公开(公告)号：CN101599527B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN200910145449.6

申请日：2009-06-01

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 柴田宪治 ,  冈史人 ,  末永和史

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/187 ,  C04B35/495

CPC classification number: H01L41/1873 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/094 ,  H01L41/316

Abstract: 本发明提供一种使用了具有可代替PZT薄膜的压电特性的KNN压电薄膜的压电薄膜元件。在硅基板(1)上具有下部电极(2)、压电薄膜(3)和上部电极(4)的压电薄膜元件中，上述压电薄膜(3)具有用一般式(K1-xNax)NbO3(0＜x＜1)表示的碱性铌氧化物系钙钛矿构造的薄膜，上述(K1-xNax)NbO3薄膜的面外方向晶格常数c与面内方向晶格常数a的比在0.0980≤c/a≤1.0100的范围。

公开(公告)号：CN102823007A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201080065779.5

申请日：2010-12-21

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 末永和史 ,  柴田宪治 ,  佐藤秀树 ,  野本明

IPC: H01L41/18 ,  C23C14/34 ,  H01L41/08 ,  H01L41/22 ,  H03H9/17

CPC classification number: H01L41/1873 ,  C23C14/088 ,  C30B23/02 ,  C30B29/30 ,  H03H9/02015 ,  H03H9/02094 ,  H03H9/02574 ,  H03H9/171

Abstract: 一种压电薄膜器件，其特征在于，其为在基板上至少配置有下部电极、用通式(NaxKyLiz)NbO3（0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤0.2、x+y+z=1）表示的压电薄膜、以及上部电极的压电薄膜层叠体，所述压电薄膜具有准立方晶、正方晶或正交晶的晶体结构，或者为这些所述晶体结构中的至少一种共存的状态，在它们的晶轴中2轴以下的某些特定轴优先取向，并且作为所述取向的晶轴的成分，在（001）成分和（111）成分的比率中，以这两者的总计为100%时，（001)成分的体积分数在60%以上且100%以下的范围内，（111）成分的体积分数在0%以上且40%以下的范围内。

公开(公告)号：CN101950790A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN201010224767.4

申请日：2010-07-07

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 柴田宪治 ,  佐藤秀树 ,  末永和史 ,  野本明

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/00 ,  H01L41/187

CPC classification number: H01L41/094 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/316

Abstract: 本发明为压电薄膜元件及其制造方法、以及压电薄膜设备。本发明的目的在于稳定提供能够代替PZT薄膜的具有压电特性的KNN压电薄膜元件。该压电薄膜元件的特征在于，具有在硅基板上配置有下部电极、由通式(K1-XNaX)NbO3(0＜x＜1)表示的碱金属铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜、上部电极的结构，在前述压电薄膜元件的X射线衍射2θ/θ图的KNN(002)衍射峰中，该衍射峰的高角度侧下沿区域的强度大于低角度侧下沿区域的强度。

公开(公告)号：CN102157678A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110023507.5

申请日：2011-01-17

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 柴田宪治 ,  末永和史 ,  野本明 ,  渡边和俊

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/187

CPC classification number: H01L41/094 ,  H01L41/1873 ,  H03H9/02031

Abstract: 本发明提供一种压电薄膜元件以及压电薄膜设备，就所述压电薄膜元件而言，漏电流少且因驱动而导致的压电常数的恶化少。一种压电薄膜元件，其为在基板(1)上具有下部电极(2)、以组成式(K1-xNax)NbO3表示的碱铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜(3)以及上部电极(4)的压电薄膜元件，就所述压电薄膜元件而言，由(K1-xNax)NbO3表示的所述压电薄膜(3)的组成比x为0.4≤x≤0.7的范围，由X射线衍射测定的(001)面的摇摆曲线的半值宽度为0.5°以上2.5°以下的范围。

公开(公告)号：CN101931046A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN201010208804.2

申请日：2010-06-21

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 末永和史 ,  柴田宪治 ,  佐藤秀树 ,  野本明

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/24 ,  G01R19/00

CPC classification number: C04B35/495 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3251 ,  H01L41/187 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/316

Abstract: 本发明提供一种压电性薄膜元件，其提高了压电特性，可实现高性能且高信赖的压电性薄膜设备。本发明的压电性薄膜元件具有基板及在所述基板上以溅射法成膜的、以由(NaxKyLiz)NbO3(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤0.2，x+y+z＝1)表示的钙钛矿型氧化物为主相的压电性薄膜，该压电性薄膜的内部应力的绝对值为1.6GPa以下。

