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公开(公告)号：CN101924179A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010205611.1
申请日：2010-06-10
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L41/08 , H01L41/187 , H01L41/24
Abstract: 本发明提供压电特性和生产率优异的压电薄膜元件以及使用了其的压电薄膜设备。所述压电薄膜元件为在基板上设有由通式(NaxKyLiz)NbO3(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤0.2，x+y+z＝1)表示的压电薄膜的压电薄膜元件，其特征在于，所述压电薄膜为，具有假立方晶、正方晶或斜方晶中的任一种的晶体结构，或具有假立方晶、正方晶或斜方晶中的至少二种共存的晶体结构，这些晶体结构为取向于(001)方向的(001)取向晶粒和取向于(111)方向的(111)取向晶粒共存的结构，且所述晶粒所具有的晶轴中的至少一个晶轴与所述基板表面的法线形成的角处于0°至10°的范围内。
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公开(公告)号：CN101599527A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910145449.6
申请日：2009-06-01
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L41/08 , H01L41/187 , C04B35/495
CPC classification number: H01L41/1873 , H01L41/0815 , H01L41/094 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供一种使用了具有可代替PZT薄膜的压电特性的KNN压电薄膜的压电薄膜元件。在硅基板(1)上具有下部电极(2)、压电薄膜(3)和上部电极(4)的压电薄膜元件中，上述压电薄膜(3)具有用一般式(K1－xNax)NbO3(0＜x＜1)表示的碱性铌氧化物系钙钛矿构造的薄膜，上述(K1－xNax)NbO3薄膜的面外方向晶格常数c与面内方向晶格常数a的比在0.0980≤c/a≤1.0100的范围。
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公开(公告)号：CN1271965A
公开(公告)日：2000-11-01
申请号：CN00108101.2
申请日：2000-04-27
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/30 , H01L33/025 , H01L33/14
Abstract: 通过在P型AlGaInP夹层和P型GaP窗口层之间,插入一层带隙能量低于P型AlGaInP夹层带隙能量的插入层,可以防止在这两层之间的异质介面上形成高势垒。该插入层起到降低正向电压的作用,所以LED的正向电压得到了降低。
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公开(公告)号：CN102157678A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110023507.5
申请日：2011-01-17
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L41/08 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/094 , H01L41/1873 , H03H9/02031
Abstract: 本发明提供一种压电薄膜元件以及压电薄膜设备，就所述压电薄膜元件而言，漏电流少且因驱动而导致的压电常数的恶化少。一种压电薄膜元件，其为在基板(1)上具有下部电极(2)、以组成式(K1-xNax)NbO3表示的碱铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜(3)以及上部电极(4)的压电薄膜元件，就所述压电薄膜元件而言，由(K1-xNax)NbO3表示的所述压电薄膜(3)的组成比x为0.4≤x≤0.7的范围，由X射线衍射测定的(001)面的摇摆曲线的半值宽度为0.5°以上2.5°以下的范围。
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公开(公告)号：CN101497049B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200910003910.4
申请日：2009-01-23
Applicant: 日立电线株式会社
Abstract: 本发明提供一种催化剂载体，其可顺利传递负载于载体的催化剂的活性点所必要的热能。本发明提供的催化剂载体的制造方法包含：通过将混合有金属粉剂和陶瓷粉剂的气溶胶喷涂到金属基材，在上述金属基材上形成至少混合有金属和陶瓷的混合薄膜的工序；和通过使上述混合薄膜的金属溶解于酸或碱溶液来除去，使上述混合薄膜多孔质化的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101931046A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010208804.2
申请日：2010-06-21
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: C04B35/495 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3251 , H01L41/187 , H01L41/1873 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供一种压电性薄膜元件，其提高了压电特性，可实现高性能且高信赖的压电性薄膜设备。本发明的压电性薄膜元件具有基板及在所述基板上以溅射法成膜的、以由(NaxKyLiz)NbO3(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤0.2，x+y+z＝1)表示的钙钛矿型氧化物为主相的压电性薄膜，该压电性薄膜的内部应力的绝对值为1.6GPa以下。
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公开(公告)号：CN101931046B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201010208804.2
申请日：2010-06-21
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L41/187 , H01L41/316 , C04B35/495 , G01R19/00
CPC classification number: C04B35/495 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3251 , H01L41/187 , H01L41/1873 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供一种压电性薄膜元件，其提高了压电特性，可实现高性能且高信赖的压电性薄膜设备。本发明的压电性薄膜元件具有基板及在所述基板上以溅射法成膜的、以由(NaxKyLiz)NbO3(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤0.2，x+y+z＝1)表示的钙钛矿型氧化物为主相的压电性薄膜，该压电性薄膜的内部应力的绝对值为1.6GPa以下。
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公开(公告)号：CN101924179B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201010205611.1
申请日：2010-06-10
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L41/18
Abstract: 本发明提供压电特性和生产率优异的压电薄膜元件以及使用了其的压电薄膜设备。所述压电薄膜元件为在基板上设有由通式(NaxKyLiz)NbO3(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤0.2，x+y+z＝1)表示的压电薄膜的压电薄膜元件，其特征在于，所述压电薄膜为，具有假立方晶、正方晶或斜方晶中的任一种的晶体结构，或具有假立方晶、正方晶或斜方晶中的至少二种共存的晶体结构，这些晶体结构为取向于(001)方向的(001)取向晶粒和取向于(111)方向的(111)取向晶粒共存的结构，且所述晶粒所具有的晶轴中的至少一个晶轴与所述基板表面的法线形成的角处于0°至10°的范围内。
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公开(公告)号：CN103325937A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310076574.2
申请日：2013-03-11
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L41/083 , H01L41/27 , H01L21/66
CPC classification number: H01L41/18 , G01B11/0625 , H01L41/1873 , H01L41/29 , H01L41/316 , Y10T29/42
Abstract: 本发明提供压电体膜的膜厚值可靠性高的带压电体膜的基板、压电体膜元件及其制造方法。所述带压电体膜的基板顺次层叠有在主面上形成的下电极和在下电极上形成的钙钛矿结构的压电体膜；压电体膜的厚度为0.3μm以上10μm以下；在表示反射率和波长关系的反射光谱，即压电体膜的中心部和外周部的各至少1点的反射光谱中，极大值和极小值分别具有至少1个，并且极大值中至少1个的反射率为0.4以上，所述反射率由对压电体膜的表面照射的波长400nm～800nm范围的照射光在压电体膜的表面反射的光与照射光透过压电体膜在下电极的表面反射的光通过干涉而得的反射光算出。
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公开(公告)号：CN102804436A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201180013990.7
申请日：2011-03-24
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: C23C14/025 , C23C14/088 , C23C14/35 , H01L41/0805 , H01L41/1873 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供压电薄膜器件，其具有基板(1)和设置于所述基板(1)上的用组成式(K1-xNax)yNbO3表示的碱性铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜(3)，所述压电薄膜(3)的碳浓度为2×1019/cm3以下，或者所述压电薄膜(3)的氢浓度为4×1019/cm3以下。
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