公开(公告)号：CN102203330B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN200980143619.5

申请日：2009-08-28

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 龟井一人 ,  楠一彦 ,  矢代将齐 ,  八内昭博 ,  下崎新二

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/04

CPC classification number: C30B19/04 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B19/10 ,  C30B29/36

Abstract: 一种方法，其可以通过使用以Si合金的熔体为溶剂的SiC溶液的液相生长技术来稳定地制造适于各种器件使用的、载流子密度为5×1017/cm3以下、优选为小于1×1017/cm3的低载流子密度的SiC单晶薄膜或块状晶体，该方法使用具有如下组成的合金作为Si合金：以SixCryTiz表示，且x、y和z(分别为原子％)满足(1)0.50＜x＜0.68、0.08＜y＜0.35以及0.08＜z＜0.35、或(2)0.40＜x≤0.50、0.15＜y＜0.40以及0.15＜z＜0.35。x、y和z优选满足0.53＜x＜0.65、0.1＜y＜0.3以及0.1＜z＜0.3。