二次电池
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110249471A

    公开(公告)日:2019-09-17

    申请号:CN201880008248.9

    申请日:2018-01-25

    Abstract: 本发明的一个实施方式的目的是提供一种高度安全的锂离子二次电池,所述锂离子二次电池包含聚对苯二甲酸乙二醇酯隔膜和具有层状结构和高镍含量的锂镍复合氧化物。根据本发明的第一锂离子二次电池的特征在于具有:具有正极混合物层和绝缘层的正极,所述正极混合物层包含具有层状结构并且非锂金属中的镍比率为60摩尔%以上的锂镍复合氧化物;和隔膜,所述隔膜包含聚对苯二甲酸乙二醇酯。

    磁随机存取存储器
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1672213A

    公开(公告)日:2005-09-21

    申请号:CN03817795.1

    申请日:2003-07-28

    CPC classification number: G11C11/16

    Abstract: 一种磁随机存取存储器,其具备磁性材料结构体,该磁性材料结构体与设置在多条第1信号线和具有与第1信号线的方向垂直的方向的多条第2信号线之间的每个交点上的存储单元相对应。每个存储单元具有包括由第1阈值函数以上的外加磁场使自发磁化的方向反向的自发磁化层的磁阻元件。在每个磁性材料结构体中,由第2阈值函数以上的外加磁场生成的磁场比由未达到第2阈值的外加磁场生成的磁场强。在将由被选择的第1和第2信号线生成的第1合成磁场外加在磁性材料结构体上的磁随机存取存储器中,按照对选择存储单元变为第1阈值函数以上的强度,在非选择存储单元上变为未达到第1阈值函数的强度的方式生成第1合成磁场和磁性材料结构体磁场之间的第2合成磁场的元件外加磁场。

    二次电池
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109314206B

    公开(公告)日:2021-09-21

    申请号:CN201780023703.8

    申请日:2017-04-18

    Abstract: 提供一种电池,其包含隔膜,所述隔膜包含用于防止短路的无机粒子,其中所述无机粒子不容易从所述隔膜去除。该电池的特征在于包含隔膜,所述隔膜包含:具有空隙的基材树脂;和具有面向各空隙的表面(A)和与所述树脂接触的表面(B)的无机粒子,其中在所述隔膜的截面的SEM照片中,在粒子的外周中所述表面(A)的长度为所述粒子的外周长度的50%以上。

    覆膜电池、电池组和制造该覆膜电池的方法

    公开(公告)号:CN111164782A

    公开(公告)日:2020-05-15

    申请号:CN201880063075.0

    申请日:2018-09-27

    Abstract: 本发明提供一种覆膜电池,所述覆膜电池使得能够在不会负面地影响电池元件的密封性能的情况下减小占用面积;和一种制造所述覆膜电池的方法。此覆膜电池包含:电池元件,包含正极和负极;电解质;和外包装体,包含将这些元件密封的膜。所述外包装体包含:(a)第一部分,具有第一底壁21和第一侧壁,所述第一侧壁被设置为沿着所述第一底壁的外边缘的整个周边立起;(b)第二部分,具有第二底面和第二侧壁,所述第二侧壁被设置为从所述第二底面的外边缘的至少一部分立起;和(c)接合部,将所述电池元件定位在所述第一底壁与所述第二底壁之间,并且在所述第一部分和所述第二部分彼此面对的情况下,将所述第一部分和所述第二部分的外周部彼此接合,并且包含侧壁接合部,所述侧壁接合部中所述第一侧壁和所述第二侧壁被彼此接合,所述侧壁接合部被定位在所述电池元件的厚度范围之外。

    磁随机存取存储器
    18.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100447893C

    公开(公告)日:2008-12-31

    申请号:CN03817795.1

    申请日:2003-07-28

    CPC classification number: G11C11/16

    Abstract: 一种磁随机存取存储器,其具备磁性材料结构体,该磁性材料结构体与设置在多条第1信号线和具有与第1信号线的方向垂直的方向的多条第2信号线之间的每个交点上的存储单元相对应。每个存储单元具有包括由第1阈值函数以上的外加磁场使自发磁化的方向反向的自发磁化层的磁阻元件。在每个磁性材料结构体中,由第2阈值函数以上的外加磁场生成的磁场比由未达到第2阈值的外加磁场生成的磁场强。在将由被选择的第1和第2信号线生成的第1合成磁场外加在磁性材料结构体上的磁随机存取存储器中,按照对选择存储单元变为第1阈值函数以上的强度,在非选择存储单元上变为未达到第1阈值函数的强度的方式生成第1合成磁场和磁性材料结构体磁场之间的第2合成磁场的元件外加磁场。

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