公开(公告)号：CN111445930B

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202010163748.9

申请日：2020-03-10

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 蔡金明 ,  达彬彬 ,  郝振亮 ,  卢建臣

IPC: G11B7/248

Abstract: 本发明涉及二维材料以及有机分子信息存储技术领域，一种利用四苯基卟啉分子进行高密度信息存储方法，包括如下步骤：（1）以直角坐标系对Au（111）基底进行标定；（2）规定四苯基卟啉分子中苯环向左位点形成化学键记为信息值0，向右边位点形成化学键记为信息值1；（3）在实验环境下，通过扫描隧道显微镜诱导形成化学键的具体位点；（4）通过扫描隧道显微镜进行信息读取。本发明采用的单个四苯基卟啉分子就有16 bit，存储密度很高；该存方式一旦将信息存储，将无法擦除具有极高的信息安全性；有机分子作为存储介质明显减小了存储设备的体积，更加便于携带。

公开(公告)号：CN111445930A

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN202010163748.9

申请日：2020-03-10

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 蔡金明 ,  达彬彬 ,  郝振亮 ,  卢建臣

IPC: G11B7/248

Abstract: 本发明涉及二维材料以及有机分子信息存储技术领域，一种利用四苯基卟啉分子进行高密度信息存储方法，包括如下步骤：（1）以直角坐标系对Au（111）基底进行标定；（2）规定四苯基卟啉分子中苯环向左位点形成化学键记为信息值0，向右边位点形成化学键记为信息值1；（3）在实验环境下，通过扫描隧道显微镜诱导形成化学键的具体位点；（4）通过扫描隧道显微镜进行信息读取。本发明采用的单个四苯基卟啉分子就有16 bit，存储密度很高；该存方式一旦将信息存储，将无法擦除具有极高的信息安全性；有机分子作为存储介质明显减小了存储设备的体积，更加便于携带。

公开(公告)号：CN111312928A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN202010172756.X

申请日：2020-03-12

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 蔡金明 ,  达彬彬 ,  郝振亮 ,  卢建臣

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明涉及半导体电子技术领域，一种热诱导改变带隙的半导体器件，包括由半导体材料制成的呈长方体的半导体元件，该元件的上表面贴合固定有上金薄板、下表面贴合固定有下金薄板；所述上金薄板通过导线与一电阻连接、该电阻通过导线与一开关的一端连接、开关的另一端与一电源的正极连接；所述下金薄板通过导线与一电热丝连接、电热丝通过导线与电源的负极连接；所述电源、开关、电阻、上金薄板、半导体元件、下金薄板、电热丝形成串联回路。本发明通过带隙改变实现可见光向红外光的转变，结构简单，实用性强。