周期极化反转结构的制造方法

    公开(公告)号:CN111226167B

    公开(公告)日:2022-04-22

    申请号:CN201880003453.6

    申请日:2018-08-30

    Abstract: 减小相邻的周期极化反转结构的间隔,并且同时防止电极片部间的绝缘击穿、提高周期极化反转结构的生产率。在强介电性晶体基板(1)的第一主面(1a)上设置由多个电极片部构成的第一电极片部排列体(2A)。通过对第一电极片部排列体(2A)施加电压而形成第一周期极化反转结构(5A)。在相邻的多个所述第一周期极化反转结构(5A)之间设置由多个电极片部(3)构成的第二电极片部排列体(2B)。通过对第二电极片部排列体(2B)施加电压而形成第二周期极化反转结构(5B)。

    压电性材料基板与支撑基板的接合体

    公开(公告)号:CN111684717A

    公开(公告)日:2020-09-18

    申请号:CN201880088584.9

    申请日:2018-12-27

    Abstract: 本发明在支撑基板与由选自由铌酸锂等构成的组中的材质形成的压电性材料基板的接合体中,使接合体的接合强度提高。接合体7、7A具备:支撑基板4;压电性材料基板1、1A,它们由选自由铌酸锂、钽酸锂以及铌酸锂-钽酸锂构成的组中的材质形成;以及非晶质层5,其存在于支撑基板4与压电性材料基板1、1A之间。非晶质层5包含选自由铌和钽构成的组中的一种以上金属原子、构成支撑基板的原子以及氧原子。非晶质层5中的所述金属原子的浓度高于氧原子的浓度,且为20~65原子%。

    压电性单晶基板与支撑基板的接合体

    公开(公告)号:CN112088149B

    公开(公告)日:2021-08-27

    申请号:CN201980026646.8

    申请日:2019-02-13

    Abstract: 本发明在由铌酸锂等形成的压电性单晶基板1(1A)与支撑基板3的接合体8(8A)中,抑制加热时的接合体的翘曲。接合体8(8A)具备:支撑基板3;压电性单晶基板1(1A),所述压电性单晶基板1(1A)由选自由铌酸锂、钽酸锂以及铌酸锂-钽酸锂构成的组中的材质形成;以及非晶质层7,所述非晶质层7包含选自由铌和钽构成的组中的一种以上金属原子、构成支撑基板3的原子以及氩原子,且存在于支撑基板3与压电性单晶基板1(1A)之间。非晶质层7的中央部的氩原子的浓度高于非晶质层7的周缘部的氩原子的浓度。

    压电性材料基板与支撑基板的接合体

    公开(公告)号:CN111684717B

    公开(公告)日:2021-08-27

    申请号:CN201880088584.9

    申请日:2018-12-27

    Abstract: 本发明在支撑基板与由选自由铌酸锂等构成的组中的材质形成的压电性材料基板的接合体中,使接合体的接合强度提高。接合体7、7A具备:支撑基板4;压电性材料基板1、1A,它们由选自由铌酸锂、钽酸锂以及铌酸锂-钽酸锂构成的组中的材质形成;以及非晶质层5,其存在于支撑基板4与压电性材料基板1、1A之间。非晶质层5包含选自由铌和钽构成的组中的一种以上金属原子、构成支撑基板的原子以及氧原子。非晶质层5中的所述金属原子的浓度高于氧原子的浓度,且为20~65原子%。

    周期极化反转结构的制造方法

    公开(公告)号:CN111226167A

    公开(公告)日:2020-06-02

    申请号:CN201880003453.6

    申请日:2018-08-30

    Abstract: 减小相邻的周期极化反转结构的间隔,并且同时防止电极片部间的绝缘击穿、提高周期极化反转结构的生产率。在强介电性晶体基板(1)的第一主面(1a)上设置由多个电极片部构成的第一电极片部排列体(2A)。通过对第一电极片部排列体(2A)施加电压而形成第一周期极化反转结构(5A)。在相邻的多个所述第一周期极化反转结构(5A)之间设置由多个电极片部(3)构成的第二电极片部排列体(2B)。通过对第二电极片部排列体(2B)施加电压而形成第二周期极化反转结构(5B)。

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