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公开(公告)号：CN111017985A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911345035.8
申请日：2019-12-24
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种CuO/ZnO基半导体丙酮气敏材料的制备方法，包括以下步骤：将硝酸锌·六水合物、硝酸铜·三水合物和尿素加入到去离子水中，得到前驱体溶液；将前驱体溶液转移到聚四氟乙烯衬里高压反应釜中，将反应釜放入电炉中反应，得到铜锌氢氧化碳酸盐复合物；将复合物离心洗涤后干燥，得到蓝色粉体；将蓝色粉体置于马弗炉中在空气气氛下退火，得到黑色多孔状氧化铜/氧化锌复合粉体材料后研磨，得到对丙酮气体具有高选择性的CuO/ZnO基半导体丙酮气敏材料。本发明操作简便，材料低温响应性能良好，解决了传统ZnO基材料在低温下对丙酮气体几乎没有响应且选择性很差的技术问题。
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公开(公告)号：CN114720448B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202210180299.8
申请日：2022-02-25
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明提出一种半导体氧化物纳米颗粒修饰贵金属纳米锥阵列结构的SERS衬底的制备方法，包括：首先采用低温电感耦合等离子体增强反应离子刻蚀技术，对硅片进行无掩膜刻蚀，获得高密度大面积纳米硅锥阵列结构；然后利用磁控溅射或热蒸镀在上述纳米硅锥结构上包覆一层纳米厚度的贵金属膜；最后采用提拉浸渍法在上述贵金属膜覆盖的纳米硅锥上均匀单分散负载一层ZnO纳米颗粒获得SERS衬底。本发明制备得到的ZnO纳米颗粒修饰贵金属纳米锥阵列结构SERS衬底具有贵金属的物理电磁增强效应，还耦合了半导体的电荷转移化学增强机制，通过二者的协同效应，对于提高SERS衬底的灵敏度、增强因子、实际检测中对痕量物质的定量分析能力具有重要意义。
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公开(公告)号：CN118064861A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410505461.8
申请日：2024-04-25
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及功能薄膜材料领域，具体涉及一种集成红外吸收材料的热释电薄膜及其制备方法和应用。本发明所公开的方法，采用磁控溅射方式，在硅基衬底上实现了PZT热释电薄膜的生长。通过合适的工艺设置、组分设计并结合种子层诱导薄膜取向生长的方法获得了具有较高热释电系数，低介电常数、介电损耗的PZT热释电薄膜。本发明提出了一种与PZT热释电薄膜制备工艺兼容的红外吸收材料的制备方法，制备得到了集成红外吸收材料的热释电薄膜，实现了PZT热释电薄膜与红外吸收材料的集成。
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公开(公告)号：CN112268938B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202011132592.4
申请日：2020-10-21
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了属于气体传感器领域的一种NOx气体传感器；其中自下而上依次包括：硅基底层、支撑层、加热电极、绝缘层、测试电极层；其中硅基底层上方的测试端一侧开有隔热腔；支撑层完全覆盖硅基底层；加热电极设置于支撑层和绝缘层之间，绝缘层用于隔离加热电极和测试电极层；所述测试电极层包括：平行排列的第二电极、第一电极和第三电极，其中第一电极、第二电极和第三电极均由电极端延伸至测试端。本发明中第一电极选用对NOx敏感材料制作，第二、第三电极采用贵金属制作，并构成三电极体系。测试时，第三电极作为参比电极，可调控第二电极极化电压；通入NOx气体后，可通过记录第一、第二电极间电流变化确定NOx含量。
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公开(公告)号：CN113008823B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN201911335391.1
申请日：2019-12-20
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N21/3504 , G01N21/01
