公开(公告)号：CN1713388A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN200510078861.2

申请日：2005-06-23

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 田边浩

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L27/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/13 ,  H01L28/55 ,  H01L29/6684

Abstract: 在形成在由玻璃等制成的衬底上的多晶硅薄膜中形成源极/漏极扩散层和沟道区域，此外，通过栅极绝缘膜形成栅极电极6。将硅氢氮化物膜形成在层间介质膜上，由此能够将包括开关薄膜晶体管的有源元件区域中的氢浓度保持在较高水平，并且硅薄膜中的Si－H键变得稳定。此外，通过由导电氧化物膜形成的下电极将铁电膜设置在硅氢氮化物膜上，由此能够将铁电电容元件层的氧浓度保持在较高水平，并防止了铁电膜中氧缺乏的产生。

公开(公告)号：CN101477985B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200910006140.9

申请日：2006-05-22

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 田边浩 ,  对田俊二

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1296 ,  H01L29/78621

Abstract: 在电路设计所要求的阈值相等的多个晶体管中，将初始阈值为所需阈值的可接受范围的下限的晶体管设置在随着操作、阈值电压的绝对值增加的电路位置处，以及将初始阈值为所需阈值的可接受范围的上限的晶体管设置在随着操作、阈值电压的绝对值减小的电路位置处。

公开(公告)号：CN101160645A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200680012418.8

申请日：2006-03-14

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 野上裕 ,  汤田克久 ,  田边浩

IPC: H01L21/316

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/452 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612

Abstract: 本发明提出在低温下制作硅基板与氧化硅膜的界面特性是良好的、低界面陷阱密度的优质的薄膜的薄膜形成方法。本发明是一种在真空容器内生成等离子体并发生活性种(原子团)、用该活性种和材料气体在硅基板上进行氧化硅膜的成膜的薄膜形成方法，在该方法中，在真空容器内活性种(原子团)与材料气体初次接触，对利用两者的反应进行在硅基板上的氧化硅膜形成的成膜处理空间除上述材料气体外导入包含氮原子的气体，将进行了对上述硅基板的氧化硅膜的成膜的期间内的该包含氮原子的气体的流量调整为至少在对上述硅基板的氧化硅膜的成膜开始的时刻为最大。

公开(公告)号：CN1550863A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410063906.4

申请日：2004-05-09

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 田边浩

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78675

Abstract: 提供一种用于制造半导体薄膜的方法，其可以形成具有均匀晶体生长方向和大尺寸的晶粒，以及利用上述方法的制造设备，和用于制造薄膜晶体管的方法。在上述方法中，通过施加被光屏蔽元件部分截取的能量束，熔化和再结晶以光屏蔽区为起始点发生。束辐射向硅薄膜的光屏蔽区提供能量，以便于熔化和再结晶以光屏蔽区为起始点发生，且以便于使光屏蔽区中的局部温度梯度为1200℃/μm或更大。在制造方法中，用于提供能量束的光学系统的分辨率优选为4μm或更小。

公开(公告)号：CN100470801C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200610084797.3

申请日：2006-05-22

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 田边浩 ,  对田俊二

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L27/1296 ,  H01L29/78621

Abstract: 在电路设计所要求的阈值相等的多个晶体管中，将初始阈值为所需阈值的可接受范围的下限的晶体管设置在随着操作、阈值电压的绝对值增加的电路位置处，以及将初始阈值为所需阈值的可接受范围的上限的晶体管设置在随着操作、阈值电压的绝对值减小的电路位置处。

公开(公告)号：CN100568463C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200680012418.8

申请日：2006-03-14

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 野上裕 ,  汤田克久 ,  田边浩

IPC: H01L21/316

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/452 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612

Abstract: 本发明提出在低温下制作硅基板与氧化硅膜的界面特性是良好的、低界面陷阱密度的优质的薄膜的薄膜形成方法。本发明是一种在真空容器内生成等离子体并发生活性种(原子团)、用该活性种和材料气体在硅基板上进行氧化硅膜的成膜的薄膜形成方法，在该方法中，在真空容器内活性种(原子团)与材料气体初次接触，对利用两者的反应进行在硅基板上的氧化硅膜形成的成膜处理空间除上述材料气体外导入包含氮元素的气体，将进行了对上述硅基板的氧化硅膜的成膜的期间内的该包含氮元素的气体的流量调整为至少在对上述硅基板的氧化硅膜的成膜开始的时刻为最大。

公开(公告)号：CN101477985A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200910006140.9

申请日：2006-05-22

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 田边浩 ,  对田俊二

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1296 ,  H01L29/78621

Abstract: 在电路设计所要求的阈值相等的多个晶体管中，将初始阈值为所需阈值的可接受范围的下限的晶体管设置在随着操作、阈值电压的绝对值增加的电路位置处，以及将初始阈值为所需阈值的可接受范围的上限的晶体管设置在随着操作、阈值电压的绝对值减小的电路位置处。

公开(公告)号：CN1550863B

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200410063906.4

申请日：2004-05-09

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 田边浩

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78675

Abstract: 提供一种用于制造半导体薄膜的方法，其可以形成具有均匀晶体生长方向和大尺寸的晶粒，以及利用上述方法的制造设备，和用于制造薄膜晶体管的方法。在上述方法中，通过施加被光屏蔽元件部分截取的能量束，熔化和再结晶以光屏蔽区为起始点发生。束辐射向硅薄膜的光屏蔽区提供能量，以便于熔化和再结晶以光屏蔽区为起始点发生，且以便于使光屏蔽区中的局部温度梯度为1200℃/μm或更大。在制造方法中，用于提供能量束的光学系统的分辨率优选为4μm或更小。

公开(公告)号：CN100411176C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200510078861.2

申请日：2005-06-23

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 田边浩

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L27/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/13 ,  H01L28/55 ,  H01L29/6684

Abstract: 在形成在由玻璃等制成的衬底上的多晶硅薄膜中形成源极/漏极扩散层和沟道区域，此外，通过栅极绝缘膜形成栅极电极6。将硅氢氮化物膜形成在层间介质膜上，由此能够将包括开关薄膜晶体管的有源元件区域中的氢浓度保持在较高水平，并且硅薄膜中的Si-H键变得稳定。此外，通过由导电氧化物膜形成的下电极将铁电膜设置在硅氢氮化物膜上，由此能够将铁电电容元件层的氧浓度保持在较高水平，并防止了铁电膜中氧缺乏的产生。

公开(公告)号：CN1881581A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610084797.3

申请日：2006-05-22

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 田边浩 ,  对田俊二

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L27/1296 ,  H01L29/78621

Abstract: 在电路设计所要求的阈值相等的多个晶体管中，将初始阈值为所需阈值的可接受范围的下限的晶体管设置在随着操作、阈值电压的绝对值增加的电路位置处，以及将初始阈值为所需阈值的可接受范围的上限的晶体管设置在随着操作、阈值电压的绝对值减小的电路位置处。