射金属贴片、第二辐射金属贴片，使两个贴片天线的谐振频率有一定差异，再通过一定数量的金属短路柱将金属辐射天线与金属接地板相连接，使靠近中间馈电贴片的辐射天线辐射性增强，通过改变中间馈电贴片的位置来控制两个天线谐振频率的差异，同时通过引入馈电贴片与辐射金属贴片之间的缝隙来达到引入电容改善天线的阻抗特性的效果，实现本发明天线的总带宽变宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114438473B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202111613676.4
申请日：2021-12-27
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/511 , C30B29/04 , C30B25/02
Abstract: 本发明涉及一种高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置，包括谐振腔主体、下圆柱体、同轴波导转换器、环形石英窗口、沉积平台、测温孔、测温仪、观察窗、进气口、出气口及水冷系统，其中谐振腔主体包括抛腔，抛腔是由一段抛物线绕所述谐振腔中轴线旋转一周得到的旋转体，且谐振腔内壁任意一点距离基片中心点的距离大于6/7λ。本发明可以使谐振腔内电场分布集中，激发等离子体位置稳定、密度高，有助于提高沉积金刚石膜的品质，同时可以减弱对腔室内壁的热辐射和避免腔室内壁沉积石墨及碳的化合物。
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公开(公告)号：CN115764319A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211515824.3
申请日：2022-11-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种极化旋转超表面以及其在天线RCS缩减的应用，包括超表面结构，介质基板和金属地板，超表面结构由四个超表面模块棋盘式排列，每个超表面模块由5×5的超表面单元周期性排列组成，每个超表面单元由对角分布L型金属贴片组成，L型金属贴片结构运用折叠技术，达到缩小尺寸的作用，有利于超表面单元的小型化，L型金属贴片由于其结构特性，会对反射电流起到不同的阻碍作用，实现极化旋转90°的作用，本发明实现了在不降低天线辐射性能的基础上实现了显著的散射抑制效果，可广泛应用于天线的RCS缩减，结构简单，具有小型化、低剖面、低成本等特点，在无线通信、雷达、遥感系统、卫星通信等远距离通信系统有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN113381195B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110586109.8
申请日：2021-05-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯三维相位可调谐透镜的高增益缝隙天线及方法。本发明天线采用一种石墨烯三维相位可调谐透镜，并将其放置在缝隙天线的前端，使得缝隙天线可以通过不同偏置电压下石墨烯的可重构特性对透镜单元进行调谐。不同偏置电压可以改变石墨烯材料的表面电阻，从而可以改变透镜的特性，进而改变缝隙天线孔径内的能量和相位分布，提高天线的增益并消除天线方向图畸变。同时，透镜加载的缝隙天线为新型的混合石墨烯‑金属结构缝隙天线，该天线的辐射缝隙结构采用石墨烯结构代替，这一结构进一步增强了天线孔径内能量的控制，并为缝隙天线带来了频率可重构特性。
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公开(公告)号：CN114192794A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111401927.2
申请日：2021-11-19
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种棒骨状金纳米棒的合成方法，包括以下步骤：(1)制备种子溶液；(2)制备生长溶液；(3)棒骨状金纳米棒。本发明以CTAC及油胺作为双表面活性剂，以1,2,4三羟基苯为还原剂，所需反应物的量少，成本低，反应速率极高，反应条件易控制，得到的金纳米棒分散性好，尺寸较长，两头大中间小，形如棒骨，更适合作为金纳米棒自组装的材料，并且在医学领域方面的应用前景也更加宽广。
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公开(公告)号：CN113381195A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110586109.8
申请日：2021-05-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯三维相位可调谐透镜的高增益缝隙天线及方法。本发明天线采用一种石墨烯三维相位可调谐透镜，并将其放置在缝隙天线的前端，使得缝隙天线可以通过不同偏置电压下石墨烯的可重构特性对透镜单元进行调谐。不同偏置电压可以改变石墨烯材料的表面电阻，从而可以改变透镜的特性，进而改变缝隙天线孔径内的能量和相位分布，提高天线的增益并消除天线方向图畸变。同时，透镜加载的缝隙天线为新型的混合石墨烯‑金属结构缝隙天线，该天线的辐射缝隙结构采用石墨烯结构代替，这一结构进一步增强了天线孔径内能量的控制，并为缝隙天线带来了频率可重构特性。
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