Abstract: 本发明公开了一种全集成式红外气体传感器，包括上层气室基片、下层气室基片和集成电路层；上层气室基片具有表面镀有反射薄膜的多边形凹槽以及开设在该凹槽内的多个贯穿基片的气孔；下层气室基片具有表面镀有反射薄膜的回形凹槽、与该凹槽连通的入光孔和分布于凹槽四周的多个出光孔、设置在凹槽中心位置的分光结构；上层气室基片与下层气室基片具有凹槽的一面相互键合或粘接，构成微型气室；集成电路层与下层气室基片结合，包括集成电路衬底以及设置在衬底上的一个对应于入光孔的红外光源、多个对应于出光孔的红外探测器敏感元和信号处理电路；红外探测器敏感元与出光孔之间设有滤光片。本发明体积小、测量精度高、集成度高、可同时测试多种气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113588876A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110790818.8
申请日：2021-07-13
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明公开了属于气体传感器制备技术领域的一种提高二氧化氮半导体传感器选择性的方法，采用光刻及刻蚀工艺在硅基体上刻蚀出微型色谱柱结构，同时在色谱柱两端刻蚀出进气口与出气口，并在出气口处制备半导体传感器加热电极与测试电极，之后在色谱柱上加载固定相，在传感器电极上加载三氧化钨气敏材料，并对色谱柱及传感器进行密封。本发明利用色谱柱分离功能将空气中的二氧化氮与二氧化硫及臭氧等干扰气体分离，提高了传感器对二氧化氮的选择性。同时，将色谱柱微型化并与半导体传感器进行集成，能够显著降低传感器的体积，利于实现传感器的小型化，适用于大气中二氧化氮的便携式精确监测。
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公开(公告)号：CN112834479A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011619141.3
申请日：2020-12-31
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种砷元素痕量检测方法，包括以下步骤：在硅衬底表面制备SiO2层；在SiO2层的表面组装聚苯乙烯胶体球；将聚苯乙烯胶体球刻蚀；将SiO2层进行刻蚀，形成SiO2纳米结构；将SiO2层和硅衬底进行刻蚀，形成SiO2和Si复合纳米柱；在SiO2和Si复合纳米柱表面制备50nm‑200nm的Fe3O4薄膜；在Fe3O4薄膜表面修饰Ag纳米粒子；修饰方式为：将体积比为(10‑15):(0.01‑0.02)的[Ag(NH3)2]+与葡萄糖溶液混合，得到混合溶液，将制备Fe3O4薄膜后的硅衬底置于混合溶液中反应后洗涤、干燥。本发明能够现场快速检测土壤中砷且灵敏、重复性好。
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公开(公告)号：CN112557460A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011412747.X
申请日：2020-12-02
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种高灵敏度三氧化钨气敏薄膜的制备方法，涉及气敏薄膜制备技术领域。本发明将带有氧化层的硅基片置于氟化铵、氢氟酸及去离子水的混合溶液中静置一段时间，之后再采用射频掠射角磁控溅射在处理后的硅基片表面沉积三氧化钨薄膜并进行热处理。本发明能够提高在硅基体上沉积的三氧化钨气敏薄膜对二氧化氮的灵敏度，且制备工艺简单，与目前微型气体传感器的制备工艺兼容性高，便于实现硅基集成，适合于工业大规模生产。
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公开(公告)号：CN118064861B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410505461.8
申请日：2024-04-25
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及功能薄膜材料领域，具体涉及一种集成红外吸收材料的热释电薄膜及其制备方法和应用。本发明所公开的方法，采用磁控溅射方式，在硅基衬底上实现了PZT热释电薄膜的生长。通过合适的工艺设置、组分设计并结合种子层诱导薄膜取向生长的方法获得了具有较高热释电系数，低介电常数、介电损耗的PZT热释电薄膜。本发明提出了一种与PZT热释电薄膜制备工艺兼容的红外吸收材料的制备方法，制备得到了集成红外吸收材料的热释电薄膜，实现了PZT热释电薄膜与红外吸收材料的集成。
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公开(公告)号：CN117144290A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310393349.5
申请日：2023-04-13
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了属于光学器件技术领域的及一种多级纳米结构及其制备方法。所述方法使用磁控溅射工艺，通过对溅射压强、溅射功率、溅射时间的工艺参数调控制备出不同间距、大小的纳米贵金属颗粒。采用贵金属在纳米硅柱表面修饰二级纳米结构，可实现晶圆级大面积制备，克服了传统单一硅基纳米结构在1.1μm～5μm红外波段的低吸收问题，可达到更高的红外吸收效果。本发明方法制备的多级纳米结构可实现晶圆级大面积制备，相比传统单一硅基纳米结构，可达到更高的红外吸收效果。
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