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公开(公告)号：CN111656226A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201880087849.3
申请日：2018-11-29
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种具备平坦的超薄膜的含银金属层的光学薄膜及其制造方法、以及具备光学薄膜的光学元件、及具备其光学元件的光学系统。一种光学薄膜，其设置在基材上，所述光学薄膜中，从基材侧起依次具备中间层、含有银的含银金属层及电介质层，含银金属层的中间层侧的界面区域具备包含锚金属的氧化物的锚区域，含银金属层的电介质层侧的界面区域具备包含锚金属的氧化物的罩体区域，包含锚区域及罩体区域的含银金属层的膜厚为6nm以下，含银金属层含有标准电极电位高于银的金属即高标准电极电位金属，并且，在含银金属层的膜厚方向上，高标准电极电位金属的浓度分布的峰值位置比银的浓度分布的峰值位置更靠中间层侧。
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公开(公告)号：CN111095037A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880059995.5
申请日：2018-08-17
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种耐久性高的防反射膜、具备防反射膜的光学元件及具备该光学元件的光学系统。在所述防反射膜中，从基材侧起，依次层叠有中间层、含有银的含银金属层及电介质层，中间层为具有相对高的折射率的高折射率层与具有相对低的折射率的低折射率层交替层叠的2层以上的多层膜，电介质层具有露出于空气的表面，电介质层为包含含硅的氧化物层、氟化镁层、设置于含硅的氧化物层及氟化镁层之间且提高含硅的氧化物层与氟化镁层的密合性的密合层的多层膜。
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公开(公告)号：CN101930805B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201010209336.0
申请日：2010-06-21
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L29/786 , H01B1/08 , H01B13/00
CPC classification number: H01L29/7869 , C01G15/006 , C01P2002/34 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , C30B29/22 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02664
Abstract: 本发明提供IGZO基氧化物材料和制备IGZO基氧化物材料的方法，所述IGZO基氧化物材料由组成式In2-xGaxZnO4-δ表示，其中0.75＜x＜1.10并且0＜δ≤1.29161×exp(-x/0.11802)+0.00153，并且所述IGZO基氧化物材料由具有YbFe2O4的晶体结构的IGZO的单相形成。
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公开(公告)号：CN101931009B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201010209348.3
申请日：2010-06-21
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/12 , H01L29/423 , H01L21/34
CPC classification number: H01L21/0262 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02667 , H01L21/02675 , H01L29/24 , H01L29/7869
Abstract: 本发明公开薄膜晶体管和制备薄膜晶体管的方法。本发明提供一种包含活性层的薄膜晶体管，所述活性层包含IGZO基氧化物材料，所述IGZO基氧化物材料由组成式In2-xGaxZnO4-δ表示，其中0.75＜x＜1.10并且0＜δ≤1.29161×exp(-x/0.11802)+0.00153，并且所述IGZO基氧化物材料由具有YbFe2O4的晶体结构的IGZO的单相形成，以及提供一种制备所述薄膜晶体管的方法。
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公开(公告)号：CN113950751A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202080042855.4
申请日：2020-04-28
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L41/319 , C01G35/00 , C01G55/00 , C23C14/08 , H01L21/316 , H01L41/187 , H01L41/316
Abstract: 本发明得到一种可低成本制作的、具备包含含有Pb的单相的钙钛矿型氧化物的压电体层的压电元件。压电元件在基板上依次具备下部电极层、生长控制层、以含有铅的钙钛矿型氧化物为主成分的压电体层、以及上部电极层，生长控制层包含由MdN1‑dOe表示的金属氧化物。在此，M由可置换钙钛矿型氧化物的A位的一种以上的金属元素构成，0＜d＜1，将电负性设为X时，1.41X‑1.05≤d≤A1·exp(‑X/t1)+y0，A1＝1.68×1012，t1＝0.0306，y0＝0.59958。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111095037B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201880059995.5
