公开(公告)号：CN107354510A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710319173.3

申请日：2017-05-09

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  新日铁住金株式会社

Inventor： 大黑宽典 ,  楠一彦 ,  关和明

IPC: C30B29/36 ,  C30B11/00

CPC classification number: C30B19/10 ,  C30B9/06 ,  C30B9/10 ,  C30B19/04 ,  C30B19/062 ,  C30B19/08 ,  C30B19/12 ,  C30B29/36 ,  C30B11/00

Abstract: 本发明涉及SiC单晶及其制造方法。提供一种抑制4H以外的多晶型物的产生，使4H-SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法。使晶种基板与具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si-C溶液接触从而使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，其中，所述晶种基板为4H-SiC，该制造方法包括：将所述晶种基板的(000-1)面作为生长面，将所述Si-C溶液的表面中所述晶种基板的生长面接触的区域的中央部的温度设为1900℃以上，和将所述中央部和在铅直方向下方距所述中央部10mm的位置之间的温度梯度ΔTc、与所述中央部和在水平方向距所述中央部10mm的位置之间的温度梯度ΔTa之比ΔTc/ΔTa设为1.7以上。

公开(公告)号：CN107075726A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580056466.6

申请日：2015-10-13

Applicant: 新日铁住金株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 楠一彦 ,  龟井一人 ,  关和明 ,  岸田豊 ,  森口晃治 ,  海藤宏志 ,  大黑宽典 ,  土井雅喜

IPC: C30B29/36

CPC classification number: C30B19/062 ,  C30B17/00 ,  C30B19/04 ,  C30B19/08 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明提供即使在长时间地进行晶体生长的情况下也能够减少Si－C溶液的温度偏差的、SiC单晶的制造方法。本实施方式的SiC单晶的制造方法包括以下工序：准备工序，在该准备工序中，准备制造装置(100)，该制造装置(100)包括容纳有Si－C溶液的原料的坩埚(7)、在下端安装有晶种(9)的晶种轴(41)、以及在中央具有供晶种轴(41)穿过的通孔(60A)且能够配置于坩埚(7)内的中盖(60)；生成工序，在该生成工序中，对坩埚(7)内的原料进行加热而生成Si－C溶液(8)；生长工序，在该生长工序中，使晶种(9)与Si－C溶液(8)相接触，从而在晶种(9)上制造SiC单晶；以及中盖调整工序，在生长工序中实施该中盖调整工序，使中盖(60)和坩埚(7)中的任一者相对于另一者在高度方向上相对移动，从而将中盖(60)与Si－C溶液(8)之间的高度方向距离的变动幅度调整到第1基准范围内。

公开(公告)号：CN105453290A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201480044804.X

申请日：2014-08-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 克里斯多弗·丹尼斯·本彻 ,  谢鹏 ,  斯蒂芬·莫法特 ,  布鲁斯·E·亚当斯 ,  马耶德·A·福阿德

IPC: H01L43/08

CPC classification number: C30B30/04 ,  C23C14/04 ,  C23C14/16 ,  C23C14/5806 ,  C30B19/08 ,  C30B29/02

Abstract: 一种磁场导引式晶体方向系统以及一种操作磁场导引式晶体方向系统的方法包括：工作平台；加热元件，所述加热元件在所述工作平台之上，所述加热元件用于选择性地加热在晶片基板上的基底层，所述基底层具有晶粒，其中所述晶片基板是所述工作平台上的晶片的一部分；以及磁组件，所述磁组件相对于所述加热元件而固定，所述磁组件用于使用10特斯拉或更大的磁场来对准所述基底层的晶粒，以形成互连，所述互连具有所述互连中的晶粒的晶体方向匹配于所述基底层的晶粒的晶体方向。

公开(公告)号：CN104870698A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201380067728.X

申请日：2013-04-01

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 白井嵩幸

IPC: C30B29/36 ,  C01B31/36

CPC classification number: C30B19/062 ,  C30B17/00 ,  C30B19/04 ,  C30B19/067 ,  C30B19/068 ,  C30B19/08 ,  C30B19/106 ,  C30B19/12 ,  C30B29/36

Abstract: 提供了能够以快的速度使具有低电阻率的n型SiC单晶成长的n型SiC单晶的制造方法。该n型SiC单晶的制造方法，其是使SiC晶种基板与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si-C溶液接触从而使n型SiC单晶结晶成长的n型SiC单晶的制造方法，包括：将氮化物添加至用于形成Si-C溶液的原料或者Si-C溶液。

公开(公告)号：CN105401218B

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201510565878.4

申请日：2015-09-08

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 白井嵩幸

IPC: C30B29/36 ,  C30B7/08

CPC classification number: C30B19/10 ,  C30B9/06 ,  C30B19/02 ,  C30B19/04 ,  C30B19/062 ,  C30B19/067 ,  C30B19/08 ,  C30B19/106 ,  C30B19/12 ,  C30B29/36 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明涉及SiC单晶及其制造方法。提供了不包含夹杂物的低电阻p型SiC单晶。SiC单晶的制造方法，其是使SiC晶种基板14与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液24接触以使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，其包括：作为Si‑C溶液24，使用包含Si、Cr和Al，且以Si、Cr和Al的总量为基准，包含3原子％以上的Al的Si‑C溶液24，以及，设定Si‑C溶液24的表面区域的温度梯度y(℃/cm)，使得满足式(1)：y≥0.15789x+21.52632(1)(式中，x表示上述Si‑C溶液中的Al含量(原子％))。

