公开(公告)号：CN102203330B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN200980143619.5

申请日：2009-08-28

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 龟井一人 ,  楠一彦 ,  矢代将齐 ,  八内昭博 ,  下崎新二

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/04

CPC classification number: C30B19/04 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B19/10 ,  C30B29/36

Abstract: 一种方法，其可以通过使用以Si合金的熔体为溶剂的SiC溶液的液相生长技术来稳定地制造适于各种器件使用的、载流子密度为5×1017/cm3以下、优选为小于1×1017/cm3的低载流子密度的SiC单晶薄膜或块状晶体，该方法使用具有如下组成的合金作为Si合金：以SixCryTiz表示，且x、y和z(分别为原子％)满足(1)0.50＜x＜0.68、0.08＜y＜0.35以及0.08＜z＜0.35、或(2)0.40＜x≤0.50、0.15＜y＜0.40以及0.15＜z＜0.35。x、y和z优选满足0.53＜x＜0.65、0.1＜y＜0.3以及0.1＜z＜0.3。

公开(公告)号：CN104603336B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201380045663.9

申请日：2013-08-12

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  新日铁住金株式会社

Inventor： 加渡干尚 ,  楠一彦 ,  龟井一人

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/10

CPC classification number: H01L21/02628 ,  C30B9/06 ,  C30B17/00 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02598

Abstract: 在溶液法中，提供能够比以往大幅提高生长速度的SiC单晶体的制造方法。一种SiC单晶体的制造方法，使晶种基板接触被放入到坩埚内且具有温度从内部朝向液面降低的温度梯度的Si‑C溶液，而晶体生长SiC单晶体，其中，所述坩埚的深度/内径小于1.71，从Si‑C溶液的液面至液面下10mm的范围的温度梯度大于42℃/cm。

公开(公告)号：CN107075725A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580056446.9

申请日：2015-10-13

Applicant: 新日铁住金株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 龟井一人 ,  岸田豊 ,  楠一彦 ,  大黑宽典 ,  土井雅喜

IPC: C30B29/36

CPC classification number: C30B19/062 ,  C30B17/00 ,  C30B19/04 ,  C30B19/067 ,  C30B19/08 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明提供一种易于搅拌和加热Si‐C溶液的SiC单晶的制造装置。该SiC单晶的制造装置具备能够容纳Si－C溶液(7)的坩埚(5)、晶种轴(6)、以及感应加热装置(3)。坩埚(5)能够容纳Si－C溶液(7)。坩埚(5)包括筒部(51)和底部(52)。筒部(51)具有外周面(51A)和内周面(51B)。底部(52)配置于筒部(51)的下端。底部(52)形成坩埚(5)的内底面(52B)。能够在晶种轴(6)的下端安装晶种(8)。感应加热装置(3)配置于坩埚(5)的筒部(51)的周围。感应加热装置(3)用于加热坩埚(5)和Si－C溶液(7)。外周面(51A)具有与筒部(51)的周向交叉地延伸的槽(10)。

公开(公告)号：CN106167916A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610325787.8

申请日：2016-05-17

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  新日铁住金株式会社

Inventor： 大黑宽典 ,  楠一彦 ,  龟井一人 ,  关和明 ,  岸田丰

IPC: C30B15/10 ,  C30B15/14 ,  C30B29/36

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B9/06 ,  C30B15/10 ,  C30B15/14

Abstract: 本发明涉及SiC的制造方法。提供与以往相比可抑制杂晶产生的基于溶液法的SiC单晶的制造方法。使晶种基板与具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触以使SiC单晶生长的SiC单晶制造方法，其中坩埚具有与Si‑C溶液液面相同高度的水平方向的厚度Lu和与坩埚底部内壁相同高度的水平方向的厚度Ld，Ld/Lu为2.00～4.21；在厚度Lu与厚度Ld之间坩埚水平方向的厚度从厚度Lu向厚度Ld单调增加；坩埚壁厚为1mm以上；坩埚底部铅直方向的厚度Lb为1mm以上15mm以下；坩埚底部外壁具有面积为100mm2以上的平坦部；使Si‑C溶液距坩埚底部内壁的深度为30mm以上；该方法包括利用配置于坩埚周围的高频线圈加热和电磁搅拌Si‑C溶液。

公开(公告)号：CN103597129B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201280027616.7

申请日：2012-06-11

Applicant: 新日铁住金株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 龟井一人 ,  楠一彦 ,  矢代将齐 ,  冈田信宏 ,  大黑宽典 ,  加渡干尚 ,  坂元秀光

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/06

CPC classification number: C30B15/10 ,  C30B17/00 ,  C30B19/02 ,  C30B19/08 ,  C30B29/36 ,  C30B35/00 ,  Y10T117/1032

Abstract: 一种SiC单晶体的制造装置既抑制SiC溶液的周边区域的温度不均匀，同时又冷却SiC种结晶的附近区域。该SiC单晶体的制造装置包括籽晶轴（30）以及坩埚（14）。籽晶轴（30）具有供SiC种结晶（36）安装的下端面（34）。坩埚（14）用于容纳SiC溶液（16）。坩埚（14）包括主体（140）、中盖（42）和上盖（44）。主体（140）包括第1筒部（38）和配置于第1筒部（38）的下端部的底部（40）。中盖（42）配置于主体（140）内的SiC溶液（16）的液面的上方、且是第1筒部（38）内。中盖（42）具有使籽晶轴（30）穿过的第1通孔（48）。上盖（44）配置于中盖（42）的上方。上盖（44）具有使籽晶轴（30）穿过的第2通孔（52）。

公开(公告)号：CN103210127B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201180054125.7

