公开(公告)号：CN100568463C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200680012418.8

申请日：2006-03-14

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 野上裕 ,  汤田克久 ,  田边浩

IPC: H01L21/316

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/452 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612

Abstract: 本发明提出在低温下制作硅基板与氧化硅膜的界面特性是良好的、低界面陷阱密度的优质的薄膜的薄膜形成方法。本发明是一种在真空容器内生成等离子体并发生活性种(原子团)、用该活性种和材料气体在硅基板上进行氧化硅膜的成膜的薄膜形成方法，在该方法中，在真空容器内活性种(原子团)与材料气体初次接触，对利用两者的反应进行在硅基板上的氧化硅膜形成的成膜处理空间除上述材料气体外导入包含氮元素的气体，将进行了对上述硅基板的氧化硅膜的成膜的期间内的该包含氮元素的气体的流量调整为至少在对上述硅基板的氧化硅膜的成膜开始的时刻为最大。

公开(公告)号：CN101160645A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200680012418.8

申请日：2006-03-14

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 野上裕 ,  汤田克久 ,  田边浩

IPC: H01L21/316

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/452 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612

Abstract: 本发明提出在低温下制作硅基板与氧化硅膜的界面特性是良好的、低界面陷阱密度的优质的薄膜的薄膜形成方法。本发明是一种在真空容器内生成等离子体并发生活性种(原子团)、用该活性种和材料气体在硅基板上进行氧化硅膜的成膜的薄膜形成方法，在该方法中，在真空容器内活性种(原子团)与材料气体初次接触，对利用两者的反应进行在硅基板上的氧化硅膜形成的成膜处理空间除上述材料气体外导入包含氮原子的气体，将进行了对上述硅基板的氧化硅膜的成膜的期间内的该包含氮原子的气体的流量调整为至少在对上述硅基板的氧化硅膜的成膜开始的时刻为最大。