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公开(公告)号：CN119615155A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411808207.1
申请日：2024-12-10
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C23C26/00
Abstract: 本发明涉及一种硫化钼‑硒化钼横向异质结构的制备方法，属于纳米材料技术领域。硅单晶基底预清洗；将硫粉、硒粉分别前后放置在管内的中温区，然后在同一管内的高温区放置钼源，将预清洗后的硅单晶基底放置在管内的高温区端口2‑3cm处，在氩气条件下，同时分别对中温区和高温区分段式加热，冷却至室温后，在硅单晶基底上生长得到硫化钼‑硒化钼横向异质结构(MoS2/MoSe2异质结构)。本发明在硅衬底上生长硫化钼‑硒化钼横向异质结构，本发明得到的异质界面势垒较低，制备方法操作简单，可控性和安全性好，同时克服机械剥离法工艺复杂、剥离过程中材料容易受到污染的问题。
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公开(公告)号：CN119371639A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411498811.9
申请日：2024-10-25
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种一维石墨炔链的制备方法。在该制备方法中，选择具有(110)晶面的银单晶基底作为衬底，通过分子束外延生长技术将前驱体分子PBDA分子沉积到银单晶基底表面获得自组装样品，然后对上述自组装样品进行逐步退火处理诱发分子的聚合反应，从而获得碳碳三键连接的一维石墨炔链。该方法提出了一种一维石墨炔链的制备方法，具有较高的科研价值和广泛的应用潜力。
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公开(公告)号：CN118360570A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410466347.9
申请日：2024-04-18
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种Sb4自组装结构的制备方法，属于纳米材料技术领域。制备金单晶基底；锑粉末蒸发并沉积在金单晶基底得到基底和沉积在基底上的Sb4分子自组装链，且沉积过程控制金单晶基底温度为25～30℃；将基底和沉积在基底上的Sb4分子自组装链进行第一次升温至生长温度进行保温处理，以得到小面积且分散的Sb4分子自组装岛；然后以制备的小面积自组装岛为形核位点进行生长，即将锑粉末蒸发沉积在具有小面积的自组装岛的金单晶表面，得到具有小面积的Sb4分子自组装岛和Sb4分子自组装链共存的金单晶基底，且沉积过程控制基底温度为25～30℃；将得到的小面积Sb4分子自组装岛和Sb4分子自组装链共存的金单晶基底进行第二次升温至生长温度保温处理得到大面积Sb4分子自组装岛。本发明制备得到的Sb4分子自组装结构形状结构规则，且自组装结构的宽度大多在100nm以上。
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公开(公告)号：CN115094379B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202210780336.9
申请日：2022-07-04
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种一维聚芴链及其制备方法。在该制备方法中，选择金属单晶作为衬底，通过分子束外延生长技术将前驱体分子二溴芴沉积到衬底表面获得样品，然后对上述样品进行逐步退火处理诱发分子间的脱溴和芳基偶联反应，可以获得原子级精确的一维聚芴链结构。该方法为制备纳米尺寸一维聚芴链提供了新的思路，具有较高的科研价值和广泛的应用潜力。
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公开(公告)号：CN117070899A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311078447.6
申请日：2023-08-25
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种高密度一维硒掺杂碲化铜链的制备方法，属于纳米材料技术领域。制备铜单晶基底；碲粉末蒸发并沉积在铜单晶基底得到基底和沉积在基底上的铜碲化合物，沉积过程控制基底上的铜碲化合物和铜单晶基底温度为25～30℃；将基底和沉积在基底上的铜碲化合物进行第一次升温至生长温度保温处理；然后将硒粉末蒸发沉积在基底和铜碲沉积物上得到硒掺杂碲化铜沉积物和基底，沉积过程控制基底和沉积物温度为25～30℃；将得到的硒掺杂碲化铜沉积物和基底进行第二次升温至生长温度保温处理得到高密度一维硒掺杂碲化铜链。本发明制备得到的一维硒掺杂碲化铜链宽度小于1纳米，长度大于50纳米，且所有链均一取向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113463031A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110833617.1
