公开(公告)号：CN111373767A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201880075031.X

申请日：2018-11-20

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 河本裕介 ,  日紫喜智昭 ,  大户康平 ,  山本沙织 ,  关口裕香

IPC: H04R17/00 ,  B32B7/022 ,  H01L41/09 ,  H01L41/193

Abstract: 压电扬声器(10)具有：压电膜(35)、用于将压电膜(35)固定在支撑体上的固定面(17)、以及配置在压电膜(35)和固定面(17)之间的中间层(40)。中间层(40)的约束度为5×108N/m3以下。

公开(公告)号：CN103507355A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310250138.2

申请日：2013-06-21

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 兵藤智纪 ,  曾我匡统 ,  平尾昭 ,  河本裕介 ,  每川英利

IPC: B32B27/06 ,  B32B27/40 ,  B32B9/04 ,  B32B15/095 ,  H05K7/20

CPC classification number: B32B7/02 ,  B32B3/26 ,  B32B3/30 ,  B32B9/007 ,  B32B9/046 ,  B32B15/046 ,  B32B15/20 ,  B32B2266/0278 ,  B32B2266/06 ,  B32B2305/022 ,  B32B2307/302 ,  B32B2307/306 ,  B32B2307/542 ,  B32B2457/00 ,  H05K7/20472 ,  Y10T428/24942

Abstract: 本发明提供辐射热传导抑制片。根据本发明的一个实施方案的辐射热传导抑制片包括：热传导抑制层；和热传导层。所述热传导抑制层具有0.06W/m·K以下的热导率。所述热传导层具有在7μm至10μm的波长为0.6以下的远红外线吸收率，以及具有200W/m·K以上的热导率。所述辐射热传导抑制片通过在以下状态下被固定到包含加热元件的外壳上来使用：在使得所述热传导层面对所述加热元件的热辐射表面而不与所述加热元件紧密接触的位置，所述热传导抑制层的一侧被固定到所述外壳上。

公开(公告)号：CN118829905A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202380025978.0

申请日：2023-03-23

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 涩谷晃宏 ,  河本裕介 ,  武本博之 ,  服部大辅

IPC: G02B1/111

Abstract: 本发明提供一种透明多孔质膜的制造方法，其能通过喷涂来制造具有优异的透明性和优异的厚度精度的透明多孔质膜。本发明的实施方式的透明多孔质膜的制造方法包括将透明多孔质形成涂料以固体成分浓度变化率满足下式(1)的方式喷涂于基材来形成涂膜的工序，所述透明多孔质形成涂料包含粒子和分散有该粒子的分散介质。1.3≤固体成分浓度变化率≤60……(1)(式(1)中，固体成分浓度变化率表示喷涂后10秒时间点的涂膜中的固体成分浓度与喷涂前的透明多孔质形成涂料中的固体成分浓度之比)。

公开(公告)号：CN116686304A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202180062638.6

申请日：2021-08-05

Applicant: 日东电工株式会社 ,  学校法人关西大学

Inventor： 大户康平 ,  河本裕介 ,  梶川嘉延 ,  牧山雄祐

IPC: H04R17/00

Abstract: 主动噪声控制系统(500)具备结构物(80)和多个压电扬声器(10)。多个压电扬声器(10)配置在结构物(80)的表面(80s)上。各压电扬声器(10)的辐射面沿着第一方向(D1)和第二方向(D2)扩展。第一方向(D1)是连结相邻的各压电扬声器(10)的辐射面的中心间的方向。第二方向(D2)是与第一方向(D1)正交的方向。各压电扬声器(10)的辐射面的第一方向(D1)的尺寸(L1)比第二方向(D2)的尺寸(L2)短。

公开(公告)号：CN104040712A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201280063679.8

申请日：2012-12-04

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 寺田好夫 ,  河本裕介 ,  古田宪司 ,  东城翠 ,  中山纯一

IPC: H01L23/373 ,  C09J11/04 ,  C09J133/04 ,  H01L33/64

CPC classification number: C09J133/066 ,  C08F222/1006 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/4006 ,  H01L33/64 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0075 ,  C08F2220/1858 ,  C08F2220/281 ,  C08F226/08 ,  C08F220/58 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体装置具备用于安装半导体元件的安装基板、与安装基板隔开间隔地对置配置的冷却构件、和介于安装基板和冷却构件之间且与安装基板和冷却构件密合的散热构件。散热构件在夹盘间距20mm、拉伸速度300mm/min、23℃的条件下测定的拉伸弹性模量为600MPa以下。

公开(公告)号：CN102376611A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110217098.2

申请日：2011-07-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 河本裕介 ,  高本尚英 ,  志贺豪士 ,  浅井文辉

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/50 ,  C09J7/02

CPC classification number: H01L23/3157 ,  C09J163/00 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  Y10T428/31504 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、用于生产半导体器件的方法和倒装芯片型半导体器件。本发明涉及一种倒装芯片型半导体背面用膜，其在倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件背面上形成，其中热固化前的倒装芯片型半导体背面用膜在其热固化时，在23℃-165℃范围内的体积收缩率为100ppm/℃-400ppm/℃。