一种二维量子点阵列及其制备方法

    公开(公告)号:CN115074822B

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202210780274.1

    申请日:2022-07-04

    Abstract: 本发明公开了一种二维量子点阵列及其制备方法。在该制备方法中,选择金属单晶作为衬底,通过分子束外延生长技术将前驱体分子二溴芴沉积到保持在室温的衬底表面,可获得大规模规则有序的二维六边形孔洞结构。该孔洞结构可实现对金属衬底表面自由电子的束缚进而形成二维量子点阵列。该发明提出了一种利用二溴芴分子在金属衬底表面构筑高密度量子点阵列的方法,具有较高的科研价值和广泛的应用潜力。

    一种含芴单元双螺烯的制备方法及其一维聚合物的制备方法

    公开(公告)号:CN118405956A

    公开(公告)日:2024-07-30

    申请号:CN202410503133.4

    申请日:2024-04-25

    Abstract: 本发明涉及一种含芴单元双螺烯的制备方法及其一维聚合物的制备方法,属于表面合成技术领域。本发明利用具有DNA分子在金衬底的催化作用下会发生分子内环化脱氢的策略,将前驱体分子DNA沉积到金衬底表面,并在220℃温度下保温20‑40分钟,接着将所述样品冷却至室温,得到多种含芴双螺烯结构。并基于相同的合成策略,利用DBNA分子在金单晶基底合成含芴单元双螺烯一维聚合物。

    一种一维聚芴链及其制备方法

    公开(公告)号:CN115094379A

    公开(公告)日:2022-09-23

    申请号:CN202210780336.9

    申请日:2022-07-04

    Abstract: 本发明公开了一种一维聚芴链及其制备方法。在该制备方法中,选择金属单晶作为衬底,通过分子束外延生长技术将前驱体分子二溴芴沉积到衬底表面获得样品,然后对上述样品进行逐步退火处理诱发分子间的脱溴和芳基偶联反应,可以获得原子级精确的一维聚芴链结构。该方法为制备纳米尺寸一维聚芴链提供了新的思路,具有较高的科研价值和广泛的应用潜力。

    一种二维量子点阵列及其制备方法

    公开(公告)号:CN115074822A

    公开(公告)日:2022-09-20

    申请号:CN202210780274.1

    申请日:2022-07-04

    Abstract: 本发明公开了一种二维量子点阵列及其制备方法。在该制备方法中,选择金属单晶作为衬底,通过分子束外延生长技术将前驱体分子二溴芴沉积到保持在室温的衬底表面,可获得大规模规则有序的二维六边形孔洞结构。该孔洞结构可实现对金属衬底表面自由电子的束缚进而形成二维量子点阵列。该发明提出了一种利用二溴芴分子在金属衬底表面构筑高密度量子点阵列的方法,具有较高的科研价值和广泛的应用潜力。

    一种一维石墨炔链的制备方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119371639A

    公开(公告)日:2025-01-28

    申请号:CN202411498811.9

    申请日:2024-10-25

    Abstract: 本发明公开了一种一维石墨炔链的制备方法。在该制备方法中,选择具有(110)晶面的银单晶基底作为衬底,通过分子束外延生长技术将前驱体分子PBDA分子沉积到银单晶基底表面获得自组装样品,然后对上述自组装样品进行逐步退火处理诱发分子的聚合反应,从而获得碳碳三键连接的一维石墨炔链。该方法提出了一种一维石墨炔链的制备方法,具有较高的科研价值和广泛的应用潜力。

    一种一维聚芴链及其制备方法

    公开(公告)号:CN115094379B

    公开(公告)日:2024-01-12

    申请号:CN202210780336.9

    申请日:2022-07-04

    Abstract: 本发明公开了一种一维聚芴链及其制备方法。在该制备方法中,选择金属单晶作为衬底,通过分子束外延生长技术将前驱体分子二溴芴沉积到衬底表面获得样品,然后对上述样品进行逐步退火处理诱发分子间的脱溴和芳基偶联反应,可以获得原子级精确的一维聚芴链结构。该方法为制备纳米尺寸一维聚芴链提供了新的思路,具有较高的科研价值和广泛的应用潜力。

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