申请日：2021-07-23
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种三类单层硒化铜超结构同时制备及调控的方法。在该方法中，通过在超高真空环境下利用偏心沉积的策略，将高纯度的硒粉末蒸发沉积到干净的铜单晶基底上，然后将样品升温到生长温度后对样品进行退火处理，之后在样品表面获得了三种单层硒化铜超结构共同存在的样品（三种超结构分别为周期纳米孔洞结构，周期花瓣结构，一维莫尔条纹结构）。此外，通过增加偏心沉积硒粉末的时间，精确调控了三种单层硒化铜超结构在样品表面所占的面积。该方法为其它单层二维材料的结构转变提供了新的路径与方法，具有较高的科研价值和广泛的应用潜力。
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公开(公告)号：CN111765973B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202010465175.5
申请日：2020-05-28
Applicant: 昆明理工大学
IPC: G01J4/00
Abstract: 本发明涉及纳米材料以及光学技术领域，一种基于石墨烯纳米带阵列光栅的激光偏振方向检测装置，包括前板和后板，所述前板和后板之间由上下两块弧形板连接；所述前板的中心位置设置有光栅旋转台，光栅旋转台的中心位置放置有光栅；所述后板的中心位置设置有同步旋转台，该同步旋转台与前板上的光栅旋转台通过两根旋转同步杆连接；所述同步旋转台上设置有拉曼背散射信号收集面，该拉曼背散射信号收集面的中心位置设置有激光入射口；本发明对任意波长的激光都能进行检测，应用范围广；使用时不对激光光路进行任何改变，使用方便；可以在光路工作状态下进行实时的原位检测，能够集成在需要的仪器中作为检测工具。
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公开(公告)号：CN111445930A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010163748.9
申请日：2020-03-10
Applicant: 昆明理工大学
IPC: G11B7/248
Abstract: 本发明涉及二维材料以及有机分子信息存储技术领域，一种利用四苯基卟啉分子进行高密度信息存储方法，包括如下步骤：（1）以直角坐标系对Au（111）基底进行标定；（2）规定四苯基卟啉分子中苯环向左位点形成化学键记为信息值0，向右边位点形成化学键记为信息值1；（3）在实验环境下，通过扫描隧道显微镜诱导形成化学键的具体位点；（4）通过扫描隧道显微镜进行信息读取。本发明采用的单个四苯基卟啉分子就有16 bit，存储密度很高；该存方式一旦将信息存储，将无法擦除具有极高的信息安全性；有机分子作为存储介质明显减小了存储设备的体积，更加便于携带。
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公开(公告)号：CN111312928A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010172756.X
申请日：2020-03-12
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及半导体电子技术领域，一种热诱导改变带隙的半导体器件，包括由半导体材料制成的呈长方体的半导体元件，该元件的上表面贴合固定有上金薄板、下表面贴合固定有下金薄板；所述上金薄板通过导线与一电阻连接、该电阻通过导线与一开关的一端连接、开关的另一端与一电源的正极连接；所述下金薄板通过导线与一电热丝连接、电热丝通过导线与电源的负极连接；所述电源、开关、电阻、上金薄板、半导体元件、下金薄板、电热丝形成串联回路。本发明通过带隙改变实现可见光向红外光的转变，结构简单，实用性强。
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公开(公告)号：CN109490580A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811332520.7
申请日：2018-11-09
Applicant: 昆明理工大学
IPC: G01Q60/38
Abstract: 本发明涉及一种扫描隧道显微镜针尖的热处理装置，属于超高真空电子器件技术领域。该扫描隧道显微镜针尖的热处理装置，热处理装置包括电源导线、粗螺杆、中螺杆、细螺杆、金属固定片、陶瓷绝缘片、金属连接片、金属屏蔽罩和灯丝。本装置能有效处理针尖，屏蔽了针尖托金属架的影响；本装置可用在多种扫描隧道显微镜腔体中，依据需求改变粗螺杆长度即可；本装置中配件的材质可以根据工作环境更换，可在多种环境中使用，包括超高真空环境；本装置结构原理简单，器件无焊接可替换，易于修理；本装置成本较低。
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