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公开(公告)号：CN118360661A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410466590.0
申请日：2024-04-18
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种一维/二维石墨烯纳米带/单层碲化银垂直异质结构及其制备方法，属于纳米材料技术领域。制备银单晶基底；3,6,11,14‑tetrabromodibenzo[g,p]chrysene前驱体蒸发并沉积在银单晶基底,沉积过程控制基底上的银单晶基底温度为25～30℃；通过退火得到一维的石墨烯纳米带(1D Graphene nanoribbons,GNRs)；然后将碲粉末蒸发沉积在预先制备好GNRs的银基底上，沉积过程控制基底和沉积物温度为25～30℃；然后进行退火处理，所沉积的碲粉末将于银基底进行反应形成碲化银单半导体层。此时，GNRs在碲化银之上，一维/二维(GNRs/AgTe)半导体垂直异质结构制备完成。本发明可以可控的制备一维/二维(GNRs/AgTe)半导体垂直异质结构。
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公开(公告)号：CN115676812A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210780598.5
申请日：2022-07-04
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B32/186 , C23C14/02 , C23C14/12 , C23C14/26 , C23C14/58
Abstract: 本发明公开了一种在Au（111）基底上制备手性石墨烯纳米带的方法。在该方法中，通过在超高真空环境下自下而上的样品制备策略，将高纯度的前驱体分子蒸发沉积到干净的单晶Au（111）基底上，然后对样品进行升温退火处理、并借助基底的催化作用，成功实现前驱体分子之间发生脱卤、碳碳耦联得到四联蒽；进一步的升温退火后，四联蒽边缘处的碳氢发生断裂，四联蒽之间在边缘处进行连接，得到聚合物；进一步退火后，分子之间发生环化脱氢反应得到手性石墨烯纳米带。全碳氢的四联蒽在Au（111）基底上可以进行边缘延伸，提供了一种新的制备手性石墨烯纳米带的思路与方法，具有较高的科研价值和广泛的应用潜力。
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公开(公告)号：CN115011923A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210780519.0
申请日：2022-07-04
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高密度氮原子掺杂的二维单层共价网格结构及其制备方法。在该方法中，通过在超高真空环境下利用“自下而上”的合成策略，将高纯度的前驱体分子蒸发沉积到干净的银单晶基底上，然后将样品退火处理，之后在样品表面获得了高密度氮原子掺杂的二维单层共价网格结构。此外，通过增加前驱体分子沉积的时间，可以获得不同覆盖度的高密度氮原子掺杂的二维单层共价网格。该方法为制备单层二维单层共价网格结构提供了新的思路，具有较高的科研价值和广泛的应用潜力。
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公开(公告)号：CN119551663A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411772352.9
申请日：2024-12-04
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B32/184 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种宽带隙的氮原子掺杂的非苯型石墨烯纳米带的制备方法，属于表面合成技术领域。本发明利用1,8‑二溴‑9H‑咔唑前驱体分子在金衬底的催化作用下会发生分子内脱卤偶联和环化脱氢的策略，将1,8‑二溴‑9H‑咔唑前驱体分子沉积在金衬底表面，并在200℃温度下保温20‑40分钟，接着将所述样品冷却至室温，得到一维聚合链。然后将一维分子链样品在400℃温度下保温20‑40分钟，得到氮原子掺杂的非苯型石墨烯纳米带。所制备的氮原子掺杂的非苯型石墨烯纳米带有3.55电子伏特的带隙，属于宽带半导体。
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公开(公告)号：CN118373989A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410466468.3
申请日：2024-04-18
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C08G73/06
