公开(公告)号：CN102633288A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210049512.8

申请日：2007-04-20

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 樱田刚史 ,  保坂大佑 ,  茅根环司

IPC: C01F17/00 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C01F17/0043 ,  C01B13/145 ,  C01B13/18 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明提供氧化物粒子的制造方法、以及将利用该制造方法得到的金属氧化物粒子分散于水性介质而得到的浆料、研磨剂、基板的研磨方法，所述氧化物粒子的制造方法的特征为，包含：将金属的碳酸盐和酸进行混合得到混合物的工序，加热所述混合物来得到金属氧化物的工序，粉碎所述金属氧化物的工序。另外，特别提供包含将碳酸铈用作原料金属碳酸盐、将草酸用作酸而得到的氧化铈粒子的研磨剂。本发明提供可以快速地得到不含粗大粒子和磨耗粉的微粒的氧化物粒子的制造方法。进一步提供一种研磨剂，所述研磨剂采用该氧化物粒子，在维持适当的研磨速度的同时，减少划伤，并且可精密地研磨半导体表面。

公开(公告)号：CN102232242A

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN200980148395.7

申请日：2009-12-10

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 佐藤英一 ,  太田宗宏 ,  茅根环司 ,  野部茂 ,  榎本和宏 ,  木村忠广 ,  深泽正人 ,  羽广昌信 ,  星阳介

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明的CMP研磨液，含有研磨粒、添加剂和水，并且配合了满足规定条件的有机化合物作为添加剂。本发明的研磨方法，以表面上具有氧化硅膜的基板作为对象，并且具有一边向氧化硅膜和研磨垫之间供给上述CMP研磨液，一边通过研磨垫进行氧化硅膜的研磨的工序。

公开(公告)号：CN1836315A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200480023189.0

申请日：2004-08-11

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 茅根环司

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463

Abstract: 一种半导体平坦化用研磨剂，含有氧化铈粒子和水，大于等于3μm的粗大氧化铈粒子的含量为小于等于固体中的500ppm(重量比)，优选为小于等于固体中的100ppm，更优选氧化铈粒子的D99(研磨剂中的粒子全体的99体积％)为小于等于1μm。该研磨剂可以减少划痕的产生，并且在半导体装置的配线形成工艺中可以高速且精密地研磨半导体基板表面。