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公开(公告)号：CN100541855C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200610143924.2
申请日：2006-11-02
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/148
Abstract: 一种非易失存储元件，包含：具有第一通孔11a的第一层间绝缘层11；形成在第一层间绝缘层11上、具有第二通孔12a的第二层间绝缘层12；设置在第一通孔11中的下电极13；包含相变材料、设置在第二通孔12中的记录层15；设置第二层间绝缘层12上的上电极16；和形成在下电极13和记录层15之间的薄膜绝缘层14。根据本发明，埋在第一通孔11a中的下电极13的直径D1比第二通孔12a的直径D2小，从而降低下电极13的热容。因此，当通过薄膜绝缘层14中的介质击穿形成小孔14a时，附近用作加热区，减少逃逸到下电极13的热量，导致更高的加热效率。
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公开(公告)号：CN100492696C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200610151788.1
申请日：2006-09-07
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: H01L27/2436 , G11C2213/52 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1273 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 一种非易失存储元件包括：记录层，其包括相变材料；下电极，其与记录层相接触地提供；上电极，其与记录层的上表面的部分相接触地提供；保护绝缘膜，其与记录层的上表面的其他部分相接触地提供；以及层间绝缘膜，其在保护绝缘膜上提供。从而能够获得高热效率，因为记录层和上电极之间的接触面积的尺寸减少。在层间绝缘膜和记录层的上表面之间提供保护绝缘膜，使得可以减少记录层在记录层的图案形成期间或用于暴露记录层的部分的通孔形成期间所遭受的破坏。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1983660A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610170067.5
申请日：2006-12-15
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: H01L45/1658 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1625
Abstract: 本发明中的非易失存储元件的制造方法，包括：第一步，在层间绝缘膜上形成黏附层，以使得与下电极建立电连接；第二步，在所述黏附层上形成包含相变材料的记录层；第三步，形成上电极，其电连接至所述记录层；以及第四步，在所示记录层内，对位于至少所述下电极和所述记录层之间的部分黏附层进行扩散。
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公开(公告)号：CN1960020A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610143924.2
申请日：2006-11-02
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/148
Abstract: 一种非易失存储元件，包含：具有第一通孔11a的第一层间绝缘层11；形成在第一层间绝缘层11上、具有第二通孔12a的第二层间绝缘层12；设置在第一通孔11中的下电极13；包含相变材料、设置在第二通孔12中的记录层15；设置第二层间绝缘层12上的上电极16；和形成在下电极13和记录层15之间的薄膜绝缘层14。根据本发明，埋在第一通孔11a中的下电极13的直径D1比第二通孔12a的直径D2小，从而降低下电极13的热容。因此，当通过薄膜绝缘层14中的介质击穿形成小孔14a时，附近用作加热区，减少逃逸到下电极13的热量，导致更高的加热效率。
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公开(公告)号：CN1959998A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610143922.3
申请日：2006-11-02
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675
Abstract: 非易失存储元件，包含：下电极12、设置在下电极12上的位线14以及包含相变材料并且连接在下电极12和位线14之间的记录层15。根据本发明，位线14与记录层15的初始生长表面15a接触。该结构可以通过在记录层15之前形成位线14来得到，得到三维结构。这样减小了记录层15和位线14之间的接触面积，减少了向位线14的热扩散而不增加记录层15的厚度。此外，利用该三维结构，在位线14和记录层15之间不存在上电极，降低了制造工艺的复杂性。
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公开(公告)号：CN1929161A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610151788.1
申请日：2006-09-07
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: H01L27/2436 , G11C2213/52 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1273 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 一种非易失存储元件包括：记录层，其包括相变材料；下电极，其与记录层相接触地提供；上电极，其与记录层的上表面的部分相接触地提供；保护绝缘膜，其与记录层的上表面的其他部分相接触地提供；以及层间绝缘膜，其在保护绝缘膜上提供。从而能够获得高热效率，因为记录层和上电极之间的接触面积的尺寸减少。在层间绝缘膜和记录层的上表面之间提供保护绝缘膜，使得可以减少记录层在记录层的图案形成期间或用于暴露记录层的部分的通孔形成期间所遭受的破坏。
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公开(公告)号：CN1819256A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610006478.0
申请日：2006-02-09
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C13/003 , G11C2213/78 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144
Abstract: 本发明的相变存储器装置具有：半导体基板；分别设置在矩阵状排列的多个字线和多个位线的各交点上的一个MOS晶体管；多个相变存储器元件，在半导体基板上堆积相变材料的相变层中，在和一个MOS晶体管的扩散层的上部相对的区域中形成，存储保持多位数据；以及下部电极构造，使多个相变存储器元件中的每一个与一个MOS晶体管的扩散层电连接。
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