公开(公告)号：CN104517899B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201410521267.5

申请日：2014-09-30

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 山下阳平 ,  古田健次 ,  淀良彰

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  B23K26/53

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68386

Abstract: 本发明提供晶片的加工方法。包括：保护部件粘贴工序，在晶片的正面上粘贴保护部件；背面磨削工序，对晶片的背面进行磨削而形成规定的厚度；改质层形成工序，从晶片的背面侧使对晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在与分割预定线对应的内部并沿着分割预定线进行照射，在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层；晶片支撑工序，在晶片的背面安装具有绝缘功能的加强片，并在加强片侧粘贴切割带，利用环状框架支撑该切割带的外周部；加强片加热工序，通过对晶片进行加热并对安装在晶片的背面的加强片进行加热来使加强片固化；以及分割工序，对晶片施加外力，将晶片分割成一个个器件，并将加强片沿着一个个器件进行破断。

公开(公告)号：CN109309047A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201810826147.4

申请日：2018-07-25

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔 ,  星野仁志 ,  古田健次

IPC: H01L21/78

Abstract: 处理衬底的方法。本发明涉及一种处理衬底(2)的方法，该衬底具有第一表面(2a)和与第一表面(2a)相反的第二表面(2b)，其中，衬底(2)在第一表面(2a)上具有器件区域(20)，该器件区域具有通过多条分割线(22)分隔开的多个器件(21)。方法包括以下步骤：从第一表面(2a)的一侧向具有100μm或更大的厚度的衬底(2)施加用脉冲激光束(LB)，其中，在脉冲激光束(LB)的焦点(P)被定位成沿从第一表面(2a)朝向第二表面(2b)的方向与第一表面(2a)隔开距离的情况下，脉冲激光束(LB)至少在沿着各个分割线(22)的多个位置被施加于衬底(2)。

公开(公告)号：CN105679709A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201510882928.1

申请日：2015-12-04

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 山下阳平 ,  古田健次 ,  李怡慧

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供晶片的加工方法，将在背面装配了加固用绝缘密封件的晶片高效地分割成各个器件。晶片的加工方法将在正面的多个区域中形成有器件的晶片沿着分割预定线分割成各个器件芯片，包含：背面磨削工序，在晶片的正面粘贴保护带并对晶片的背面进行磨削而形成为规定厚度；加固用绝缘密封件装配工序，剥离保护带并且在晶片的背面装配能够透过红外线的加固用绝缘密封件；加固用绝缘密封件硬化工序，对加固用绝缘密封件进行加热使其硬化。还包含：改质层形成工序，沿着分割预定线照射激光光线而在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层；晶片分割工序，对晶片施加外力而沿着形成有改质层的分割预定线将在背面装配有加固用绝缘密封件的晶片分割成各个器件芯片。

公开(公告)号：CN105514036A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201510640532.6

申请日：2015-09-30

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 山下阳平 ,  古田健次 ,  李怡慧

IPC: H01L21/78 ,  B23K26/53

Abstract: 本发明提供一种晶片的加工方法，包括：晶片支撑工序，在晶片的背面贴附切割带的正面并通过环状框架支撑切割带的外周部；晶片保持工序，在保持台的保持面上保持晶片的正面侧，并且通过框架夹钳固定环状框架；环状改质层形成工序，从切割带的背面侧透过切割带，将激光光线的聚光点定位于器件区域与外周剩余区域之间的边界部的内部并沿着器件区域与外周剩余区域之间的边界部照射激光光线，在晶片的内部沿着器件区域与外周剩余区域之间的边界部形成环状的改质层的环状改质层形成工序；以及改质层形成工序，从切割带的背面侧透过切割带将激光光线的聚光点定位于晶片的内部并沿着分割预定线照射激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层。

公开(公告)号：CN105390380A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510541003.0

申请日：2015-08-28

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 古田健次

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/78

Abstract: 提供晶片的加工方法。对在正面上通过多条分割预定线划分多个器件而形成的由硅构成的晶片进行加工，具有如下步骤：波长设定步骤，将对于晶片具有透过性的脉冲激光束的波长设定为1300nm～1400nm的范围；改质层形成步骤，在实施波长设定步骤之后，将脉冲激光束的聚光点定位在晶片的内部，从晶片的背面对与分割预定线对应的区域照射脉冲激光束而在晶片的内部形成改质层；分割步骤，在实施改质层形成步骤之后，对晶片施加外力而以改质层为分割起点沿着分割预定线分割晶片，在改质层形成步骤中，避开与分割预定线相邻形成的器件的脆弱部分来定位脉冲激光束的聚光点，该脆弱部分因发生散射而照射的脉冲激光束而受到损伤。

公开(公告)号：CN107611074B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN201710555572.X

