公开(公告)号：CN1695182A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN03825181.7

申请日：2003-03-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 伊藤健一 ,  熊井次男 ,  佐藤信太郎 ,  松本幸治

IPC: G11B5/65 ,  G11B5/667 ,  G11B5/738 ,  G11B5/858

CPC classification number: G11B5/667 ,  G11B5/653 ,  G11B5/656 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/851 ,  G11B5/855

Abstract: 本发明的目的是提供一种能进行高密度记录和高速记录的、重写特性优良的、具有均匀特性的高品质、大容量的磁记录介质等。本发明的磁记录介质是在基板上具有在与该基板面大致垂直的方向上形成了多个细孔的多孔质层而构成，在该细孔的内部，从上述基板侧开始依次具有软磁性层和强磁性层，(1)该强磁性层的厚度为该软磁性层的厚度或其以下，(2)该强磁性层的厚度是由在记录时使用的线记录密度决定的最小位长的1/3倍～3倍的任意一个。本发明的磁记录介质的制造方法是上述磁记录介质的记录方法，包括：多孔质层形成工序，在基板上形成多孔质层形成材料层后，对该多孔质层形成材料层进行多孔质化处理，在与该基板面大致垂直的方向上形成多个细孔，形成多孔质层；软磁性层形成工序，在该细孔的内部形成软磁性层；以及，强磁性层形成工序，在该软磁性层上形成强磁性层。

公开(公告)号：CN1647183A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN03809083.X

申请日：2003-04-22

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 上村拓也 ,  田中努 ,  松本幸治

IPC: G11B11/105 ,  G11B7/24

CPC classification number: G11B5/09 ,  G11B7/243 ,  G11B7/2531 ,  G11B7/257 ,  G11B7/2578 ,  G11B7/258 ,  G11B11/10532 ,  G11B11/10554 ,  G11B11/1058 ,  G11B11/10584 ,  G11B11/10586 ,  G11B2005/0021 ,  G11B2007/25706 ,  G11B2007/2571

Abstract: 提供一种光记录媒体、磁光记录媒体、信息记录/再生装置、信息记录/再生方法及磁记录装置。其中，在用聚碳酸酯等形成的有平行平面的基板上依次形成反射层、核形成基底层、核形成层、记录层的层叠结构，在反射层和记录层之间形成的核形成层的表面呈有微小的核(突起部)的微小的凹凸形状。

公开(公告)号：CN1637868A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410083132.1

申请日：2004-09-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 猪又明大 ,  安东尼·阿扬 ,  田口润 ,  松本幸治 ,  山岸亘

IPC: G11B5/66

CPC classification number: G11B11/10589 ,  G11B5/66

Abstract: 磁记录介质、磁存储器和从磁记录介质中再生信息的方法。一种磁记录介质，其包括：第一磁层；以及形成在所述第一磁层上的第二磁层。所述第一磁层和所述第二磁层之间进行交换耦合，并且，它们的磁化方向相互反平行。所述第一磁层和所述第二磁层的净残留面积磁化强度由下面的公式表示：|Mr1×t1－Mr2×t2|，其中Mr1和Mr2分别表示所述第一磁层和所述第二磁层的剩余磁化强度，t1和t2表示它们各自的膜厚；并且第一温度下的净残留面积磁化强度大于比所述第一温度低的第二温度下的净残留面积磁化强度。

公开(公告)号：CN1427404A

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN02108708.3

申请日：2002-03-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 上村拓也 ,  田中努 ,  松本幸治

IPC: G11B11/10

CPC classification number: G11B11/10586 ,  G11B11/10584 ,  Y10T428/12812 ,  Y10T428/12833 ,  Y10T428/12889 ,  Y10T428/12896 ,  Y10T428/12986 ,  Y10T428/12993 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/31

Abstract: 磁光记录媒体至少包括在基片上以该顺序形成的反射层和记录层，其中信息的记录和再现是通过用来自记录层侧的激光束辐射媒体实现的。反射层包括两层或多层在表面粗糙度上不同的薄膜层，其中靠近基片的薄膜层具有小于靠近记录层的薄膜层之表面张力的表面张力。通过设计记录层的构成，本发明将改善磁光记录媒体记录层的娇顽磁力和CNR以实现高密度记录。

公开(公告)号：CN100351905C

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN03825181.7

申请日：2003-03-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 伊藤健一 ,  熊井次男 ,  佐藤信太郎 ,  松本幸治

IPC: G11B5/65 ,  G11B5/667 ,  G11B5/738 ,  G11B5/858

CPC classification number: G11B5/667 ,  G11B5/653 ,  G11B5/656 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/851 ,  G11B5/855

Abstract: 本发明的目的是提供一种能进行高密度记录和高速记录的、重写特性优良的、具有均匀特性的高品质、大容量的磁记录介质等。本发明的磁记录介质是在基板上具有在与该基板面大致垂直的方向上形成了多个细孔的多孔质层而构成，在该细孔的内部，从上述基板侧开始依次具有软磁性层和强磁性层，(1)该强磁性层的厚度为该软磁性层的厚度或其以下，(2)该强磁性层的厚度是由在记录时使用的线记录密度决定的最小位长的1/3倍～3倍的任意一个。本发明的磁记录介质的制造方法是上述磁记录介质的记录方法，包括：多孔质层形成工序，在基板上形成多孔质层形成材料层后，对该多孔质层形成材料层进行多孔质化处理，在与该基板面大致垂直的方向上形成多个细孔，形成多孔质层；软磁性层形成工序，在该细孔的内部形成软磁性层；以及，强磁性层形成工序，在该软磁性层上形成强磁性层。