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公开(公告)号：CN102822396B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201180016856.2
申请日：2011-04-07
Applicant: 新日铁住金株式会社
IPC: C30B29/36 , C23C16/42 , C30B25/16 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02378 , C30B25/10 , C30B29/36 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L21/02661
Abstract: 本发明涉及外延碳化硅单晶基板的制造方法，其根据化学气相沉积法使碳化硅膜在碳化硅单晶基板上外延生长。该方法的结晶生长工序中包括伴有温度切换操作的结晶生长副工序，该温度切换操作使生长温度在相对于占外延生长主要时间的结晶生长主工序的生长温度T1低的设定温度T0与高的设定温度T2之间上下地变化。抑制碳化硅单晶基板中所包含的基底面位错延续到外延膜中，形成高品质的外延膜。
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公开(公告)号：CN103228827A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201180055581.3
申请日：2011-11-15
Applicant: 新日铁住金株式会社
IPC: C30B29/36 , C23C16/42 , C30B25/20 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02378 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B25/186 , C30B29/36 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , Y10S438/931
Abstract: 本发明的课题在于提供一种在偏离角度较小的碳化硅单晶基板上具有表面缺陷等较少的、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板的制造方法。根据本发明，在偏离角度为4°以下的碳化硅单晶基板上具有表面缺陷等较少的、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板的制造方法中，在进行上述外延生长之前，使含有硅和氯的气体与氢气一同流动，使硅原子相对于氢气中的氢原子的浓度达到0.0001%～0.01%，在1550℃～1650℃的温度下进行0.1μm～1μm的预处理刻蚀，然后形成外延层。
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公开(公告)号：CN104704150B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201380052882.X
申请日：2013-11-15
Applicant: 新日铁住金株式会社
IPC: C30B29/36
CPC classification number: C30B23/02 , C30B23/002 , C30B23/025 , C30B29/36
Abstract: 本发明提供碳化硅单晶基板及其制法，该碳化硅单晶基板是从采用升华再结晶法生长而成的块状碳化硅单晶切出的基板，其中，在将基板对半分所得到的某一单侧的半圆区域内产生的螺旋位错比在剩下的半圆区域产生的螺旋位错少，从而螺旋位错部分降低。其是从采用升华再结晶法生长而成的块状碳化硅单晶切出的碳化硅单晶基板，其中，在将该基板对半分所得到的单侧的半圆区域内的多个测定点观察得到的螺旋位错密度的平均值为在剩下的半圆区域内的多个测定点观察得到的螺旋位错密度的平均值的80％以下。
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公开(公告)号：CN107208311A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680009053.7
申请日：2016-02-18
Applicant: 新日铁住金株式会社
Abstract: 本发明针对在籽晶与生长SiC单晶的界面附近发生的穿透螺型位错的增大，提供一种通过提高伴随SiC单晶的生长而发生的位错密度的减少率，从而制造从生长的初期阶段开始穿透螺型位错密度就较小的SiC单晶块的方法。本发明涉及一种碳化硅单晶块的制造方法，其是在由碳化硅单晶形成的籽晶的生长面上使用升华再结晶法使碳化硅单晶生长而制造碳化硅单晶块的方法，其中，预先在籽晶的生长面上形成台阶的高度为10μm～1mm、平台的宽度为200μm～1mm的台阶聚束，然后使用升华再结晶法使碳化硅单晶在所述籽晶的生长面上生长。
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公开(公告)号：CN103370454B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201280008889.7
申请日：2012-04-20
Applicant: 新日铁住金株式会社
IPC: C30B29/36 , C23C16/42 , C30B25/20 , H01L21/205
CPC classification number: H01L29/30 , C23C16/325 , C30B25/02 , C30B25/20 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供一种在碳化硅单晶基板上具有堆垛层错少、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板及其制造方法。是在偏离角度为4°以下的碳化硅单晶基板上、以合计低于10个/cm2地含有通过光致发光在400nm～600nm的波长处发光的堆垛层错的方式、在碳化硅单晶基板上使碳化硅外延层生长而得到的外延碳化硅单晶基板，此外，本发明的制造方法是形成外延层时所用的硅系的材料气体为氯硅烷、同时碳系的材料气体为烃气体、在1600℃以上且1700℃以下的生长温度下，通过使C/Si比在0.5以上且1.0以下、生长速度在1μm/小时以上且3μm/小时以下来形成外延层的外延碳化硅单晶基板的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103228827B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201180055581.3