申请日：2018-08-17
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种耐久性高的防反射膜、具备防反射膜的光学元件及具备该光学元件的光学系统。在所述防反射膜中，从基材侧起，依次层叠有中间层、含有银的含银金属层及电介质层，中间层为具有相对高的折射率的高折射率层与具有相对低的折射率的低折射率层交替层叠的2层以上的多层膜，电介质层具有露出于空气的表面，电介质层为包含含硅的氧化物层、氟化镁层、设置于含硅的氧化物层及氟化镁层之间且提高含硅的氧化物层与氟化镁层的密合性的密合层的多层膜。
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公开(公告)号：CN111902739A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201880091646.1
申请日：2018-12-20
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种环境耐久性优异的防反射膜及光学部件。防反射膜具备配置于基材侧的电介质多层膜及层叠设置于电介质多层膜的以水合氧化铝为主要成分的微细凹凸层。电介质多层膜由具有相对高的折射率的高折射率层和具有相对低的折射率的低折射率层的交替层构成，电介质多层膜作为高折射率层及低折射率层中的1个层而包含由氮化硅构成的阻挡层，阻挡层的密度为2.7g/cm3以上且厚度为15nm以上且150nm以下。
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公开(公告)号：CN111051055A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880055579.8
申请日：2018-08-08
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种在树脂基材上具备平坦的超薄膜的金属层的密合性高的层叠膜及其制造方法。本发明的层叠膜设为如下：依次层叠树脂基材、由有机层和无机层交替层叠而成的有机无机多层膜及厚度为20nm以下的含银金属层而成，有机无机多层膜的最靠含银金属层侧的层为无机层，在无机层的表面具备Hamaker常数为7.3×10-20J以上的锚金属扩散控制层，在锚金属扩散控制层与含银金属层之间具备包含锚金属的氧化物的锚区域，该锚金属具有与锚金属扩散控制层相比，与含银金属层的表面能之差较小的表面能，在含银金属层的与锚金属扩散控制层侧的面相反的面侧具备包含锚金属的氧化物的罩体区域。
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公开(公告)号：CN103608906A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201280029028.7
申请日：2012-06-08
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/368 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L21/02565 , H01L21/02554 , H01L21/02592 , H01L21/02628 , H01L22/10 , H01L27/14687 , H01L27/14698 , H01L29/78693 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 非晶质氧化物薄膜的制造方法包括以下步骤：前处理步骤，对包含有机成分及In的第一氧化物前驱物膜，在小于所述有机成分的热分解温度的温度下使所述有机成分的键结状态选择性地变化，而获得第二氧化物前驱物膜，所述第二氧化物前驱物膜在以傅立叶变换型红外光谱法进行测定时所获得的红外线吸收光谱中，将红外线的波数1380cm-1以上、1520cm-1以下的范围分割为红外线的波数1380cm-1以上、1450cm-1以下的范围与红外线的波数超过1450cm-1且1520cm-1以下的范围时，位于红外线的波数1380cm-1以上、1450cm-1以下的范围内的峰值在红外线的波数1350cm-1以上、1750cm-1以下的范围内的红外线吸收光谱中显示最大值；以及后处理步骤，将残存于所述第二氧化物前驱物膜中的所述有机成分去除，使所述第二氧化物前驱物膜转变为包含所述In的非晶质氧化物薄膜。
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公开(公告)号：CN101931009A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010209348.3
申请日：2010-06-21
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/12 , H01L29/423 , H01L21/34
CPC classification number: H01L21/0262 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02667 , H01L21/02675 , H01L29/24 , H01L29/7869
Abstract: 本发明公开薄膜晶体管和制备薄膜晶体管的方法。本发明提供一种包含活性层的薄膜晶体管，所述活性层包含IGZO基氧化物材料，所述IGZO基氧化物材料由组成式In2-xGaxZnO4-δ表示，其中0.75＜x＜1.10并且0＜δ≤1.29161×exp(-x/0.11802)+0.00153，并且所述IGZO基氧化物材料由具有YbFe2O4的晶体结构的IGZO的单相形成，以及提供一种制备所述薄膜晶体管的方法。
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