公开(公告)号：CN105593414A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201480052509.9

申请日：2014-08-27

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  新日铁住金株式会社

Inventor： 大黑宽典 ,  加渡干尚 ,  龟井一人 ,  楠一彦

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/10

CPC classification number: C30B19/10 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B19/062 ,  C30B19/068 ,  C30B19/08 ,  C30B19/12 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供了一种具有大的生长厚度且不包含夹杂物的SiC单晶。所述SiC单晶是通过溶液法生长的SiC单晶，其中，SiC单晶的{0001}生长面中的{1-100}面的合计长度M与SiC单晶的生长面的外周长度P满足M/P≤0.70的关系，并且SiC单晶的生长方向的长度为2mm以上。

公开(公告)号：CN104831361A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510083163.5

申请日：2011-07-01

Applicant: 株式会社理光 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 佐藤隆 ,  皿山正二 ,  岩田浩和 ,  森勇介 ,  北冈康夫

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/00

CPC classification number: C30B19/02 ,  C30B9/10 ,  C30B19/08 ,  C30B19/10 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  Y10T428/24942

Abstract: 本发明的实施例公开了一种氮化物晶体及其制造方法。该氮化物晶体围绕籽晶的外周，一实施例中的氮化物晶体包括：第一局部区域和第二局部区域，并且第二局部区域具有不同于第一局部区域的光学特性，且具有表明晶向的光学特性。

公开(公告)号：CN104630887A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201310549626.3

申请日：2013-11-06

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 潘世烈 ,  张辉 ,  张敏

IPC: C30B29/12 ,  G02B5/04 ,  G02B5/30

CPC classification number: C30B29/22 ,  C01B35/066 ,  C30B15/10 ,  C30B15/14 ,  C30B15/22 ,  C30B15/30 ,  C30B17/00 ,  C30B19/02 ,  C30B19/062 ,  C30B19/067 ,  C30B19/08 ,  C30B19/10 ,  C30B29/12 ,  G02B1/08 ,  G02B5/30 ,  G02B27/283

Abstract: 本发明涉及一种氟硼酸钡钠双折射晶体及其制备方法和应用，该晶体化学式为Na3Ba2(B3O6)2F，分子量459.37，属于六方晶系，空间群为P6(3)/m，晶胞参数为a=7.3490(6)？，c=12.6340(2)？，V=590.93(12)？3，Z=2；该晶体用于红外-深紫外波段，为负单轴晶体，ne

公开(公告)号：CN104870698B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201380067728.X

申请日：2013-04-01

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 白井嵩幸

IPC: C30B17/00 ,  C30B19/04 ,  C30B19/06 ,  C30B29/36

CPC classification number: C30B19/062 ,  C30B17/00 ,  C30B19/04 ,  C30B19/067 ,  C30B19/068 ,  C30B19/08 ,  C30B19/106 ,  C30B19/12 ,  C30B29/36

Abstract: 提供了能够以快的速度使具有低电阻率的n型SiC单晶成长的n型SiC单晶的制造方法。该n型SiC单晶的制造方法，其是使SiC晶种基板与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触从而使n型SiC单晶结晶成长的n型SiC单晶的制造方法，包括：将氮化物添加至用于形成Si‑C溶液的原料或者Si‑C溶液。

公开(公告)号：CN106795648A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580054987.8

申请日：2015-10-07

Applicant: 新日铁住金株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 岸田豊 ,  龟井一人 ,  大黑宽典 ,  土井雅喜

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/10 ,  C30B30/04 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B15/14 ,  C30B9/06 ,  C30B15/20 ,  C30B15/30 ,  C30B15/305 ,  C30B17/00 ,  C30B19/04 ,  C30B19/062 ,  C30B19/067 ,  C30B19/08 ,  C30B19/10 ,  C30B29/36 ,  C30B30/04

Abstract: 本发明提供能够使台阶流动的方向和SiC溶液在晶体生长界面的附近流动的方向为相反方向的SiC单晶的制造装置和SiC单晶的制造方法。坩埚由石墨形成，用于容纳SiC溶液。第1感应加热线圈和第2感应加热线圈卷绕在坩埚的周围。第1感应加热线圈配置于比SiC溶液的表面靠上方的位置。第2感应加热线圈配置于第1感应加热线圈的下方。电源用于向第1感应加热线圈供给第1交变电流且向第2感应加热线圈供给第2交变电流，该第2交变电流具有与第1交变电流相同的频率且向与第1交变电流相反的方向流动。自坩埚所具有的侧壁中的与SiC溶液相接触的部分的、因电源向第1感应加热线圈供给第1交变电流且向第2感应加热线圈供给第2交变电流而产生的磁场的强度达到最大的位置到SiC溶液的表面为止的距离满足预定的式子。