申请日：2017-07-10

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 松崎荣 ,  伊藤祝子 ,  富樫谦 ,  古田健次

IPC: H01L21/683 ,  B23K26/53

Abstract: 提供静电卡盘工作台、激光加工装置和被加工物的加工方法，在使形成有金属层和器件的被加工物的正面侧露出而利用保持面对背面侧进行保持的状态下从保持面侧进行激光加工。静电卡盘工作台(1)包含：板状的基座部(2)，其对于规定波长的激光光线(L)具有透过性并具有第一面(2a)和与第一面相反一侧的第二面(2b)，规定波长的激光光线对于被加工物具有透过性；静电吸附用的电极部(3)，其对于规定波长的激光光线具有透过性并层叠于基座部的第一面；和PET膜(4)，其对于规定波长的激光光线具有透过性，覆盖电极部并构成对被加工物(W)进行保持的保持面(1a)。在从基座部的第二面侧照射激光光线而在保持面所保持的被加工物内部形成改质层(K)时使用静电卡盘工作台。

公开(公告)号：CN109285806A

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201810714545.7

申请日：2018-07-03

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 古田健次 ,  里百合子

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种静电卡盘板的制造方法，其能够以比以往更低的成本形成电极。本发明的静电卡盘板的制造方法是利用静电力对被加工物进行吸附并保持的静电卡盘板的制造方法，其包括下述步骤：导电体膜形成步骤，在基础基板的由绝缘体形成的绝缘面侧设置包含金属氧化物的导电体膜；以及电极形成步骤，在该导电体膜形成步骤之后，利用具有对于基础基板来说为透过性的波长的激光束对导电体膜进行烧蚀加工，在基础基板的绝缘面侧形成正负电极。

公开(公告)号：CN101165877A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710181938.8

申请日：2007-10-17

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 古田健次

IPC: H01L21/78 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  B23K101/40

CPC classification number: B23K26/16 ,  B23K26/18 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/50

Abstract: 本发明提供一种砷化镓晶片的激光加工方法，在通过沿着砷化镓(GaAs)晶片的间隔道照射激光光线进行烧蚀加工，来沿着间隔道切断砷化镓(GaAs)晶片时，能够使由于照射激光光线而产生的碎屑附着在切断面上。所述加工方法是沿着在砷化镓基板的表面上形成为格子状的间隔道照射激光光线，从而沿着间隔道切断砷化镓晶片的方法，其包括：晶片支承工序，将砷化镓基板的背面粘贴在保护部件上；碎屑屏蔽膜覆盖工序，在砷化镓基板的表面上覆盖碎屑屏蔽膜；激光加工槽形成工序，在砷化镓基板上从碎屑屏蔽膜侧，沿着间隔道照射激光光线，形成不到达背面的激光加工槽；以及切断工序，在砷化镓基板上沿着激光加工槽照射激光光线，形成到达背面的切断槽。

公开(公告)号：CN114823504A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210020043.0

申请日：2022-01-10

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 古田健次

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/67 ,  H01L21/304 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明提供晶片的分割方法和分割装置，即使在将晶片朝下保持而进行分割的情况下，也能够确认是否在晶片中适当地形成有改质层。晶片的分割方法包含如下的工序：改质层形成工序，将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于分割预定线的内部而进行照射，形成成为分割起点的改质层；框架配设工序，利用划片带将环状框架与晶片粘贴成一体；分割工序，使晶片朝下而将划片带扩展，沿着形成于分割预定线的改质层将晶片分割成各个器件芯片；以及判断工序，在实施该分割工序时，利用配设于晶片的正下方所设置的集尘路径上的微粒计数器对分割晶片时飞散的微粒进行计数，根据微粒的数量来判断改质层是否适当地形成。

公开(公告)号：CN105679709B

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN201510882928.1

申请日：2015-12-04

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 山下阳平 ,  古田健次 ,  李怡慧

IPC: H01L21/78

Abstract: 提供晶片的加工方法，将在背面装配了加固用绝缘密封件的晶片高效地分割成各个器件。晶片的加工方法将在正面的多个区域中形成有器件的晶片沿着分割预定线分割成各个器件芯片，包含：背面磨削工序，在晶片的正面粘贴保护带并对晶片的背面进行磨削而形成为规定厚度；加固用绝缘密封件装配工序，剥离保护带并且在晶片的背面装配能够透过红外线的加固用绝缘密封件；加固用绝缘密封件硬化工序，对加固用绝缘密封件进行加热使其硬化。还包含：改质层形成工序，沿着分割预定线照射激光光线而在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层；晶片分割工序，对晶片施加外力而沿着形成有改质层的分割预定线将在背面装配有加固用绝缘密封件的晶片分割成各个器件芯片。