热光可调控的VO2-MIM超表面构建方法、VO2-MIM超表面及应用

    公开(公告)号:CN118534681B

    公开(公告)日:2024-12-03

    申请号:CN202410595482.3

    申请日:2024-05-14

    Abstract: 本发明公开了热光可调控的VO2‑MIM超表面构建方法、VO2‑MIM超表面及应用,属于光学器件领域,包括以下步骤:S1、利用单模单端口谐振器模型构建MIM超表面相位理论模型:定义两个无量纲参数分别描述MIM结构的吸收品质因数和辐射品质因数,并建立吸收品质因数和辐射品质因数与MIM结构之间的关系,获得MIM超表面相位理论模型;S2、将温度敏感相变材料VO2引入MIM结构,构建热光调控光自旋霍尔效应超表面结构:利用VO2随温度发生金属‑绝缘相变,介电常数随温度发生变化的性质,调节MIM结构的反射系数,实现温度对光自旋霍尔效应的调控;S3、利用仿真实验获取最佳结构参数:改变MIM结构参数,调整MIM超表面相位理论模型,并进行仿真实验,确定最佳结构参数。本发明采用上述热光可调控的VO2‑MIM超表面构建方法、VO2‑MIM超表面及应用,通过在MIM超表面中引入活性物质VO2,实现了对光自旋霍尔效应的热光调控,所产生的PSHE位移变化值ΔH增加,为光自旋霍尔效应的调控提供了新途径。

    太赫兹频率下的磁光光自旋霍尔效应实验装置及其方法

    公开(公告)号:CN115793295B

    公开(公告)日:2023-06-20

    申请号:CN202211493684.4

    申请日:2022-11-25

    Abstract: 本发明公开了一种太赫兹频率下的磁光光自旋霍尔效应实验装置及其方法,包括棱镜和和置于所述棱镜下方的石墨烯‑金属异质结,所述石墨烯‑金属异质结由石墨烯层与金属层周期性交替叠加得到,所述石墨烯‑金属异质结的衬底材料为SiO2;线偏振高斯光束由棱镜耦合后,以θ角入射石墨烯‑金属异质结,并在外加磁场的作用下,在石墨烯‑金属异质结的界面反射发生光自旋霍尔效应,将光束分裂成左旋圆偏振光和右旋圆偏振光。本发明采用上述太赫兹频率下的磁光光自旋霍尔效应实验装置及其方法,可大大增强左旋圆偏振光和右旋圆偏振光的不对称分裂,从而在太赫兹磁场下,为增强光自旋霍尔效应横向位移和有效调控提供可能性。

    太赫兹频率下的磁光光自旋霍尔效应实验装置及其方法

    公开(公告)号:CN115793295A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202211493684.4

    申请日:2022-11-25

    Abstract: 本发明公开了一种太赫兹频率下的磁光光自旋霍尔效应实验装置及其方法,包括棱镜和和置于所述棱镜下方的石墨烯‑金属异质结,所述石墨烯‑金属异质结由石墨烯层与金属层周期性交替叠加得到,所述石墨烯‑金属异质结的衬底材料为SiO2;线偏振高斯光束由棱镜耦合后,以θ角入射石墨烯‑金属异质结,并在外加磁场的作用下,在石墨烯‑金属异质结的界面反射发生光自旋霍尔效应,将光束分裂成左旋圆偏振光和右旋圆偏振光。本发明采用上述太赫兹频率下的磁光光自旋霍尔效应实验装置及其方法,可大大增强左旋圆偏振光和右旋圆偏振光的不对称分裂,从而在太赫兹磁场下,为增强光自旋霍尔效应横向位移和有效调控提供可能性。

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