申请日：2011-11-15
Applicant: 新日铁住金株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/36 , C23C16/42 , C30B25/20
CPC classification number: H01L21/02378 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B25/186 , C30B29/36 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , Y10S438/931
Abstract: 本发明的课题在于提供一种在偏离角度较小的碳化硅单晶基板上具有表面缺陷等较少的、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板的制造方法。根据本发明，在偏离角度为4°以下的碳化硅单晶基板上具有表面缺陷等较少的、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板的制造方法中，在进行上述外延生长之前，使含有硅和氯的气体与氢气一同流动，使硅原子相对于氢气中的氢原子的浓度达到0.0001%～0.01%，在1550℃～1650℃的温度下进行0.1μm～1μm的预处理刻蚀，然后形成外延层。
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公开(公告)号：CN103620095A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201280031177.7
申请日：2012-08-29
Applicant: 新日铁住金株式会社
IPC: C30B29/36
CPC classification number: C30B23/02 , C30B23/00 , C30B29/36 , H01L29/1608 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种晶体品质高、尤其螺型位错密度非常低的SiC单晶的制造方法及通过该方法得到的SiC单晶锭。特别是，提供一种从通过升华再结晶法生长而成的块状的碳化硅单晶中切出的基板，该碳化硅单晶基板中，与中心部相比周边部的螺型位错密度小、局部地使螺型位错减少。本发明是采用了籽晶的利用升华再结晶法的SiC单晶的制造方法、及由此得到的SiC单晶锭。特别是，所述碳化硅单晶基板的特征在于，在将基板的直径设为R、定义以基板的中心点O为中心且具有0.5×R的直径的中心圆区域、和除去该中心圆区域后剩余的环状周边区域时，在所述环状周边区域中观察到的螺型位错密度的平均值为在所述中心圆区域中观察到的螺型位错密度的平均值的80%以下。
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公开(公告)号：CN103370454A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201280008889.7
申请日：2012-04-20
Applicant: 新日铁住金株式会社
IPC: C30B29/36 , C23C16/42 , C30B25/20 , H01L21/205
CPC classification number: H01L29/30 , C23C16/325 , C30B25/02 , C30B25/20 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供一种在碳化硅单晶基板上具有堆垛层错少、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板及其制造方法。是在偏离角度为4°以下的碳化硅单晶基板上、以合计低于10个/cm2地含有通过光致发光在400nm～600nm的波长处发光的堆垛层错的方式、在碳化硅单晶基板上使碳化硅外延层生长而得到的外延碳化硅单晶基板，此外，本发明的制造方法是形成外延层时所用的硅系的材料气体为氯硅烷、同时碳系的材料气体为烃气体、在1600℃以上且1700℃以下的生长温度下，通过使C/Si比在0.5以上且1.0以下、生长速度在1μm/小时以上且3μm/小时以下来形成外延层的外延碳化硅单晶基板的制造方法。
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公开(公告)号：CN106435733A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610843180.9
申请日：2009-10-14
Applicant: 新日铁住金株式会社
IPC: C30B29/36
CPC classification number: C30B29/36 , C30B23/00 , C30B23/025 , C30B25/00 , Y10T428/2918
Abstract: 本发明提供一种优质的碳化硅单晶以及碳化硅单晶晶片，所述碳化硅单晶，其位错和微管等的晶体缺陷的密度低，在应用于器件时成品率高并可发挥高的性能，在晶种与生长晶体的界面的生长方向的前后的杂质添加元素浓度之比为5倍以内，并且，晶种附近的生长晶体的杂质添加元素浓度为2×1019cm-3以上、6×1020cm-3以下。
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公开(公告)号：CN103620095B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201280031177.7
申请日：2012-08-29
Applicant: 新日铁住金株式会社
IPC: C30B29/36
CPC classification number: C30B23/02 , C30B23/00 , C30B29/36 , H01L29/1608 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种晶体品质高、尤其螺型位错密度非常低的SiC单晶的制造方法及通过该方法得到的SiC单晶锭。特别是，提供一种从通过升华再结晶法生长而成的块状的碳化硅单晶中切出的基板，该碳化硅单晶基板中，与中心部相比周边部的螺型位错密度小、局部地使螺型位错减少。本发明是采用了籽晶的利用升华再结晶法的SiC单晶的制造方法、及由此得到的SiC单晶锭。特别是，所述碳化硅单晶基板的特征在于，在将基板的直径设为R、定义以基板的中心点O为中心且具有0.5×R的直径的中心圆区域、和除去该中心圆区域后剩余的环状周边区域时，在所述环状周边区域中观察到的螺型位错密度的平均值为在所述中心圆区域中观察到的螺型位错密度的平均值的80%以下。
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