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公开(公告)号：CN115719708A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202110985191.1
申请日：2021-08-25
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 广东中科半导体微纳制造技术研究院
IPC: H01L21/34 , H01L31/18 , H01L21/683 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L31/032 , H01L31/09 , H01L31/109
Abstract: 本发明公开了一种Ga2O3薄膜材料及其柔性器件的制备方法。所述Ga2O3薄膜的制备方法包括：在第一衬底上生长形成AlN层，所述AlN层能够被AlN腐蚀液蚀刻去除；直接在所述AlN层上生长形成Ga2O3薄膜。本发明实施例提供的一种大面积Ga2O3器件的制备方法得到的器件尺寸可控、位置可控，且可以阵列化制备；以及，本发明实施例提供的Ga2O3薄膜材料可以用于制作柔性的电子器件或光电器件，本发明实施例提供的一种大面积Ga2O3柔性器件的制备方法，降低了Ga2O3柔性器件制备的复杂度，提高了Ga2O3柔性器件的可控性和良品率。
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公开(公告)号：CN118762993A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410868048.8
申请日：2024-06-28
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了降低SiO2/4H‑SiC界面态密度的方法及应用。所述处理方法包括：提供界面结构；进行低温等离子体处理，所采用的等离子体气氛包含N2O；之后进行高温快速退火处理，获得低界面态密度的界面结构。本发明所提供的处理方法，通过采用等离子体低温处理技术，将N、O和P等离子体扩散至氧化层的界面处，然后经过快速高温快速退火技术，O可以与界面的C反应以CO形式释放，从而降低了C团簇密度，同时N起到一定钝化悬挂键的作用，有利于提高界面质量，P能降低界面的有效负电荷，这对降低近界面氧化层中的陷阱电荷有促进作用。本发明可以降低界面有效负电荷，降低界面态密度，改善界面质量，进而提高所制备的器件的氧化层击穿场强，提高栅极的耐压性能，减小栅极漏电流，提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN114472920B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202111677482.0
申请日：2021-12-31
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于探针卡的探针的加工方法，涉及晶圆检测设备领域。其包括：(1)提供/制备合金粉末；(2)通过软件将预先设计的探针的三维图进行切片；(3)将所述合金粉末加载至3D打印机内，并采用所述合金粉末逐层打印所述切片，形成用于探针卡的探针。本发明采用3D打印成型探针，其成本低、工艺简单，可快速实现批量加工。且该加工方法可提升成品探针的尺寸精度。
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公开(公告)号：CN116344535A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202111577242.3
申请日：2021-12-22
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 广东中科半导体微纳制造技术研究院
IPC: H01L27/06 , H01L21/8252
Abstract: 本发明公开了一种可降低泄露电流的III族氮化物晶体管结构及其制作方法。所述III族氮化物晶体管结构包括：层叠设置的第一异质结和第二异质结，且所述第一异质结与第二异质结经高阻材料和/或插入层电性隔离；与所述第一异质结配合的第一电极、第二电极、第一栅极，所述第一栅极与第一异质结之间设有第三半导体，所述第一栅极还与第一电极电性连接；与所述第二异质结配合的源极、漏极、第二栅极，所述源极、漏极还分别与所述第一栅极、第二电极电性连接，所述第二栅极与第二异质结之间设置有第六半导体上。本发明提供的III族氮化物晶体管结构能够有效低器件反向导通电压，减小器件的面积。
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公开(公告)号：CN217983279U
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202221531658.1
申请日：2022-06-17