申请日：2011-11-04

Applicant: 新日铁住金株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 楠一彦 ,  龟井一人 ,  矢代将齐 ,  森口晃治 ,  冈田信宏 ,  旦野克典 ,  大黑宽典

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/00

CPC classification number: C30B15/20 ,  C30B15/10 ,  C30B15/30 ,  C30B15/36 ,  C30B17/00 ,  C30B19/02 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明提供一种n型SiC单晶的制造方法，其能够抑制所制造的多个n型SiC单晶锭间的氮浓度的偏差。本实施方式的n型SiC单晶的制造方法包括：准备具备腔室(1)的制造装置(100)的工序，所述腔室(1)具有配置坩埚(7)的区域；将配置坩埚(7)的区域加热，并且将腔室(1)内的气体真空排气的工序；在真空排气后，将含有稀有气体和氮气的混合气体填充到腔室(1)内的工序；利用加热使配置于区域的坩埚(7)中容纳的原料熔融，生成含有硅和碳的SiC熔液(8)的工序；以及，在混合气体气氛下，将SiC晶种浸渍于SiC熔液，在SiC晶种上培养n型SiC单晶的工序。

公开(公告)号：CN104662211A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201380046191.9

申请日：2013-08-30

Applicant: 新日铁住金株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 龟井一人 ,  楠一彦 ,  矢代将齐 ,  冈田信宏 ,  森口晃治 ,  大黑宽典 ,  加渡干尚 ,  坂元秀光

IPC: C30B17/00 ,  C30B29/36

CPC classification number: C30B19/10 ,  C30B19/04 ,  C30B19/062 ,  C30B19/067 ,  C30B19/068 ,  C30B19/12 ,  C30B29/36

Abstract: 制造装置(10)用于利用溶液生长法制造单晶。制造装置(10)包括晶种轴(28)、坩埚(14)、以及驱动源(26)。晶种轴具有安装有晶种(32)的下端面(28S)。坩埚(14)容纳成为单晶的原料的溶液(15)。驱动源(26)使坩埚(14)旋转，并且使坩埚(14)的转速变化。坩埚(14)的内周面含有横切形状为非圆形的流动控制面(382)。该单晶的制造装置能够强烈地搅拌坩埚所容纳的溶液。

公开(公告)号：CN104651938A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201410671057.4

申请日：2014-11-21

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  新日铁住金株式会社

Inventor： 旦野克典 ,  楠一彦 ,  龟井一人

IPC: C30B29/36

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B9/06 ,  C30B11/003 ,  C30B17/00 ,  C30B19/04 ,  C30B11/00

Abstract: 本发明提供一种SiC单晶的制造方法，即使在籽晶接触后改变Si-C溶液的温度，也能够抑制多晶的产生。一种SiC单晶的制造方法，其使被晶种保持轴(12)保持的SiC晶种基板(14)与具有温度从内部向表面降低的温度梯度的Si-C溶液(24)接触，使SiC单晶成长，其具备：(A)使Si-C溶液(24)为第一温度的工序；(B)使被晶种保持轴(12)保持的晶种基板(14)与Si-C溶液(24)接触的工序；(C)在使晶种基板(14)与Si-C溶液(24)接触后，使Si-C溶液(24)为第二温度的工序；以及(D)根据从第一温度至第二温度时的Si-C溶液(24)的液面高度的变化，使被晶种保持轴(12)保持的晶种基板(14)在上下方向上移动的工序。

公开(公告)号：CN103620094A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201280027428.4

申请日：2012-06-15

Applicant: 新日铁住金株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 楠一彦 ,  龟井一人 ,  矢代将齐 ,  冈田信宏 ,  大黑宽典 ,  加渡干尚 ,  坂元秀光

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/06

CPC classification number: C30B35/00 ,  C30B9/10 ,  C30B11/003 ,  C30B15/32 ,  C30B17/00 ,  C30B19/068 ,  C30B19/08 ,  C30B29/36 ,  Y10T117/1068 ,  Y10T117/1092

Abstract: 本发明的目的在于提供能够对安装于籽晶轴的晶种高效地进行冷却的SiC单晶体的制造装置。该制造装置具备：坩埚（14），其用于容纳Si－C溶液（16）；以及籽晶轴（30），具有供SiC晶种（36）安装的下端面（34）。籽晶轴包括：内管（48），其在坩埚的高度方向上延伸，在自身内侧形成第1流路（60）；外管（50），其容纳内管，在该外管（50）与内管之间形成第2流路（SP1）；以及底部，其覆盖外管的下端开口且具有下端面。第1流路以及第2流路中的一者是供冷却气体向下方流动的导入流路，另一者是供冷却气体向上方流动的排出流路。从籽晶轴的轴向观察，SiC晶种的60%以上的区域与形成导入流路的管的内侧的区域重叠。

公开(公告)号：CN107208311A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680009053.7

申请日：2016-02-18

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 谷小桃 ,  矢野孝幸 ,  藤本辰雄 ,  柘植弘志 ,  龟井一人 ,  楠一彦 ,  关和明

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明针对在籽晶与生长SiC单晶的界面附近发生的穿透螺型位错的增大，提供一种通过提高伴随SiC单晶的生长而发生的位错密度的减少率，从而制造从生长的初期阶段开始穿透螺型位错密度就较小的SiC单晶块的方法。本发明涉及一种碳化硅单晶块的制造方法，其是在由碳化硅单晶形成的籽晶的生长面上使用升华再结晶法使碳化硅单晶生长而制造碳化硅单晶块的方法，其中，预先在籽晶的生长面上形成台阶的高度为10μm～1mm、平台的宽度为200μm～1mm的台阶聚束，然后使用升华再结晶法使碳化硅单晶在所述籽晶的生长面上生长。