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公开(公告)号：CN119615155A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411808207.1
申请日：2024-12-10
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C23C26/00
Abstract: 本发明涉及一种硫化钼‑硒化钼横向异质结构的制备方法，属于纳米材料技术领域。硅单晶基底预清洗；将硫粉、硒粉分别前后放置在管内的中温区，然后在同一管内的高温区放置钼源，将预清洗后的硅单晶基底放置在管内的高温区端口2‑3cm处，在氩气条件下，同时分别对中温区和高温区分段式加热，冷却至室温后，在硅单晶基底上生长得到硫化钼‑硒化钼横向异质结构(MoS2/MoSe2异质结构)。本发明在硅衬底上生长硫化钼‑硒化钼横向异质结构，本发明得到的异质界面势垒较低，制备方法操作简单，可控性和安全性好，同时克服机械剥离法工艺复杂、剥离过程中材料容易受到污染的问题。
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