公开(公告)号：CN1268782C

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN01119272.0

申请日：2001-03-21

Applicant: 新明和工业株式会社

Inventor： 小泉康浩 ,  能势功一 ,  床本勋

IPC: C23C14/54 ,  C23C14/32

CPC classification number: H01J37/32422 ,  C23C14/32 ,  H01J37/32706

Abstract: 在离子镀中，基片被容放在设置在真空腔内的基片座上，在真空腔内产生等离子体并形成薄膜，使用一个电源单元，通过基片座向真空腔内施加一个周期为1kHz～1GHz的偏电压，所述偏电压由一个具有预定负电压值并输出预定时间的负偏压成分和一个脉冲偏压成分组成，所述脉冲偏压成分对应于一个具有恒定正电压值并输出预定时间的脉冲输出。

公开(公告)号：CN1701131A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200480000795.0

申请日：2004-05-25

Applicant: 新明和工业株式会社

Inventor： 能势功一 ,  笹川孝市 ,  古塚毅士 ,  泷川志朗 ,  小泉康浩

IPC: C23C14/12 ,  F21S8/10 ,  F21V7/22

CPC classification number: C23C14/205 ,  B05D1/62 ,  B05D5/068 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0089 ,  C23C14/352 ,  C23C14/562 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/509

Abstract: 本发明的成膜装置及方法是由HF电源(11)对背面配置有永久磁铁(10)的阴极(5)提供高频电压，使其产生反应模式的等离子体，使用该等离子体进行等离子体聚合成膜。又，调整真空室(1)内的等离子体源气体的压力，产生金属模式的等离子体而非反应模式的等离子体，使用该等离子体，使作为溅射靶的阴极(5)溅射，进行磁控溅射成膜。

公开(公告)号：CN1632160A

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：CN200410098355.5

申请日：2001-09-26

Applicant: 新明和工业株式会社 ,  西铁城时计株式会社

Inventor： 泷川志朗 ,  能势功一 ,  小泉康浩 ,  堀崇展 ,  宫行男

IPC: C23C14/24

CPC classification number: C23C16/515 ,  C23C14/325 ,  C23C14/545 ,  C23C16/517

Abstract: 一种电弧蒸发器，包括：阳极；作为阴极的蒸发源电极；以及用于产生穿过阳极和蒸发源电极的AC方波电弧电流的电流控制单元。