公开(公告)号：CN101924179B

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201010205611.1

申请日：2010-06-10

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 末永和史 ,  柴田宪治 ,  佐藤秀树 ,  野本明

IPC: H01L41/18

Abstract: 本发明提供压电特性和生产率优异的压电薄膜元件以及使用了其的压电薄膜设备。所述压电薄膜元件为在基板上设有由通式(NaxKyLiz)NbO3(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤0.2，x+y+z＝1)表示的压电薄膜的压电薄膜元件，其特征在于，所述压电薄膜为，具有假立方晶、正方晶或斜方晶中的任一种的晶体结构，或具有假立方晶、正方晶或斜方晶中的至少二种共存的晶体结构，这些晶体结构为取向于(001)方向的(001)取向晶粒和取向于(111)方向的(111)取向晶粒共存的结构，且所述晶粒所具有的晶轴中的至少一个晶轴与所述基板表面的法线形成的角处于0°至10°的范围内。

公开(公告)号：CN103325937A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310076574.2

申请日：2013-03-11

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 渡边和俊 ,  柴田宪治 ,  末永和史 ,  野本明 ,  堀切文正

IPC: H01L41/083 ,  H01L41/27 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L41/18 ,  G01B11/0625 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/29 ,  H01L41/316 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明提供压电体膜的膜厚值可靠性高的带压电体膜的基板、压电体膜元件及其制造方法。所述带压电体膜的基板顺次层叠有在主面上形成的下电极和在下电极上形成的钙钛矿结构的压电体膜；压电体膜的厚度为0.3μm以上10μm以下；在表示反射率和波长关系的反射光谱，即压电体膜的中心部和外周部的各至少1点的反射光谱中，极大值和极小值分别具有至少1个，并且极大值中至少1个的反射率为0.4以上，所述反射率由对压电体膜的表面照射的波长400nm～800nm范围的照射光在压电体膜的表面反射的光与照射光透过压电体膜在下电极的表面反射的光通过干涉而得的反射光算出。

公开(公告)号：CN102804436A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201180013990.7

申请日：2011-03-24

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 柴田宪治 ,  末永和史 ,  渡边和俊 ,  野本明 ,  堀切文正

IPC: H01L41/18 ,  C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  H01L41/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/22 ,  H01L41/24

CPC classification number: C23C14/025 ,  C23C14/088 ,  C23C14/35 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/316

Abstract: 本发明提供压电薄膜器件，其具有基板(1)和设置于所述基板(1)上的用组成式(K1-xNax)yNbO3表示的碱性铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜(3)，所述压电薄膜(3)的碳浓度为2×1019/cm3以下，或者所述压电薄膜(3)的氢浓度为4×1019/cm3以下。

公开(公告)号：CN102754232A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201180009228.1

申请日：2011-02-15

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 末永和史 ,  柴田宪治 ,  渡边和俊 ,  野本明

IPC: H01L41/187 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22

CPC classification number: H01L41/0805 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/316

Abstract: 本发明提供能够实现压电特性的提高、并具有高性能、且能够实现制造成品率的提高的压电薄膜元件及压电薄膜设备。压电薄膜元件（1）具备基板（10）和压电薄膜（40），所述压电薄膜（40）设在基板（10）上，具有用通式（NaxKyLiz）NbO3（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤0.2，x+y+z=1）表示、选自近似立方晶、正方晶、及斜方晶中的至少一种晶体结构，含有以质量比计为80ppm以下的非活性气体元素。

公开(公告)号：CN102097582A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010556495.8

申请日：2010-11-18

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 柴田宪治 ,  末永和史 ,  野本明 ,  渡边和俊

IPC: H01L41/187 ,  H01L41/08 ,  C04B35/495

CPC classification number: H01L41/316 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/787 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/094 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/29

Abstract: 本发明涉及一种压电薄膜元件及压电薄膜装置。该压电薄膜元件为在基板上具有以组成式(K1-xNax)yNbO3表示的碱金属铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜的压电薄膜元件，用(K1-xNax)yNbO3表示的上述压电薄膜的组成比x、y处于0.4≤x≤0.7且0.7≤y≤0.94的范围内。