公开(公告)号：CN101058713A

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200710107753.2

申请日：2002-10-31

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 天野仓仁 ,  樱田刚史 ,  安西创 ,  深泽正人 ,  佐佐木晶市

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的配线形成步骤等中用于研磨的研磨液及研磨方法。特别是提供被研磨面即使由多种物质形成仍可以得到高度平坦性的被研磨面，并且可以抑制研磨后的金属残渣、研磨损伤的研磨液以及利用其的化学机械研磨方法。本发明的研磨液，含有全氟链烷磺酸、氧化金属溶解剂和水。本发明的研磨方法包括：研磨具有表面由凹部及凸部组成的层间绝缘膜、沿表面被覆前述层间绝缘膜的阻隔导体层和填充前述凹部被覆阻隔导体层的导电性物质层的基体的导电性物质，使前述凸部的阻隔导体层露出的第1研磨工序，和一边至少向阻隔导体层及凹部的导电性物质层供给本发明的研磨液一边进行化学机械研磨使凸部的层间绝缘膜露出的第2研磨工序。

公开(公告)号：CN1659688A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN03812783.0

申请日：2003-05-29

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 仓田靖 ,  上方康雄 ,  安西创 ,  寺崎裕树

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 一种研磨液，含有金属的氧化剂，金属防蚀剂、氧化金属溶解剂，以及水。该氧化金属溶解剂选自第一可解离酸基的解离常数(PKa)大于等于3.5的酸，这些酸的铵盐及这些酸的有机酸酯中1种或1种以上。该研磨液的pH值在3～4间，且该金属氧化剂的浓度为0.01～3重量％。在半导体元件的配线形成工序中，使用低研粒浓度、低金属防蚀剂浓度的研磨液，因而能够以高研磨速度研磨屏障层使用的导体。

公开(公告)号：CN1610963A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN02826551.3

申请日：2002-10-31

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 天野仓仁 ,  樱田刚史 ,  安西创 ,  深泽正人 ,  佐佐木晶市

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的配线形成步骤等中用于研磨的研磨液及研磨方法。特别是涉及被研磨面即使由多种物质形成仍可以得到高度平坦性的被研磨面，并且可以抑制研磨后的金属残渣、研磨损伤的研磨液以及利用其的化学机械研磨方法。本发明的研磨液是含有界面活性剂及有机溶剂的至少1种、氧化金属溶解剂和水的研磨液，进而可以含有表面用烷基改性的研磨粒和水，优选进一步含有金属氧化剂、水溶性聚合物、金属防蚀剂。