Abstract: 本发明涉及一种二聚化共价有机网络结构及其制备方法，属于纳米材料技术领域。制备金单晶基底；2,2′,7,7′‑tetrabromo‑9,9′‑biflurenyliden(TBF)前驱体分子蒸发并沉积在金单晶基底得到沉积在基底上的二维TBF自组装网络结构，沉积过程控制基底上的自组装网络和金单晶基底温度为25～30℃；将基底和沉积在基底上的二维TBF自组装结构进行第一次升温至生长温度保温处理获得一维TBF单体聚合链；然后将一维TBF单体聚合链和基底进行第二次升温至生长温度保温处理得到TBF二聚化共价有机网络结构。本发明制备得到的二聚化共价有机网络结构的组成单元为二聚体，面积大于20平方纳米，且该网络结构具备手性特征。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118291925A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410487735.5
申请日：2024-04-23
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种单层Cu2/3Na1/3Se材料及其制备方法，属于纳米材料技术领域。制备铜单晶基底；硒粉末蒸发并沉积在铜单晶基底得到基底和沉积在基底上的铜硒化合物，沉积过程控制基底上的铜硒化合物和铜单晶基底温度为25～30℃；将基底和沉积在基底上的铜硒化合物进行升温到生长温度保温处理；然后将钠单质蒸发沉积在基底和铜硒沉积物上得到钠掺杂硒化铜沉积物和基底，沉积过程控制基底和沉积物温度为25～30℃；将得到的钠掺杂硒化铜沉积物和基底在室温下进行保温处理得到大面积单层Cu2/3Na1/3Se材料。本发明制备得到的大面积单层Cu2/3Na1/3Se材料为二维网络结构，面积大于250平方纳米，且原子取向均一排列。
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公开(公告)号：CN117865076A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410050469.X
申请日：2024-01-12
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种大面积二维碱金属硫族化合物网络的制备方法，属于纳米材料技术领域。在超高真空环境下，将硒粉末沉积到25～30℃的干净铜单晶基底表面；沉积结束后，将铜单晶基底和沉积到铜单晶基底表面上的硒粉末升温到生长温度，进行退火处理，然后降温至室温，得到退火载硒铜单晶基底；将钾单质蒸发并沉积到退火载硒铜单晶基底上，然后在室温下保持，得到大面积二维钾硒化合物网络。本发明利用硒粉末会与铜衬底发生化学反应形成化合物的策略，将硒粉末沉积到铜衬底表面，以获得在铜衬底上有铜硒化合物、硒原子的样品，对所述样品进行退火处理，再将钾单质沉积到样品表面，并将所述样品升温到室温，最终得到大面积二维钾硒化合物组成的网络结构的样品。
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公开(公告)号：CN115074822B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202210780274.1
申请日：2022-07-04
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种二维量子点阵列及其制备方法。在该制备方法中，选择金属单晶作为衬底，通过分子束外延生长技术将前驱体分子二溴芴沉积到保持在室温的衬底表面，可获得大规模规则有序的二维六边形孔洞结构。该孔洞结构可实现对金属衬底表面自由电子的束缚进而形成二维量子点阵列。该发明提出了一种利用二溴芴分子在金属衬底表面构筑高密度量子点阵列的方法，具有较高的科研价值和广泛的应用潜力。
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公开(公告)号：CN113789498A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111129762.8
申请日：2021-09-26
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高密度纳米尺寸单层二硒化钼岛的制备方法。在该制备方法中，选择银单晶作为衬底，依次将硒粉末和钼金属原子沉积到衬底表面，然后将上述样品升温到生长温度后对样品进行退火处理，之后在样品表面获得了纳米尺寸的单层二硒化钼岛。此外，通过增加硒粉末和钼金属原子的沉积时间，可以获得高密度纳米尺寸的单层二硒化钼岛。该方法为制备高密度纳米尺寸过渡金属硫化物岛提供了新的思路，具有较高的科研价值和广泛的应用潜力。
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公开(公告)号：CN111694082A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010465058.9
申请日：2020-05-28
Applicant: 昆明理工大学
IPC: G02B5/18
Abstract: 本发明涉及低维纳米材料以及光学技术领域，具体涉及一种利用石墨烯纳米带阵列光栅获取频率调制偏振激光的方法，包括以下步骤，（1）在干净的Au(111)单晶近邻台阶面如Au(7 8 8)和Au(11 11 12)单晶面为基底采用自上而下法制备石墨烯纳米带阵列；（2）将制备的石墨烯纳米带阵列转移到基底上，制成光栅；（3）采用偏振拉曼散射光谱标定光栅y轴和x轴；（4）将任意频率激光照射在光栅上，光栅反射出调制频率的偏振激光。本发明采用原子级精确石墨烯纳米带，基于此纳米带的拉曼散射对激光频率进行调制，获得激光具有窄的带宽；对任意频率的激光都能进行调制，潜在应用广泛；光栅调制激光不需要额外电源，使用方便。
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