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本实用新型涉及半导体封装技术领域，具体公开一种穿引装置及引线键合仪，穿引装置包括筒架，筒架包括用于与劈刀内部相连通的通道，通道连接有用于在劈刀内部中形成牵引气流的气流发生器，牵引气流的流动方向为自劈刀向通道的方向。通过筒架与气流发生器相结合，以使在劈刀内部中形成自劈刀向通道方向流动的牵引气流，由此，位于劈刀内部入口处的引线或者断裂在劈刀内部中的引线得以在牵引气流的作用下向劈刀的嘴部方向移动，进而完成穿引或使引线碎段移出劈刀外。装置结构简单，有效降低穿引操作的难度，提高穿引效率，同时通堵效果好，能够将断裂在劈刀内部的引线碎段完整地导出，确保不会残留引线碎段。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN217239404U
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202220535265.1
申请日：2022-03-10
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/67
Abstract: 本实用新型公开了一种芯片点胶过程中电极保护装置，包括芯片、载体和点胶座，所述载体设有内连接部和外导电部，所述外导电部包围所述内连接部设置，所述芯片位于所述载体的上方，且所述芯片设有连接凸点，所述芯片通过所述连接凸点与所述内连接部相连接；所述点胶座设有点胶通道，所述芯片和连接凸点均位于所述点胶通道内，所述点胶通道的端口围绕所述内连接部设置，且所述点胶通道的端口与所述内连接部相抵接，以使所述点胶通道隔开所述内连接部与所述外导电部。采用本实用新型，具有有效实现对芯片电极的保护，避免填充胶遮掩芯片电极的优点。
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公开(公告)号：CN216871926U
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202122664916.5
申请日：2021-11-02
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/68
Abstract: 本实用新型公开了一种能够增加键合中晶圆对准效率的装置，包括水平设置的定位环和竖直设置的引导杆，所述引导杆穿过所述定位环并与所述定位环的内侧相连接，且所述引导杆围绕所述定位环设置；所述引导杆包括弧形引导段和直线引导段，所述弧形引导段与所述直线引导段直接连接，且所述弧形引导段位于所述直线引导段的上部。采用本实用新型，具有提升对准精度和提高对准效率的优点。
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公开(公告)号：CN103233209A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310138813.2
申请日：2013-04-19
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种样品架，包括用于承载样品的样品放置架、用于调节样品表面的一选定点与蒸发源距离的距离调节机构、以及用于调节蒸发源的表面法线与蒸发源和样品表面的一选定点的连线之间的夹角的角度调节机构。距离调节机构经一中空固定架与角度调节机构固定连接，样品放置架经角度调节机构与中空固定架固定连接。距离调节机构可通过伸缩机构调节样品与蒸发源的距离及其在轴向上的稳定性，角度调节机构利用丝杆螺母配合调节角度值，并由刻度盘和刻度指针显示所调节角度值。本发明结构简单，能够与现有的蒸镀样品架及膜厚控制系统兼容，满足蒸镀工艺均匀性与蒸发速率可控性的要求，节省蒸发材料，降低成本。
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公开(公告)号：CN105097380A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410216831.2
申请日：2014-05-22
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
CPC classification number: H01J1/304
Abstract: 本发明公开一种场发射器件，其包括衬底、设置在衬底上的缓冲层、分别设置在缓冲层两端的发射极层和集电极层、分别设置在发射极层和集电极层上的金属电极层，其中，发射极层与集电极层之间具有沟道。本发明还公开一种场发射器件的制作方法。本发明的场发射器件及其制作方法，可提高场增强因子，并可提高场致发射特性。
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公开(公告)号：CN115692536A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211327506.4
申请日：2022-10-26
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 提供了一种光电探测器，其包括：芯片部和基板部，所述芯片部和所述基板部键合组装在一起，以使所述芯片部的组件一侧面对所述基板部的组件一侧，所述芯片部的背向所述基板部的一侧为入光侧，所述芯片部的芯片电极位于所述芯片部的吸收层和所述基板部之间。还提供了一种该光电探测器的制作方法。本发明的光电探测器及其制作方法，将芯片部作为光入射一侧，从而入射的光直接照射到吸收层上，增大了吸收层的吸光面积，进而提高了光电探测器的响应度。
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